- SuVolta日前宣布推出PowerShrink™低功耗平台。该平台可以有效降低CMOS集成电路2倍以上的功耗，同时保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半导体有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天还共同宣布，富士通已获得授权使用SuVolta创新型PowerShrink™低功耗技术。
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SuVolta CMOS
- 6月9日，应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美(ON Semiconductor)半导体推出五款超小封装的低压降(LDO) 线性稳压器，强化用于智能手机及其他便携电子应用的现有产品阵容。这些新器件基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术，均能提供150毫安(mA)的输出电流。
NCP4682和NCP4685超低电流稳压器的供电电流仅为典型值1微安(µA)，输出电压范围为1.2伏(V)至3.3 V。
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安森美 CMOS NCP4682
- 致力实现智能、安全，以及互连世界的半导体技术领先供应商─美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布，公司已于2011年5月27日完成对AML Communications, Inc. (OTCBB:AMLJ) 之收购。
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Microsemi RF
- 基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。
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设计 电压 基准 CMOS 0.18
- 在不了解会受到何种损害的情况下，具备高深的数字电子知识的设计师发现，当需要给无线器件确定滤波器参数时...
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RF 微波 滤波器
- 固定WiMAX标准基于正交频分复用(OFDM) 技术，使用256个副载波; 该标准支持1.75~ 28 MHz范围内的多个信道带宽，同时支持多种不同的调制方案，包括BPSK、QPSK、16QAM 和64QAM。 1 主要芯片完成功能
本设备采用
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系统 设计 RF WiMAX OFDM 基于
- 关于激光头的准电感谐振技术。为了使输入射频沿激光器长度，电压分布均匀，加入一对电感并联在谐振腔上下电极之间。这样，由于电感负导纳的补偿作用，使激光器沿长度上的驻波比大大下降，失配角小于9°，理论计算结果电压不均匀度小于3％。
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类别 原理 电源 激光 CO2 RF
- AnalogDevices,Inc.（纽约证券交易所代码：ADI），全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最新推出五款针对卫星通信、无线基站、点到点无线电链路、仪器仪表和军事设备等高动态范围应用的单通道RF混频器系列，从而扩充了其 RF IC 产品系列。
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ADI RF
- 随着工程师们需要遵循的辐射电磁干扰(EMI)规范的不断增多，市场上开始出现各种类型的EMI吸波材料。一般而言，市场上所提供的这些吸波材料的厚度很薄并具有很好的外形柔韧性，再加上其背面带有粘合剂的设计使得我们能
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EMI RF 吸波材料 性能比较
- 最常见的遥控器使用红外(IR)技术，这主要是因为红外元件成本相对较低，但这些基于IR的控制器有许多缺陷，包括需要在视角范围内、操作角度限制、传输距离短、与IR LED相关的反射和高电流消耗等，这些缺陷大大缩短了电池寿命。RF遥控器解决了这些问题，并且由于可带给用户更好的使用体验，产品也日益丰富。此外，技术改进正在使得RF-IR元件之间的价格差越来越小。
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遥控器 设计 RF 简化 发射器 SoC
- 摘要：设计了一种宽带轨对轨运算放大器，此运算放大器在3．3 V单电源下供电，采用电流镜和尾电流开关控制来实现输入级总跨导的恒定。为了能够处理宽的电平范围和得到足够的放大倍数，采用用折叠式共源共栅结构作为前
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CMOS 运算放大器
- 本文设计加工了一种简单的表面电流减少测试装置，通过它可以在实验室环境下对不同EMI吸波材料的吸波性能进行相对的比较。尽管吸波材料所引起的表面电流的减少量并不完全等于预期的EMI减少量的测量值，但该方法可以很快的确定在特定频率范围内具备最佳吸波性能的材料。
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比较 性能 材料 EMI/RF 用于
- 手机市场激烈的竞争推动制造商去寻找新的降低成本、印制电路板(PCB)面积和功率损耗的设计方法。同时，第三代(3G)网络的首次展示已打开各种新型多媒体和以实验为依据的应用之门，从无线网络接入和移动视频到文本发
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RF 前端 设计 手机 3G 多模 频带 简化
- 蜂窝发射模块对手机内的任何元件来说都将产生最大的辐射功率，从而可能诱发EMI和RFI。类似这样的问题可以采用RF屏蔽技术来降低与EMI及射频干扰(RFI)相关的辐射，并可将对外部磁场的敏感度降至最低。那么，什么样的
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屏蔽 设计 RF 手机 3G 基于
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