- 市场调查机构DRAMeXchange近日发布的调查结果显示，到今年三季度，三星电子、SK海力士等韩企的3D NAND闪存半导体在全球整体NAND闪存市场所占份额有望超过50%。
闪存是指在断电情况下仍能存储数据的半导体，主要用于智能手机等移动终端的周边装置。3D NAND在2D NAND的基础上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韩产3D NAND将陆续上市，三星电子和美光科技(Micron)等企业于今年二季度起量产64层3D NAND，SK海力士将于三季度在全球最先推出72层的3
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NAND SK海力士
- 内存是半导体的主力产品之一，目前主要由动态随机存取内存(DRAM)及具备非挥发特性的NAND闪存(Flash)为最重要的两项产品。 不过，由于DRAM必须持续上电才能保存数据，NAND Flash又有读写速度较DRAM慢，且读写次数相对有限的先天限制，因此内存业者一直试图发展出新的内存架构，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非挥发特性
根据研究机构Tech Insights估计，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代内存，都已陆续进入小量生产阶段。 不过
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内存 NAND
- 2017年将是3D NAND Flash应用市场快速崛起的关键年，包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)等陆续推出具竞争力的64层3D NAND Flash加入竞局，SK海力士(SK Hynix)更一举跳到72层3D NAND Flash技术以求突围，由于新旧技术转换，良率仍不稳定，加上固态硬碟(SSD)需求起飞，造成NAND Flash市场大缺货，业者预期2017年下半产出可望大增，全面开启3D NAND Flash时代。
三星在2
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三星 NAND
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑，并在 2019 年重新陷入一个相对低点。
Gartner 表示，自 2016 年中期以来，随着 NAND Flash 的涨价，SSD 的每字节的成本也出现了惊人上涨。 不过，这种上涨趋势将在本季达到顶峰。 其原因在于中国厂商大量投入生产的结果，在产能陆续开出后，市场价格就一反过去的涨势，开始出现下跌的情况。
Gart
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DRAM NAND
- 这次大概介绍了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法。 一、 接线 这个开发板搭载了一个256 MB，8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引脚接线如下：
偷个懒，直接上引脚复用的图。其中PC14表明该NAND FLASH需要作为SMC的外设0使用。通过使用NANDOE和NANDWE引脚说明需要使用芯片的NAND Flash控制逻辑。另外，PC18复用为输入
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SAM4E NAND
- 随着APP体积不断扩大，以及照片、视频等文件逐渐累积，消费者再难回到被16GB ROM支配的时代。就连吝啬的苹果也将iPhone存储容量翻番，最高达到了256GB。大容量闪存能够提高数据并行处理的效率，但是256GB就够了吗?
日前，海力士(SK Hynix)推出业界首款72层堆叠的3D NAND闪存。该方案基于TLC阵列、单晶片容量为256Gb(32GB)，闪存芯片封装后的最高容量将达到512GB。
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海力士 NAND
- 从去年年中开始，以固态硬盘为代表的，包括固态硬盘、内存条、优盘甚至闪存卡在内的几乎全部闪存产品，开始缓慢涨价。
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内存 NAND
- 东芝已经处于资不抵债的边缘，被迫出售优质大额资产来改善其财务状况，究竟东芝存储业务花落谁家，虽然在近期就可以揭晓。
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东芝 NAND
- 北京时间3月24日上午消息，由于供应趋紧和需求旺盛导致存储芯片价格上升，美光科技预计当前季度的营收和利润远超分析师预期。该公司第二财季利润也超出分析师预期，促使其股价在周四盘后交易中大涨9.4%。
由于各大企业都在争相开发体积更小、效率更高的芯片，引发了供应瓶颈，但与此同时，智能手机、人工智能、无人驾驶汽车和物联网的数据存储需求却在飙升，导致全球存储芯片制造商正在经历分析师所谓的“超级周期”。
美光科技周四表示，该公司的DRAM芯片第二季度涨价21%，此前一个季度已
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美光 NAND
- 三星电子周二宣布，位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利，将如期于 2017 上半年投产。
三星新芯片厂于 2015 年动土，共投入 15.6 万亿韩元(约 144 亿美元)建厂，为三星史上最大单一产线投资项目。据三星表示，新厂第一阶段施工目前已完成九成。
新芯片厂主要用于生产高容量 3D 立体 NAND 快闪存储器。快闪存储器可取代传统硬盘，并广泛应用于数码相机、智能手机与其他 USB 界面储存设备。
市调机构 DRAMeXchange 日前指出，三星稳坐去年第四季 NAND 快闪存储
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三星 3D NAND
- NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断，中国公司在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
长江存储科技前身是武汉新芯公司，该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，随后
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长江存储 NAND
- 3月1日，乐视宣布，对旗下乐Pro 3进行价格调整。在这之前，魅族、红米、努比亚已先后宣布了涨价措施……手机厂家纷纷执行涨价措施，往常都想用低价策略吸引用户的厂家们这次都是因为什么呢? 有没有朋友发现目前市场上的闪存类产品价格在悄悄增长，包括我们熟悉的U盘、内存、硬盘类产品，这些产品和近期纷纷宣布涨价的手机是否有什么关系呢? 关键在于它们都使用了一种核心器件：Flash Memory，也就是大家说的“闪存”，而这类器件由于目前生产减少，出现了供不应求的状况，导致其价格上涨，最终
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Nand 内存
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据) 工作原理 动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。
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DRAM NAND
- 平面DRAM最重要也最艰难的挑战，是储存电容的高深宽比，为了要延长DRAM这种内存的寿命，在短时间内必须要采用3D DRAM解决方案。
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DRAM NAND
- NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断，中国公司在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
长江存储科技前身是武汉新芯公司，该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，
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