- 大家可以试着考虑一个问题，如果从实用性角度来看，英特尔11代酷睿+Windows
11是否更胜苹果M1+MacOS一筹呢？对于我个人以及身边不少朋友来说确实如此。无论是在兼容性、易用性，还是在拓展性、泛用性方面，基于英特尔11代酷睿+Windows
11的电脑都更容易上手，使用起来也无需担心兼容性问题。作为一名11代酷睿+Windows和苹果M1+MacOS双修的打工人，我个人对此深有感触。而如果你正在为此事而烦恼、正在为选择哪个阵营而纠结，那么不妨来看看这篇文章。笔者现在自用的笔记本电脑有两台，
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Wintel 苹果 PC
- 10月28日消息，据外媒报道，美国当地时间周三，芯片巨头英特尔发布了一款速度更快的新个人电脑（PC）处理器芯片系列，并称其正在帮助美国政府开发的超级计算机速度将达到先前预期的两倍。 在输给AMD和苹果等竞争对手后，英特尔正在努力夺回制造速度最快计算芯片的领先地位。苹果和AMD都使用外包方式来制造芯片，而英特尔始终在内部制造模式中苦苦挣扎。 在旨在说服软件开发商为其芯片编写代码的活动上，英特尔展示了其用于PC的第12代英特尔酷睿芯片，代号为“奥尔德湖”(Alder Lake)。该公司表示，该产品线最
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英特尔 PC 芯片
- 随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在本研究中，我们将为大家呈现，如何利用SEMulator3D研究先进DR
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DRAM 微结构
- 三星、SK海力士及美光确定未来会用EUV工艺，其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。芯研所8月21日消息，CPU、GPU为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后，EUV光刻工艺不可或缺。目前内存停留在10nm工艺级别。三星、SK海力士及美光也确定未来会用EUV工艺，其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认，美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图，将由10nm世代中的1γ（gamma）工艺节点开始导入。美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产，预
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美光 EUV DRAM
- 根据TrendForce调查，第三季PC DRAM合约价格的议定大致完成，受惠于DRAM供货商的库存量偏低以及旺季效应，本季合约价调涨3~8%，但相较第二季25%的涨幅已大幅收敛。然约自七月初起，DRAM现货市场已提前出现PC DRAM需求疲弱的态势。卖方积极调节手上库存，持续降价求售。合约市场方面，先前PC OEMs因担忧长短料问题而大量备料，使DRAM库存已达高水位，库存迭高问题成为涨价的阻力，再加上欧美逐步解封可能使笔电需求降低，进而拉低PC DRAM的总需求量。因此，预估PC DRAM合约价于第四
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TrendForce PC DRAM
- 三星电子昨天公布了其2021年第二季度的收益。该公司整体表现良好，其内存业务也不例外。该公司预计该部门将持续增长，尤其是针对高端服务器和高性能计算（HPC）市场的DRAM产品。这就是为什么三星一直在推动其用于此类用途的高密度内存模块，该公司最近发布了业界首个512GB DDR5 DRAM模块，从任何角度看都是一个真正的高容量解决方案。 但事实证明，这家韩国巨头可能还不满足，因为它计划在不久的将来的某个时候更进一步，生产768GB DDR5模块，也就是使用24Gb DRAM芯片。这可以从该公司的财报电
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三星 内存 DRAM DDR5
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已经开始生产10纳米8Gb LPDDR4移动DRAM —— 他们将在该内存芯片生产中应用极紫外（EUV）工艺，这是SK海力士首次在其DRAM生产中应用EUV。根据SK海力士的说法，比起前一代规格的产品，第四代在一片晶圆上产出的DRAM数量增加了约25%，成本竞争力很高。新的芯片将在今年下半年开始供应给智能手机制造商，并且还将在2022年初开始生产的DDR5芯片中应用10纳米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士发布声明，正式启用EUV光刻机闪存内存芯片，批量生产采用
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EUV DRAM
- SK海力士宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） *LPDDR4 移动端DRAM产品。*
LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。“DDR”
为电子工程设计发展联合协会(Joint Electron Device Engineering
Council，简称JEDEC)规定的DRAM规格标准名称，DDR1-2-3-4为其顺序进行换代。 图1.
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SK海力士 10纳米 DRAM
- 2021年6月24日晚11点，微软正式发布了Windows 11操作系统。相比全新的UI设计、各项新特性、新功能的加入，带给我们更大惊喜的，是Windows 11系统打通了跨平台壁垒，可以直接使用安卓应用，这或许会改变我们使用PC和手机的方式。而Windows
11之所以能够实现对安卓应用的支持，则要归功于背后的英特尔Bridge技术，这项技术支持所有安装Windows
11操作系统的x86设备直接使用安卓应用。这意味着，英特尔以开放态度，将x86生态下的所有设备囊括进来，从而彻底突破了Windo
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英特尔 PC Windows 11
- 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021线上主题演讲中，美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra代表美光发布多项产品创新，涵盖基于其业界领先的 176 层 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的内存和存储创新产品，并推出业界首款面向汽车应用的通用闪存 (UFS) 3.1 解决方案。这些创新产品和创新技术体现了美光通过内存和存储创新加速数据驱动洞察的愿景，从而助力数据中心和智能边缘的创新，突出了内存和存储在帮助企业充分发挥数据经济潜能方面的核心作用。在新的数据经济背后，有一
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美光 176层NAND 1α DRAM
- 5月28日消息，当地时间周四戴尔科技公布截至4月30日的2022财年第一季度财报。财报显示，戴尔第一季度营收为244.87亿美元，与去年同期的218.97亿美元相比增长12%，而分析师平均预期为233亿美元；净利润为9.38亿美元，与去年同期的1.82亿美元相比增长415%；不包含某些项目的每股收益为2.13美元，而分析师平均预期为1.60美元。 戴尔当季营收之所以能超出分析师预期，主要原因是消费者和企业在笔记本电脑和台式电脑方面的开支巨大。 戴尔首席执行官迈克尔·戴尔（Michael Dell）
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戴尔 财报 PC
- 2021 年1 月，美光科技宣布批量出货基于1α(1-alpha) 节点的DRAM产品，是目前世界上最为先进的DRAM 技术，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。为此，《电子产品世界》记者采访了公司DRAM 制程集成副总裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副总裁Thy Tran1 1α节点技术1α 节点DRAM 相当于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指内存阵列激活区半间距）在(10~19) nm之间。要做到这一点，需要大幅缩小位线和字线间距——可以说是收缩
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202104 DRAM
- 3月11日消息，研究机构IDC发布最新预测分析认为，今年PC市场的出货量将达到3.574亿台，增长18.2%，这一数字远高于该机构早前发布的2020年12.9%的市场增幅。展望未来，IDC认为，行业前景比历史水平更为强劲，预计2020-2025年的复合年增长率为2.5%。IDC指出，2020年以来全球个人电脑需求达到创纪录水平，尽管许多地区已经在COVID-19疫情爆发后重新开始开放，但市场需求仍然强劲。该机构认为，最大的驱动因素是消费者和学生以及企业升级，理由是这些用户需要可靠的系统来维持生产和与外界沟
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IDC PC
- 近日，美光在业界率先推出 1α DRAM 制程技术。值此机会，该公司举办了线上媒体沟通会，执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana 先生介绍了对DRAM、NAND的市场预测，以及美光的研发、资本支出、产品布局等。执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana1 2021年DRAM和NAND将增长19%展望2021年，全球GDP增长约5%。而根据不同分析师的预测，半导体产业预计增长可达12%，整个半导体产业的产值将达5020亿美元。其中，内存与存储预计增长可达19%，增度远超整
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DRAM NAND
- 存储芯片大厂美光（Micron）执行副总裁兼事业长Sumit Sadana近日接受采访表示，2020年汽车电子和智能型手机需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年显现明显复苏，并带动存储器需求增长。目前主要有两种存储器产品，一种是DRAM（动态随机存储器），用于缓存，另一种是NAND
Flash（闪存），用于数据的存储。在DRAM领域，韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控了全球主要市场份额。NAND
Flash市场则由三星、凯侠、西部数据、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana称，预期今
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美光科技 DRAM NAND
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