- 研究机构TrendForce表示,随着清华紫光投资NAND Flash储存相关公司的脚步加快,以及中国半导体业者在NAND Flash产业链的布局日趋完整,中国业者在NAND Flash产业地位也越来越关键。
TrendForce 旗下存储器储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,虽然NAND Flash短期内受到供过于求的影响呈现较为疲软的格局,但长远来看,NAND Flash的相关应用成长依旧快速。SSD与eMMC在各种电子产品的能见度越来愈高,NAND Flash成为未来储存
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NAND Flash SSD
- 随着全球半导体大者恒大的趋势底定,加以红色供应链频频发动并购,不少台半导体厂也纷纷开始整合,寻求新的可能,从联发科今年一举并购四台厂,到日月光收购矽品股份的动作可见一斑。尤有甚者,利基型记忆体 IC 设计厂商晶豪科与旗下 NOR Flash IC 设计公司宜扬也宣告合并,整合资源。
晶豪科在 2011 年即取得宜扬 19.94% 股份,10 日更进一步宣布将与宜扬换股进行整并,以晶豪科为存续公司、宜扬为消灭公司。换股比例暂订为宜扬普通股 2.55 股换晶豪科普通股 1 股。为合并宜扬晶豪科也将增
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联发科 NOR
- 研究机构TrendForce表示,随着清华紫光投资NAND Flash储存相关公司的脚步加快,以及中国半导体业者在NAND Flash产业链的布局日趋完整,中国业者在NAND Flash产业地位也越来越关键。
TrendForce 旗下存储器储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,虽然NAND Flash短期内受到供过于求的影响呈现较为疲软的格局,但长远来看,NAND Flash的相关应用成长依旧快速。SSD与eMMC在各种电子产品的能见度越来愈高,NAND Flash成为未来储存
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AND Flash
- 过去多年时间里,来自Adobe的热门软件Flash让网络变得更丰富,然而,Flash的安全性一直饱受诟病,而近期发生的信息安全事故再次表明,Flash应当走向消亡。
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Adobe Flash
- 笔者在设计一项目时采用LPC2458。此CPU为ARM7内核,带512K字节的片内FLASH,98k字节的片内RAM,支持片外LOCAL BUS总线,可从片外NOR FLASH启动CPU.由于代码量较大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在运行程序时,需对片外的NOR FLASH擦写的需求。图1为存储部分框图。
图1存储部分原理框图
在设计中,片外NOR FLASH的大小为16M字节。其中2M规划为存放运行程序,剩余的空间用于产品运
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ARM7 FLASH
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查报告显示,受到新款智慧型手机上市以及今(2015)年度苹果新款iPhone即将开始拉货的影响,NAND Flash市况将逐渐增温,预估在第三季将摆脱供过于求,转为供需较为平衡的格局。
从供给面观察,虽然各家NAND Flash厂商陆续宣布3D -NAND Flash的量产时程,但嵌入式产品应用仍须考量控制晶片的搭配,与各种系统端搭配的相容性问题,DRAMeXchange预估,2015年3D-NAND Flash的产出比重将仅
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TrendForce NAND Flash
- 1 VxWorks系统的启动流程
嵌入式VxWorks操作系统的启动包括两个阶段,一是BootRom引导,二是VxWorks操作系统映像的启动。BootRom映像也叫做启动映像,它主要是初始化串口、网口等很少的硬件系统来下载VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS,是真正在目标板上运行的操作系统。它启动后会重新初始化几乎所有的硬件系统,这样操作系统才可以在目标板上正常运行。两种映像的区别如表 1所示。
VxWorks内核有多种启动流程。本文基于的声呐原型机采
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VxWorks 嵌入式 TFFS Flash MTD
- 2014年NAND flash销售数据出炉,IHS报告称,前四大业者中,三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)销售皆有成长,唯有二哥东芝(Toshiba)疑似因为产品出包遭苹果召回,市占和业绩双双下滑。
BusinessKorea报导,IHS 13日报告称,三星电子稳居NAND flash老大,去年销售年增4%至90.84亿美元,市占率成长0.1%至36.5%。二哥东芝去年市占率由34.3%减至31.8%,销售也大减将近3亿美元。
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三星 NAND flash
- 储存装置市场正酝酿一波小型新创公司革命。过去由惠普(HP)、IBM、NetApp与EMC等业者把持的储存市场,目前已遭到许多小型新创公司崛起并抢走市场。调查也发现,消费者预期未来将扩大使用Flash存储器与固态硬碟(SSD),因此,传统大厂必须调整策略才能扭转颓势。
据TechRadar报导,全球四大储存大厂惠普、IBM、NetApp与EMC近期受到甫成立不久的新创公司推出快闪技术产品,因此,其外部硬碟储存市场占有率已逐渐流失。
据IDC调查发现,截至2014年第2季为止,由四大厂供应的高
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IBM SSD Flash
- 三星电子(Samsung Electronics)领先全球同业、于去年10月抢先量产3D架构的NAND型快闪存储器(Flash Memory)产品,但三星的领先优势恐维持不了多久,因为三星NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)传出将在今年下半年量产3D NAND Flash、且其制造技术更胜三星一筹!
日本媒体产经新闻25日报导,三星于去年量产的3D NAND Flash产品为垂直堆叠32层,但东芝已研发出超越三星的制造技术、可堆叠48层,且东芝计划于今年下半年透过旗下四日市工厂
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东芝 3D Flash
- 中国大陆智能型手机的高成长,使得内存等零组件的消耗激增。这也使得南韩的内存供应商不管是从零组件竞争还是手机整机的竞争上都倍感压力。
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DRAM NAND Flash
- 2015年由行动装置带动的高规格半导体之争蓄势待发;行动应用处理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三阶储存单元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半导体需求增加,被视为半导体产业成长新动能。
据韩媒亚洲经济的报导,智慧型手机的功能高度发展,让核心零组件如应用处理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半导体的需求日渐增加。首先是AP从32位元进化到64位元,可望让多工与资料处理
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半导体 NAND Flash LPDDR4
- 根据 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新报告显示,第四季 NAND Flash 市况虽依旧维持健康水准,但在三星电子、东芝与晟碟各自面临价格与产销端的压力影响营收、及第三季呈现微幅衰退的情况下,品牌供应商营收仅较第三季成长 2% 至 87.5 亿美元。DRAMeXchange 研究协理杨文得表示,因需求端面临淡季效应,2015 年第一季整体市况将转为供过于求,在价格滑落幅度转趋明显的情况下,业者将藉由加速先进制程的转进,改善成本架构,以减低价格跌幅的冲击。
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NAND Flash 三星 东芝
- 存储器厂持续在eMCP(eMMC结合MCP封装)领域扩大进击,继东芝(Toshiba)与南亚科洽谈策略联盟,新帝(SanDisk)亦传出首度来台寻找移动式存储器Mobile RAM合作伙伴,考虑与南亚科签定长约或包下产能,显示国际存储器大厂亟欲寻找Mobile RAM货源,并敲开与台厂合作大门。
半导体业者透露,在三星电子和SK海力士主导下,智能型手机内建存储器规格从eMMC转为eMCP,原本NAND Flash芯片外加关键零组件Mobile RAM芯片,2015年东芝??新帝阵营将展开大反扑。
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NAND Flash Mobile RAM
- 由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供应量持续增加,造成价格连续两个月下滑,业界预期若三星电子(Samsung Electronics)等业者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生产比重,后续MLC产品价格下滑情况恐将更明显。
根据韩媒DigitalTimes报导,由于USB、硬碟与记忆卡市场进入淡季,加上库存堆积,导致NAND Flash价格走滑,市场供给过剩情况恐持续到农历春节。业界认为目前NAND Flash下滑走势虽大部分是受
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NAND Flash 三星
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