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nano nor flash 文章 最新资讯

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

  • 通过FPGA的多重配置可以有效地精简控制结构的设计,同时可以用逻辑资源较少的FPGA器件实现需要很大资源才能实现的程序。以Virtex5系列开发板和配置存储器SPI FLASH为基础,从硬件电路和软件设计两个方面对多重配置进行分析,给出了多重配置实现的具体步骤,对实现复杂硬件设计工程有一定的参考价值。
  • 关键字: FPGA  Virtex5  FLASH  ICAP  IPROG  寄存器  

提高MSP430G单片机的Flash擦写寿命的方法

  • 在嵌入式设计中,许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据,由于成本原因,某些单片机在芯片内部并没有集 ...
  • 关键字: MSP430G  单片机  Flash  擦写寿命    

马尔文Zetaszier Nano-ZS仪器测量操作程序

  • 一.开机:先打开仪器再开电脑和软件。开机后仪器预热半小时。二.在桌面上点击DTS(Nano)软件,进入仪器测量...
  • 关键字: 马尔文  Zetaszier  Nano-ZS  仪器测量操作  

武汉新芯:定位存储器制造,两年后或推3D NAND

  • 武汉新芯集成电路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起独立经营,是国有制企业。为了区别于本土的制造巨头SMIC(中芯国际)和华力微电子(HLMC)等,XMC将立足存储器制造。近日,武汉新芯董事长王继增告诉笔者。
  • 关键字: XMC  存储器  NOR  NAND  201401  

单片机高手是怎样炼成的

  • 近来在论坛总是见到一些菜鸟们在大叫:“我想学单片机”,“我要学单片机”,“如何入门啊?”,“你们怎么这么厉害,是怎样学的??”等等等等一系列的问题,实在是看多了也感到烦了,今天,就由我电子白菜厚着面皮,顶着无数老虾的砖头,在这里写上一篇单片机学习心得,让菜鸟们勇敢地跨出第一步。
  • 关键字: 单片机  LED  LCD  FLASH  USB  

ARM11 S3C6410系列教程之四:NANDflash操作

  • 在本章开始之前,我们先来看下ARM11S3C6410内部结构:
  • 关键字: ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  

武汉新芯发力3D NOR 欲领衔中国存储半导体业

  •   12月12日,工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)在江苏南京举办以“推动整机与芯片联动,打造集成电路大产业链”为主题的“2013中国集成电路产业促进大会暨第八届‘中国芯’颁奖典礼”。会议期间,受邀采访到来自武汉新芯董事长兼总裁王继增先生。   据了解,武汉新芯集成电路制造有限公司是建国以来湖北省单体投资规模最大的高科技制造项目,是国家认定的首批重点集成电路生产企业。主要采用90纳米及更高工艺技术水平生产12英寸存
  • 关键字: 新芯  NOR  存储半导体  

AVR的主要特性

  • AVR单片机是1997年由ATMEL公司研发出的增强型内置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精简指令集高 ...
  • 关键字: AVR单片机  ATMEL  Flash  

缺少仿真器时avr单片机的开发方法

  • 对FLASH存贮器单片机,不要仿真机也能方便快速地开发程序。具体可以从以下几方面入手: 一、尽量使用高级语言开 ...
  • 关键字: 仿真器时  avr单片机  FLASH  

ARM编程中Flash ROM驱动示例

  • Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64个blocks,4M空间,每个block 64K,第一个64K由8个8*8 ...
  • 关键字: ARM编程  Flash  ROM驱动    

单片机下程序RAM, ROM ,Flash

  • 8K的flash是有8*1024个字节,一条指令可能有1~4个机器码,即1~4个字节,其中1~2机器码的指令使用最为频繁,所以这样 ...
  • 关键字: 单片机  RAM  ROM  Flash    

基于NAND Flash的大容量立体封装芯片在嵌入式系统中的应用

  • 摘要: NAND Flash应用的困难在于管理和需要特殊的系统接口。本文介绍了一种利用MCU存储器管理接口结合I/O口来实现NAND Flash存储结构的搭建和管理的方法,并介绍底层的驱动程序。
  • 关键字: Flash  嵌入式  MCU  存储器  NAND  寄存器  201312  

2014年Flash LED市场走势将呈现M型化

  •   FlashLED在智慧型手机的渗透率已达100%,看准Flash商机,LED业者积极投入Flash市场。2013年FlashLED的规格以驱动电流1000mA、500mA与350mA为主流,业内人士认为,2014年FlashLED市场将呈现M型化发展,高阶规格以驱动电流1000mA所主导,而低阶则会以驱动电流350mA为主。   LEDFlash具有高稳定性、发光角度小、低电压即可驱动、不需要充电与寿命较长等特性,FlashLED已成为智慧型手机标配,以2013年FlashLED市况来看,主流规
  • 关键字: Flash  LED  

国际厂竞抢Flash LED新高地 明年恐见杀价潮

  •   LED产品价格不断下滑,压缩各厂获利空间,厂商除靠压低生产成本外,也持续开发高毛利产品领域以求生存,因此高毛利的FlashLED(闪光灯)成为各厂欲竞逐的市场,除国际大厂PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外,台厂有亿光、新世纪、光宝科等业者,但近期市场传出,韩厂三星将走出过去坚守的4139封装规格,计划加入主流的2016规格战局。随着市场竞争者越来越多,估计FlashLED明年将会见到一波价格下杀潮。   消费者对于智慧型手机要求越来越高,除处理效能要接近电脑外,就连照相功能也向
  • 关键字: Flash  LED  

高容量Flash MCU需求涨

  • 嵌入式系统智能化商机旺 MCU厂升级eFlash制程  微控制器(MCU)厂商在嵌入式快闪记忆体(eFlash)新一轮先进制 ...
  • 关键字: 高容量  Flash  MCU  
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nano nor flash介绍

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