昨天，Spansion举行媒体发布会，推出面向消费电子、通信和工业嵌入式系统的工业级eMMC闪存产品，并向记者介绍了eMMC闪存的市场定位和需求情况。
与其他Spansion产品一样，这次发布的eMMC闪存主要是针对嵌入式客户设计的，这类客户通常对于工作温度范围、数据保护和支持工具有严格的测试和要求，这样让OEM能够更容易地据此设计自己的产品。
据Spansion公司NAND闪存产品营销及业务拓展总监Touhid Raza介绍，eMMC是一种在行业使用比较普遍的存储器标准，而Spansio
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Spansion eMMC NAND
引言
FLASH(闪速存储器)作为一种安全、快速的存储体，具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点，已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。由于FLASH在结构和操作方式上与硬盘、E2ROM等其他存储介质有较大区别，使用FLASH时必须根据其自身特性，对存储系统进行特殊设计，以保证系统的性能达到最优。
FLASH的特点
FLASH是一种非易失性存储器NVM(Non-VolatileMemory)，根据结构的不同可以将其分成NORFLASH和NANDFLASH两种。但不
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FLASH NAND
SK海力士(SK Hynix)为加强攻略次世代储存装置固态硬盘(SSD)市场，将自2015年量产3D NAND Flash。据南韩每日经济报导，SK海力士已完成3D NAND研发作业，将于2015年正式展开销售。
SK海力士将现有的部分NAND Flash产线转换为3D NAND产线投入量产，3D NAND将在南韩清州工厂生产。3D NAND不同于半导体Cell平面展开的传统NAND Flash，而是将Cell垂直堆栈，提升信息处理速度和效能。因半导体微细化已达物理性上限，要如何堆栈并提升产品性
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海力士 SSD eMMC
全球半导体市场第3季，以870亿美元创下史上最高营收纪录，景气持续乐观。其中亚太地区比前年增加12.0%成长最多，南韩业者营收屡创新高，然而日本地区却出现成长衰退迹象。
据Digital Times报导，日前美国半导体产业协会(SIA)宣布，第3季半导体产业全球营收，与前年同期相比成长8.0%，以870亿美元创下史上单季最高纪录。不但比第2季增加5.7%，也高于世界半导体贸易统计组织(WSTS)在7月预测的年度成长值6.5%。
SIA CEO Brian C. Toohey表示，第3季半导
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半导体 DRAM NAND
全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司今日宣布推出面向消费、通信和工业设备市场的工业级e.MMC NAND闪存系列。Spansion的e.MMC NAND闪存提供8GB和16GB存储密度，工作温度范围为-40度到+85度，可满足上述市场对可靠、更高密度存储日益增长的需求。最新推出的Spansione.MMC闪存系列完善了Spansion领先业界的并行和串行NOR闪存以及面向嵌入式应用的SLC NAND闪存产品组合。
Spansione.MMC闪存采用高密度的MLC NA
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Spansion NAND MMC
目前旗舰级手机上常用的存储芯片大都支持eMMC 5.0规范，其理论上最大传输速度可达400MB/s。而据说三星和小米等正准备在下代产品中采用UFS 2.0方案的存储芯片，其理论传输速度高达1.2GB/s。
UFS 2.0使用的是串行界面，很像PATA、SATA的转换。它支持全双工运行，可同时读写操作，期间的电源管理也更高效，此外还支持指令队列。相比之下，eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包的。
上述消息来自韩国媒体ETNews，该媒体表示三星内部人士表示，采用UFS存储芯片的智
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三星 小米 eMMC 5.0
第三季NAND Flash市况在苹果iPhone6/6Plus新机上市备货需求强劲与OEM业者进入出货旺季的带动下，eMMC/eMCP与SSD的成长力道均高于上半年，NAND Flash价格表现也相对稳健，使得第三季NAND Flash品牌供货商营收较上季增加12.2%至85.8亿美元。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，新制程的嵌入式产品自第三季起成为市场主流，有助于各家业者成本结构的改善，而随着苹果第四季iPhone表现持续亮眼以及新产品的问世，整体N
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NAND Flash SSD iPhone6
过去媒体与业界常讲最尖端、先进的半导体技术不会到中国投资，某些国家的政府对于输出特定半导体技术到中国投资都有设定限制，因此过去国际半导体厂在中国投资半导体相关事业，以芯片封装测试厂、8 寸以下晶圆厂为主。不过，这个局面在中国市场打开，中国政府近期又积极招商，宣示要花大笔人民币来买技术、买设备与外资合作建立中国半导体产业的新局后，有了重大改变。
英特尔才刚于 2014 年 9 月 26 日和中国手机芯片厂展讯联合宣布，以 15 亿美元入股紫光集团，持股占比约为 20%。而前身是 AMD 快闪内存事
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AMD Spansion NAND
中芯国际集成电路制造有限公司今日宣布38纳米 NAND 闪存工艺制程已准备就绪，中芯国际凭此成为唯一一家可为客户生产 NAND 产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发，可满足特殊存储器无晶圆厂客户对高质量、低密度 NAND 闪存持续增长的需求，使中芯国际占据该领域的领先地位。
NAND 闪存是近年来发展最为迅速的非易失性存储(NVM)产品。38纳米 NAND 闪存主要面向嵌入式产品、移动计算、物联网(IoT)、电视及机顶盒等多种大需求量的特殊应用领域。客户也可利用此技术带动串行外设接
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中芯国际 NAND
TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新调查报告显示，苹果(Apple) 9月份推出大萤幕尺寸的 iPhone 6 / 6 Plus在全球热销，带动 2014全年 iPhone 销售量提升至1.88支，年成长率高达22%，成功扭转过去一年来iPhone趋缓的销售动能，重新站稳高阶智慧型手机领导厂商的地位;值得注意的是，苹果这次的改变除了将萤幕尺寸从一直坚守的4寸，向上突破至4.7与5.5寸，在储存容量与价格上也开始展现更积极的策略。
DRAMeXchange
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智能手机 NAND
储存型快闪记忆体(NAND Flash)控制晶片厂群联 (8299)董事长潘健成表示，智慧手机市场本季需求不振，主要是受到市场上迷漫观望气氛影响，直到苹果公布iPhone 6系列产品规格之后，其它手机品牌厂出现抢零组件热潮。
他说，10月的急单火红，第4季零组件拉货力道优于本季。
潘健成表示，先前消费者期待iPhone 6上市，导致iPhone 5系列产品，自今年3月起就销售不佳;其它品牌的Android系统也在第2季出现清库存的情况，上游供应商不敢备货、通路商也不愿意拉货囤积库存
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NAND 控制晶片
核心提示：东芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工厂，主持采用更高精度制程NAND Flash厂、第五工厂第二期工程完工典礼，与3D NAND Flash厂、第二工厂新工程动土典礼，象征在NAND Flash市场的积极作为。
东芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工厂，主持采用更高精度制程NAND Flash厂、第五工厂第二期工程完工典礼，与3D NAND Flash厂、第二工厂新工程动土典礼，象征在NAND Flash市场的积极作为。
由于智能型手
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东芝 NAND
虽然规模和技术远远不如TSMC台积电、UMC台联电等代工巨头，不过中芯国际(SMIC)这两年发展的还不错，28nm工艺年初也正式量产了，还从TSMC手中抢到了部分高通处理器订单，现在他们准备进军新的市场领域了——向客户推出38nm工艺的NAND闪存，而且是中芯国际自主研发的技术。
NAND闪存的重要性不必说，目前SSD固态硬盘以及消费电子上所用的存储器多数都是基于NAND闪存，目前全球主要的NAND产能都掌握在三星电子、东芝/闪迪、SK Hynix及Intel、美光合
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中芯国际 NAND
东芝公司今天宣布，该公司在闪存峰会(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND闪存和存储产品。闪存峰会是全球最大的闪存讨论会，于8月5至7日在美国加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉会议中心(Santa Clara Convention Center)举行。
闪存峰会的展览环节在会议的最后两天8月6日和7日举行，东芝在504号展位布展。
主要展品
1、企业级固态硬盘(eSSD)：
企业级读密集型
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东芝 NAND 固态硬盘
全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司今日宣布，来自移动设备、平板电脑和消费类电子产品行业生态系统的300多位领导厂商本周齐聚中国深圳，参加闪迪举办的第二届年度“Future Proof Storage”研讨会。本次活动于8月26日举行，囊括了中国及世界各地极具影响力的领先移动科技公司(包括几乎所有领先芯片组供应商的代表)，共同探讨塑造移动互联市场的新技术、新应用、新趋势和闪存技术演进。Future Proof Storage 研讨会邀请了移动行业中的十几位领导者担任演讲嘉宾
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