- 市场研究机构DIGITIMESResearch专桉经理徐康沛分析指出，全球最大记忆体製造商三星电子(SamsungElectronics)受主要客户苹果(Apple)将NANDFlash大部分订单转予海力士(Hynix)的影响，2011年第四季NANDFlash营收较前季约减少5%，DRAM营收则微增，使NANDFlash佔该公司记忆体营收比重降至38%，佔全球NANDFlash营收比重亦续降至34.6%。
反观海力士，其NANDFlash佔公司营收比重则维持在30%，佔全球NANDFlash营
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三星 NAND
- 利用NAND Flash实现嵌入式系统的远程更新,引言
嵌入式系统在各个领域有着广泛的应用，嵌入式系统的维护与升级也变得日益重要。由于新技术的不断涌现和对系统功能、性能等要求的不断提高，开发者必须能够针对系统进行升级和维护，以延长系统的使用周期，
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系统 远程 更新 嵌入式 实现 NAND Flash 利用
- 1GB 1美元——这很久以来就被视为固态硬盘真正全民普及、成为大众化主流配置的一道门槛，而根据DRAMeXchange的最新报告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的价格买到固态硬盘。20nm、19nm等最新NAND闪存工艺将在今年下半年投入大规模量产，闪存芯片的成本也会进一步降低，每 GB将会不足1美元。DRAMeXchange预计，在那之后超极本、超轻薄本都会从混合硬盘过渡到纯粹的固态硬盘，而后者的主流容量也将升至 128GB。
随着Intel Ivy Bridge处
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固态硬盘 NAND
- NAND闪存存储器的自适应闪存映射层设计,闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的闪存芯片。一个NAND类型的闪存芯片的存储空间是由块(Block)构成，每个块又划分为固定大小的页，块是擦
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闪存 设计 映射 存储器 NAND 适应
- 基于磨损均衡思想的Nand Flash存储管理在TMS320F28x中的实现, Nand Flash作为一种安全、快速的存储体，因其具有体积小、容量大、成本低、掉电数 据不丢失等一系列优点，已逐步取代其它半导体存储元件，成为嵌入式系统中数据存储的主 要载体。尽管Nand Flash的每个单元块相互独
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存储 管理 TMS320F28x 实现 Flash Nand 磨损 均衡 思想
- 据媒体报道，根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新数据，2011年第四季度全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元，环比下滑了8.6%。三星电子依然是该市场的龙头，市场份额达到了34.6%。
集邦科技提供的数据显示，NAND闪存出货环比增长了大约5%，而平均销售价格则环比下滑了13%。集邦科技指出，虽然存储卡和闪存的零售增幅依然缓慢，但是智能手机和平板电脑制造商对闪存的需求依然非常强劲。
集邦科技指出，三星电子
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海力士 NAND
- 外电报导，全球第二大内存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并财报：受内存价格下滑、PC需求趋缓的影响，净损达2,399亿韩元(2.131亿美元)，逊于去年同期的纯益300亿韩元，已连续第2季缴出亏损成绩单;营收年减7.2%至2.55兆韩元;营损达1,675亿韩元，逊于去年同期的营益2,940亿韩元。根据彭博社调查，分析师平均预期Hynix Q4净损将达1,617亿韩元。根据Thomson Reuters调查，分析师原先预期Hynix Q4
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Hynix NAND
- 根据市场研究机构Bernstein Research 公司分析师Toni Sacconaghi 报告指出，苹果公司在上一季买了全球NAND 快闪记忆体出货量的23% ，凭借着这么大的采购量，苹果拿到的成本价格可说是出乎意料之外的低。
Sacconaghi 报告指出，苹果产品在2011 年第四季消耗了容量总数高达14.5 亿GB 的NAND 快闪记忆体;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 为30% 。这么大的量，自然让苹果购买NAND 快闪记忆体有很大的折扣，大约是每GB 价格为0.6
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苹果 NAND
- 日系DRAM厂尔必达(Elpida)身陷财务风暴，近期传出在日本官方作媒下，正与同为日系NAND Flash大厂东芝(Toshiba)洽谈整合事宜。对此东芝和尔必达高层都不予置评。
近期再度传出尔必达与东芝高层就合并及整合密谈协商，且日本政府扮演关键要角。内存业者透露，东芝在发展行动装置上，需要与尔必达Mobile RAM结合，才能打败美韩阵营，双方确实有接触洽谈整合事宜，但东芝对于重返DRAM领域意愿不高，另外，日本政府亦认为，DRAM市场虽萎缩，但技术必须传承，有意促使两大半导体厂整合。
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东芝 NAND
- 力晶在2012年起将会大幅降低标准型DRAM投片量，以最低的产能维持DRAM的技术发展，并于明年起全数转入30nm 4Gb生产，而空出的产能将会以NAND FLASH填补，后续技术发展的重点也转移到NAND 2Xnm的制程微缩。放远未来，力晶仍会保留DRAM技术，待3D-IC以及TSV的技术成熟时，将会以记忆体为中心做芯片组的整合，力图成为大中华地区各技术领域最完整之晶圆厂。
随着力晶正式宣布将产能逐步扩大至Flash产品上，加上原先代工如LCD Driver及非标准型DRAM产品，希望明年标准
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力晶 NAND
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究机构DRAMeXchange调查，因为随身碟与记忆卡市场销售依旧此未见起色，而高容量产品也因为智能型手机与平板计算机销售不如预期而下滑，终端产品销售不佳导致供货商回补库存力道疲弱，连带影响合约价格面临下滑的压力，10月下旬NAND Flash合约价将再下跌约4-8%。
展望NAND Flash后市，集邦科技认为，虽然泰国水患造成的HDD缺货效应使得SSD产品询问度顿时增加，但SSD仍存在着与HHD价差大及SSD机种认证程序尚需2-3个月等问题，因此，预
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NAND SSD
- eMMC为MMCA协会(MultiMediaCard Association,多媒体卡协会)所订立的内嵌式内存标准规格，主要是针对手机产品为主，简化内存的设计，采用多芯片封装(MCP)将NAND Flash芯片和控制芯片包成一颗芯片，eMMC拥有多功能，包括储存以及取代NOR Flash的开机功能，最大的好处是，手机厂商不需要因为NAND Flash供货商或者不同制程世代而重新设计规格，需处理NAND Flash兼容性和管理问题，手机客户只需要采购eMMC芯片，放入手机，不仅缩短新产品的上市周期和研发成本
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浦洛 eMMC PRO-808
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，随着部份系统产品客户自9月起，已开始准备4Q11新机型上市所需的库存回补所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合约价大致维持平盘，虽然记忆卡及UFD通路市场的需求仍然相对平淡，但也已呈现止跌回稳的状况。
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集邦科 NAND 记忆卡
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门 DRAMeXchange 的调查，市场预期 NAND Flash 部份系统产品客户为因应新产品上市库存回补需求，9月份可望逐渐开始回温。因此，8月下旬 NAND Flash 合约价格出大多呈现持平，但记忆卡及U盘(UFD)通路市场的需求仍然相对疲软，所以128Gb TLC合约均价格仍然下跌5%。此外，部份供货商已将部份32Gb MLC的产量转为生产64Gb MLC，故32Gb MLC在市场供给减少下合约均价小涨约3%。
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ultrabook NAND
- 据IHS iSuppli公司的闪存市场报告，由于一家大型厂商的销售额下降，第二季度NAND闪存市场意外下滑。
根据最终数据，第二季度全球NAND销售额为47亿美元，比第一季度的49亿美元下降4.3%。该市场降幅大于预期，主要是因为东芝第二季度销售额锐减了21.4%至14亿美元。东芝是全球第二大NAND生产商，仅次于韩国三星电子。
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IHS iSuppli NAND
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