- 双数据速率(DDR)接口在时钟信号的上升沿和下降沿传送数据，这种方法已经用来实现DDR、SDRAM、微处理器前端总线、Ultra-3 SCSI、AGP总线等的通信链路。在每个周期中，数据在时钟的上升沿和下降沿采样，最高数据传输速率一般是时钟频率的2倍。
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DDR 微处理器 数据传输
- 安捷伦科技公司(NYSE：A)日前宣布为其屡获殊荣的 Infiniium 90000 X 系列示波器增添业界最高性能的混合信号示波器(MSO)功能。安捷伦不但推出了 6 种最新 MSO 型号，同时发布了13-GHz 带宽的DSO 和 DSA 型号，进一步扩展了 X 系列示波器。
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安捷伦 示波器 DDR
- 全球半导体领域在的宏观经济条件不佳下渡过了艰辛的2012年，近期在美国经济成长逐渐获得改善之际，领域在末季看似有了复苏迹象。 虽然12月份全球半导体销售量成功创下久违的连续两个月增长，但依然不足以抵销市场分析员对国内半导体领域的消极看法。
考虑到在全球经济不明朗，对电子产品需求量带来打击下，市场分析员依然谨慎看待我国今年的半导体领域，特别是受大选情绪影响的上半年，而最低薪金制度也相信将进一步箝制国内业者的业绩表现。无论如何，在预计下半年经济大环境获得改善的情况下，国内半导体业者或将随着趋势上演反
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半导体设备 NAND
- 闪存密度越来越高带来的是更大容量的设备，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得减少闪存芯片的面积不可。镁光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND闪存芯片，采用20纳米制程，TLC闪存技术，裸片面积只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。
TLC闪存每单元存储3bit数据，它更高的密度的代价是相对较低的写入速度和较差的耐久力，目前只有三星840系列固态硬盘使用这种技术。
不过镁光也并没有将其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只会用于可移动存储市场，例如SD和USB闪存驱动
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镁光 NAND
- 根据信息与数据分析公司IHS iSuppli发布的最新数据报告，虽然苹果公司对闪存(NAND)需求旺盛，但由于超级本销售仍然低迷，使得全球闪速存储器市场收益下降了7个百分。去年，闪存(NAND)产业收益由2011年的212亿美元下跌至2012年的197亿美元。不过，经过去年的低迷期，今年收益将有所增长，达到224亿美元，并在接下来的几年内持续增长。
具体可参见下表。
“闪 存具备高密度内存，大容量传输的性能。在2012年，苹果iPhone是NAND的
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闪存 NAND
- 据IHS iSuppli Data的闪存市场追踪报告，2012年苹果iPhone是推动NAND闪存消费的最大因素。由于超级本未能实现腾飞，2012年NAND闪存营业收入萎缩。
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苹果 闪存 NAND
- NAND Flash内存设备的读写控制设计,引言
NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Flash因为具有非易失性及可擦除性，在数码相机、手机、个人数字助理( PDA)、掌上电脑、MP3播放器等手持设备中得到广泛的应用。NAND Flash
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控制 设计 读写 设备 Flash 内存 NAND
- “帧像”技术是康佳平板电视在图象显示领域的革命性突破，“帧像”技术的基本原理是在刷新频率为120HZ的屏幕...
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DDR 平板电视 帧像技术
- 摘要 本文章主要涉及到对DDR2和DDR3在设计印制线路板（PCB）时，考虑信号完整性和电源完整性的设计事项，这些是具有相当大的挑战性的。文章重点是讨论在尽可能少的PCB层数，特别是4层板的情况下的相关技术，其中
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DDR3 DDR 800 PCB
- 基于ARM11的Linux NAND FLASH模拟U盘挂载分析,０ 引 言
现阶段嵌入式产品作为Ｕ 盘挂载到ＰＣ机上在各类电子产品中被越来越多的应用，Ｌｉｎｕｘ操作系统在电子产品中的应用也越来越广泛，但是Ｌｉｎｕｘ中模拟Ｕ盘挂载到ＰＣ机中，与ＰＣ机上通用Ｗｉｎｄｏ
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模拟 分析 FLASH NAND ARM11 Linux 基于
- 日本媒体报导，全球第2大NAND型快闪记忆体(FlashMemory)厂商东芝(Toshiba)于21日宣布，因半导体需求回温，故旗下日本半导体工厂将于今年年末的元旦假期期间加班赶工。东芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半导体工厂今年将不停工持续进行生产;大分工厂今年元旦假期期间的停工天数则将自去年的6天减半至3天。
东芝姬路半导体工厂主要生产马达/PC用电源控制晶片、大分工厂主要生产影像感测器及系统整合晶片(SystemLSI)。
东芝于10月31日将今年度(2012年4月-2013年
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Toshiba FlashMemory NAND
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市调机构集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange调查，虽然系统产品年底销售旺季备货高峰期已过，然在NAND Flash原厂持续对于零售市场减量供货的情况下，12月上旬NAND Flash合约价较11月下旬仅小跌1-2%，预估缓跌走势将持续至明年1月份。
集邦表示，SK海力士在12月11日遇到产线短暂跳电，但相关NAND Flash的营运没有受到影响，现货价格虽因此有微幅上涨，但整体需求偏弱格局不变。市场面观察，智慧型手机与平板电脑厂商圣诞假期铺货高峰大多落在11月底与12月初
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SK NAND Flash 手机
- 1 引言在高速信号处理系统中, 需要缓存高速、大量的数据, 存储器的选择与应用已成为系统实现的关键所在。DDR SDRAM是一种高速CMOS、动态随机访问存储器, 它采用双倍数据速率结构来完成高速操作。SDR SDRAM一个时钟周
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Xilinx SDRAM FPGA DDR
- 三星840系列固态硬盘开启了一个新时代，TLC NAND闪存首次用于消费级产品。关于这种闪存的原理、架构技术，以及三星840的性能、可靠性，我们都已经做了比较深入的介绍，今天再来看看TLC闪存本身的寿命问题。
遗憾的是，没有任何厂商公开谈论过TLC闪存的可靠程度，只能猜测编程/擦写循环(P/E)次数大概是1000-1500次(20/25nm MLC大约是3000次)，而且三星不像Intel那样会告诉你具体的闪存写入量，再加上写入放大的缘故，根本无从得知写入了多少数据。
不过还是有个变通方法
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三星 闪存 TLC NAND
- 实现数据的高速大容量存储是数据采集系统中的一项关键技术。本设计采用Altera 公司Cyclone系列的FPGA 完成了对DDR SDRAM 的控制，以状态机来描述对DDR SDRAM 的各种时序操作，设计了DDR SDRAM 的数据与命令接口。用控
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SDRAM FPGA DDR 控制器
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