- 在以往汽车音响的系统设计当中， 一块PCB上的最高时钟频率在30~50MHz已经算是很高了，而现在多数PCB的时钟频率超过100MHz,有的甚至达到了GHz数量级。为此，传统的以网表驱动的串行式设计方法已经不能满足今天的设计要
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DDR PCB 汽车音响 导航系统
- 在高速信号处理系统中，需要缓存高速、大量的数据，存储器的选择与应用已成为系统实现的关键所在。DDR SDRAM是一种高速CMOS、动态随机访问存储器，它采用双倍数据速率结构来完成高速操作。DDR SDRAM一个时钟周期只能传输一个数据位宽的数据，因此在相同的数据总线宽度和工作频率下，DDR SDRAM的总线带宽比DDR SDRAM的总线带宽提高了一倍。
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存储器 DDR SDRAM
- 据媒体报道，根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新数据，2011年第四季度全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元，环比下滑了8.6%。三星电子依然是该市场的龙头，市场份额达到了34.6%。
集邦科技提供的数据显示，NAND闪存出货环比增长了大约5%，而平均销售价格则环比下滑了13%。集邦科技指出，虽然存储卡和闪存的零售增幅依然缓慢，但是智能手机和平板电脑制造商对闪存的需求依然非常强劲。
集邦科技指出，三星电子
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海力士 NAND
- 外电报导，全球第二大内存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并财报：受内存价格下滑、PC需求趋缓的影响，净损达2,399亿韩元(2.131亿美元)，逊于去年同期的纯益300亿韩元，已连续第2季缴出亏损成绩单;营收年减7.2%至2.55兆韩元;营损达1,675亿韩元，逊于去年同期的营益2,940亿韩元。根据彭博社调查，分析师平均预期Hynix Q4净损将达1,617亿韩元。根据Thomson Reuters调查，分析师原先预期Hynix Q4
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Hynix NAND
- 根据市场研究机构Bernstein Research 公司分析师Toni Sacconaghi 报告指出，苹果公司在上一季买了全球NAND 快闪记忆体出货量的23% ，凭借着这么大的采购量，苹果拿到的成本价格可说是出乎意料之外的低。
Sacconaghi 报告指出，苹果产品在2011 年第四季消耗了容量总数高达14.5 亿GB 的NAND 快闪记忆体;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 为30% 。这么大的量，自然让苹果购买NAND 快闪记忆体有很大的折扣，大约是每GB 价格为0.6
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苹果 NAND
- 日系DRAM厂尔必达(Elpida)身陷财务风暴，近期传出在日本官方作媒下，正与同为日系NAND Flash大厂东芝(Toshiba)洽谈整合事宜。对此东芝和尔必达高层都不予置评。
近期再度传出尔必达与东芝高层就合并及整合密谈协商，且日本政府扮演关键要角。内存业者透露，东芝在发展行动装置上，需要与尔必达Mobile RAM结合，才能打败美韩阵营，双方确实有接触洽谈整合事宜，但东芝对于重返DRAM领域意愿不高，另外，日本政府亦认为，DRAM市场虽萎缩，但技术必须传承，有意促使两大半导体厂整合。
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东芝 NAND
- CMOS逻辑系统的功耗主要与时钟频率、系统内各栅极的输入电容以及电源电压有关。器件形体尺寸减小后，电源...
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电源设计 DDR 内存电源
- CMOS 逻辑系统的功耗主要与时钟频率、系统内各栅极的输入电容以及电源电压有关。器件形体尺寸减小后，电源电压也随之降低，从而在栅极层大大降低功耗。这种低电压器件拥有更低的功耗和更高的运行速度，允许系统时钟频
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电源 内存 设计 DDR
- 力晶在2012年起将会大幅降低标准型DRAM投片量，以最低的产能维持DRAM的技术发展，并于明年起全数转入30nm 4Gb生产，而空出的产能将会以NAND FLASH填补，后续技术发展的重点也转移到NAND 2Xnm的制程微缩。放远未来，力晶仍会保留DRAM技术，待3D-IC以及TSV的技术成熟时，将会以记忆体为中心做芯片组的整合，力图成为大中华地区各技术领域最完整之晶圆厂。
随着力晶正式宣布将产能逐步扩大至Flash产品上，加上原先代工如LCD Driver及非标准型DRAM产品，希望明年标准
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力晶 NAND
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究机构DRAMeXchange调查，因为随身碟与记忆卡市场销售依旧此未见起色，而高容量产品也因为智能型手机与平板计算机销售不如预期而下滑，终端产品销售不佳导致供货商回补库存力道疲弱，连带影响合约价格面临下滑的压力，10月下旬NAND Flash合约价将再下跌约4-8%。
展望NAND Flash后市，集邦科技认为，虽然泰国水患造成的HDD缺货效应使得SSD产品询问度顿时增加，但SSD仍存在着与HHD价差大及SSD机种认证程序尚需2-3个月等问题，因此，预
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NAND SSD
- DDR存储器的发展历程 由于几乎在所有要求快速处理大量数据(可能是计算机、服务器或游戏系统)的应用中都要求 ...
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DDR 电源
- 目前广泛使用的计算机内存芯片是DDR(双倍数据率同步动态随机存储器)[1]。它的最新品种DDR3单片容量已经可以...
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DDR 测试
- 使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA系列芯片所提供的MCB，在生成控制模块时设置不同参数，可以轻而易举的实现对不同型号的DDR存储芯片的测试，数据率可高达800Mb/s以上。由于时间利用率比使用计算机主板测试DDR芯片高得多，所以可以极大地节约测试时间。
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Xilinx FPGA DDR 201109
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，随着部份系统产品客户自9月起，已开始准备4Q11新机型上市所需的库存回补所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合约价大致维持平盘，虽然记忆卡及UFD通路市场的需求仍然相对平淡，但也已呈现止跌回稳的状况。
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集邦科 NAND 记忆卡
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