FlashLED在智慧型手机的渗透率已达100%，看准Flash商机，LED业者积极投入Flash市场。2013年FlashLED的规格以驱动电流1000mA、500mA与350mA为主流，业内人士认为，2014年FlashLED市场将呈现M型化发展，高阶规格以驱动电流1000mA所主导，而低阶则会以驱动电流350mA为主。
LEDFlash具有高稳定性、发光角度小、低电压即可驱动、不需要充电与寿命较长等特性，FlashLED已成为智慧型手机标配，以2013年FlashLED市况来看，主流规
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Flash LED
与多年前相比，现在的移动消费电子装置结构复杂，功能丰富，能够存储大量音乐、照片和视频内容。让人欣慰的是，存储...
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NAND 移动设备 大容量存储
LED产品价格不断下滑，压缩各厂获利空间，厂商除靠压低生产成本外，也持续开发高毛利产品领域以求生存，因此高毛利的FlashLED(闪光灯)成为各厂欲竞逐的市场，除国际大厂PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外，台厂有亿光、新世纪、光宝科等业者，但近期市场传出，韩厂三星将走出过去坚守的4139封装规格，计划加入主流的2016规格战局。随着市场竞争者越来越多，估计FlashLED明年将会见到一波价格下杀潮。
消费者对于智慧型手机要求越来越高，除处理效能要接近电脑外，就连照相功能也向
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Flash LED
嵌入式系统智能化商机旺 MCU厂升级eFlash制程 微控制器（MCU）厂商在嵌入式快闪记忆体（eFlash）新一轮先进制 ...
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高容量 Flash MCU
目前的嵌入式系统中， 软件代码一般存储在诸如EEPROM、F lash等存储器中， 但其中存储的程序代码易被读取， 非法 ...
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软件代码保护 EEPROM FLASH
UCGUI设计中汉字字库也是大家最关注的问题之一。主要的问题是在于，使用C文件的字库太大，一个12×12的汉字字库文件有2M以上，一般的控制器内部存储容量是接受不了的。那么让UCGUI使用外部FLASH中的字库就成为大势所趋。接下来介绍如何让UCGUI使用外部FLASH中的字库。
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UCGUI FLASH W25Q64 函数
市调机构集邦科技预期，第4季储存型快闪存储器(NANDFlash)供过于求情况可望趋缓，10月合约价看涨。
集邦科技表示，海力士(Hynix)中国大陆无锡厂发生火灾意外，不仅带动动态随机存取存储器(DRAM)价格飙涨，同时激励9月NANDFlash合约价上涨3%至6%。
集邦科技指出，尽管NANDFlash市场销售并无好转迹象，不过，海力士无锡厂复工情况依然混沌不明，NANDFlash供给将连带受到影响，预期第4季NANDFlash市场供过于求情况可望趋缓。
集邦预期，近期1至2个月
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快闪存储器 NAND
烧写前提：已经把FS2410开发板的S3C2410_BIOS.bin通过JTAG烧到了NOR里面了，这样我们从NOR启动才可以使用US...
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DNW USB uboot nand
本文提出一个基于FPGA的SPI Flash读写硬件实现方案，该方案利用硬件对SPI Flash进行控制，能够非常方便地完成Fl ...
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FPGA SPI Flash 控制器
启动汇编代码 ;********************************************************************* ; 汇编 ...
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Flash SRAM 触发中断
使用LPC2106的Timer 1 进行的简单的中断处理。示例代码中Timer1分为FIQ和IRQ，用户可以从Flash或者SRAM中运行 ...
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Flash SRAM 触发中断
摘要：本文设计了一种利用MCU内部数据Flash存储非易失性数据的方法，它将数据Flash的若干扇区划分为多个数据分区，不同数据分区存储数据在不同历史时间的拷贝，最新数据分区存储最新的数据拷贝;在数据读操作进行时，计算最新数据拷贝的Flash存储位置，直接读取该地址;在数据写操作进行时
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嵌入式 MCU Flash 数据存储 EEPROM 201310
狼、羊、草过河问题(也有叫狼、羊、白菜过河之类的名字)是说：有一人带着一只部分驯化的狼(强调部分驯化是说明，人在场的情况下狼不会吃羊，不然要被指出逻辑漏洞了)、一只山羊和一些草来到河的左岸，欲乘一只很小的船过到河的右岸，每次人只能带其中一个过河，当有人在时，狼、羊、草都不会有事;当无人在时，就不允许狼羊在一起，也不允许羊和草在一起，问应如何过河?
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嵌入式 Flash RAM 缓冲区
编者按：8月初，Spansion宣布两项重大举措：一，完成对富士通微控制器(MCU)和模拟业务的收购;二，签署与XMC(武汉新芯集成电路制造公司)的技术许可协议。可见，Spansion由最大的独立闪存公司变身为多元产品公司，并且加深与中国代工厂的合作。是什么促使Spansion做此决定?Spansion对华战略如何?
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富士通 Spansion MCU NAND 201309
三星电子在存储技术上的领先的确无可匹敌，今天又宣布已经批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”。这年头，3D堆叠已经成了潮流，处理器、内存什么的都要堆起来。
三星的V-NAND单颗芯片容量128Gb(16GB)，内部采用三星独有的垂直单元结构，通过3D CTF电荷捕型获闪存技术、垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列。
三星称，这种新闪存的拓展能力是普通2xnm平面型闪存的两倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且写入性能也可达到1xnm N
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三星 V-NAND
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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