- 静态随机存储器(static RAM)，简称SRAM。在电子设备中，常见的存储器有SRAM(静态随机访问存储器)、FLASH(闪速存储器)、DRAM(动态存储器)等。其中不同的存储器有不同的特性，SRAM无需刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。与SDRAM相比，SRAM不需要时钟信号，即可保持数据不丢失。 1、VDMS16M32芯片介绍 VDSR16M32是一款工作电压3.3V，16Mbit，32位数据总线的立体封装SRAM模
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SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
- 全球市场研究机构TrendForce 旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange 表示，在NAND Flash业者原先对于 2013年第四季终端装置出货过于乐观，导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求，以及SK海力士(Hynix)火灾影响 NAND 产能调配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供应商营收较第三季下滑4.5%，来到61亿6,800万美元。
2013年全年整体市况与供需产销较2012年改善不少，因此第四季营收较 2012年同期增加16%;DRAMeXch
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NAND DRAM
- 本文提出一个基于FPGA的SPI Flash读写硬件实现方案，该方案利用硬件对SPI Flash进行控制，能够非常方便地完成Flash的读写、擦除、刷新及预充电等操作，同时编写的SPI Flash控制器IP核能够进行移植和复用，作为SOC芯片的功能模块。
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FPGA Flash SOC CPU VHDL
- 载荷图像可视化是深空探测任务中的重要需求，但受信道带宽的限制，无法实时传输所有载荷数据，因此星载复接存储器中图像的抽取下传是实现任务可视化的关键。
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存储器 FPGA 载荷图像 VCDU FLASH
- 通过FPGA的多重配置可以有效地精简控制结构的设计，同时可以用逻辑资源较少的FPGA器件实现需要很大资源才能实现的程序。以Virtex5系列开发板和配置存储器SPI FLASH为基础，从硬件电路和软件设计两个方面对多重配置进行分析，给出了多重配置实现的具体步骤，对实现复杂硬件设计工程有一定的参考价值。
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FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器
- 存储器大厂美光扩大委外封装合作，东芝新厂可望今年量产。日月光、力成、南茂、华东等台厂积极布局，今年存储器封测竞争卡位，势必激烈。
展望今年，国际存储器大厂集中资源开发前端制程，包括动态随机存取存储器(DRAM)和快闪存储器(Flash)后段封测可能扩大委外，封测台厂考量自身发展，积极与国际大厂洽商合作。
美光(Micron)去年以20亿美元买下日本存储器大厂尔必达(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率约1倍。
为进一步集成DRAM封测业务，去年下半年美光着手洽商DRAM后段封测
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存储器 NAND
- 武汉新芯集成电路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起独立经营，是国有制企业。为了区别于本土的制造巨头SMIC(中芯国际)和华力微电子(HLMC)等，XMC将立足存储器制造。近日，武汉新芯董事长王继增告诉笔者。
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XMC 存储器 NOR NAND 201401
- 近来在论坛总是见到一些菜鸟们在大叫：“我想学单片机”，“我要学单片机”，“如何入门啊?”，“你们怎么这么厉害，是怎样学的??”等等等等一系列的问题，实在是看多了也感到烦了，今天，就由我电子白菜厚着面皮，顶着无数老虾的砖头，在这里写上一篇单片机学习心得，让菜鸟们勇敢地跨出第一步。
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单片机 LED LCD FLASH USB
- 武汉新芯集成电路制造公司(XMC)是地方政府投资的半导体企业，2006年由湖北省、武汉市、武汉市东湖高新区投资，并由东湖高新区管理的全资国有企业，前几年委托SMIC(中芯国际)经营管理，从2012年底起独立经营。
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XMC 存储器 NAND
- AVR单片机是1997年由ATMEL公司研发出的增强型内置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精简指令集高 ...
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AVR单片机 ATMEL Flash
- 对FLASH存贮器单片机，不要仿真机也能方便快速地开发程序。具体可以从以下几方面入手： 一、尽量使用高级语言开 ...
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仿真器时 avr单片机 FLASH
- Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64个blocks,4M空间,每个block 64K,第一个64K由8个8*8 ...
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ARM编程 Flash ROM驱动
- 8K的flash是有8*1024个字节，一条指令可能有1~4个机器码，即1~4个字节，其中1~2机器码的指令使用最为频繁，所以这样 ...
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单片机 RAM ROM Flash
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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