- 东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块(e·MMC)，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。同时该模块符合最新的e·MMC™[1]标准，旨在应用于智能手机、平板电脑和数字摄像机等广泛的数字消费品。批量生产将从11月底开始。
- 关键字：
东芝 嵌入式 NAND
- 摘要: NAND Flash应用的困难在于管理和需要特殊的系统接口。本文介绍了一种利用MCU存储器管理接口结合I/O口来实现NAND Flash存储结构的搭建和管理的方法，并介绍底层的驱动程序。
- 关键字：
Flash 嵌入式 MCU 存储器 NAND 寄存器 201312
- 全球整合式芯片解决方案的领导厂商美满电子科技(Marvell，纳斯达克代码：MRVL)日前宣布，其完备的整合式芯片与软件定义解决方案组合将继续加速实现全球消费者和企业的“美满互联生活(Connected Lifestyle)”。当前，Marvell拥有丰富的端到端存储、网络、计算、移动和联网解决方案，在行业中占据着独一无二的领导地位。
- 关键字：
Marvell 固态硬盘 NAND
- FlashLED在智慧型手机的渗透率已达100%，看准Flash商机，LED业者积极投入Flash市场。2013年FlashLED的规格以驱动电流1000mA、500mA与350mA为主流，业内人士认为，2014年FlashLED市场将呈现M型化发展，高阶规格以驱动电流1000mA所主导，而低阶则会以驱动电流350mA为主。
LEDFlash具有高稳定性、发光角度小、低电压即可驱动、不需要充电与寿命较长等特性，FlashLED已成为智慧型手机标配，以2013年FlashLED市况来看，主流规
- 关键字：
Flash LED
- 与多年前相比，现在的移动消费电子装置结构复杂，功能丰富，能够存储大量音乐、照片和视频内容。让人欣慰的是，存储...
- 关键字：
NAND 移动设备 大容量存储
- LED产品价格不断下滑，压缩各厂获利空间，厂商除靠压低生产成本外，也持续开发高毛利产品领域以求生存，因此高毛利的FlashLED(闪光灯)成为各厂欲竞逐的市场，除国际大厂PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外，台厂有亿光、新世纪、光宝科等业者，但近期市场传出，韩厂三星将走出过去坚守的4139封装规格，计划加入主流的2016规格战局。随着市场竞争者越来越多，估计FlashLED明年将会见到一波价格下杀潮。
消费者对于智慧型手机要求越来越高，除处理效能要接近电脑外，就连照相功能也向
- 关键字：
Flash LED
- 嵌入式系统智能化商机旺 MCU厂升级eFlash制程 微控制器（MCU）厂商在嵌入式快闪记忆体（eFlash）新一轮先进制 ...
- 关键字：
高容量 Flash MCU
- 目前的嵌入式系统中， 软件代码一般存储在诸如EEPROM、F lash等存储器中， 但其中存储的程序代码易被读取， 非法 ...
- 关键字：
软件代码保护 EEPROM FLASH
- UCGUI设计中汉字字库也是大家最关注的问题之一。主要的问题是在于，使用C文件的字库太大，一个12×12的汉字字库文件有2M以上，一般的控制器内部存储容量是接受不了的。那么让UCGUI使用外部FLASH中的字库就成为大势所趋。接下来介绍如何让UCGUI使用外部FLASH中的字库。
- 关键字：
UCGUI FLASH W25Q64 函数
- 市调机构集邦科技预期，第4季储存型快闪存储器(NANDFlash)供过于求情况可望趋缓，10月合约价看涨。
集邦科技表示，海力士(Hynix)中国大陆无锡厂发生火灾意外，不仅带动动态随机存取存储器(DRAM)价格飙涨，同时激励9月NANDFlash合约价上涨3%至6%。
集邦科技指出，尽管NANDFlash市场销售并无好转迹象，不过，海力士无锡厂复工情况依然混沌不明，NANDFlash供给将连带受到影响，预期第4季NANDFlash市场供过于求情况可望趋缓。
集邦预期，近期1至2个月
- 关键字：
快闪存储器 NAND
- 烧写前提：已经把FS2410开发板的S3C2410_BIOS.bin通过JTAG烧到了NOR里面了，这样我们从NOR启动才可以使用US...
- 关键字：
DNW USB uboot nand
- 本文提出一个基于FPGA的SPI Flash读写硬件实现方案，该方案利用硬件对SPI Flash进行控制，能够非常方便地完成Fl ...
- 关键字：
FPGA SPI Flash 控制器
- 启动汇编代码 ;********************************************************************* ; 汇编 ...
- 关键字：
Flash SRAM 触发中断
- 使用LPC2106的Timer 1 进行的简单的中断处理。示例代码中Timer1分为FIQ和IRQ，用户可以从Flash或者SRAM中运行 ...
- 关键字：
Flash SRAM 触发中断
- 摘要：本文设计了一种利用MCU内部数据Flash存储非易失性数据的方法，它将数据Flash的若干扇区划分为多个数据分区，不同数据分区存储数据在不同历史时间的拷贝，最新数据分区存储最新的数据拷贝;在数据读操作进行时，计算最新数据拷贝的Flash存储位置，直接读取该地址;在数据写操作进行时
- 关键字：
嵌入式 MCU Flash 数据存储 EEPROM 201310
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
