TDK公司日前宣布开发出兼容串行ATA (SATA) II的NAND闪存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并计划于五月份开始销售。
TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率达95MB/S的高速访问。该产品支持2KB/页和4KB/页结构的SLC(单层单元)内存以及MLC(多层单元)NAND闪存，可用于制造容量为128MB至64GB的高速SATA存储。因而，GBDriver RS2可广泛用于各种应用领域，从SATADOM1及其他的嵌入式存储器，到视听设
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TDK NAND
在面临破产威胁之际，许多内存供应商为了维护自己的形象，纷纷强调潜在的市场复苏，试图向外界描绘出一幅比较乐观的图景。但是，虽然预计总体内存芯片价格将在2009年剩余时间内趋于稳定，但iSuppli公司认为，这些厂商不会在近期真正恢复需求与获利能力。
继第一季度全球DRAM与NAND闪存营业收入比去年第四季度下降14.3%之后，这些产品市场将在今年剩余时间内增长。第二季度DRAM与NAND闪存营业收入合计将增长3.6%，第三和第四季度分别增长21.9%和17.5%。
图4所示为iSuppli公
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iSuppli NAND DRAM
针对NAND闪存产业，研究机构集邦科技最新研究报告指出，三星可望稳居今年全球市占率龙头宝座，而海力士则因大幅减产，市场占有率恐将下滑剩下10%，落居第5名。
集邦科技根据各NAND Flash供货商目前的制程技术、产能、营运状况分析指出，三星因拥有较大产能，同时制程持续转往42纳米及3x纳米，预期今年市占率 40%以上居冠，日本东芝与美商SanDisk联盟的产能利用率略降，但制程技术也将转往 43纳米及32纳米，预期东芝今年的市场占有率约在30%以上居次。
集邦科技表示，市场占有率第三和第
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海力士 NAND 晶圆
恒忆近日宣布公司正在扩展其主流NOR闪存产品线，其中包括恒忆™ Axcell™ M29F闪存产品。此器件工作电压为5伏，非常适合汽车和嵌入式应用。该款NOR闪存的密度为16Mb、8 Mb、4 Mb及2 Mb，具有快速存储执行、灵活及稳定等特性，适合于汽车、军工、工厂自动化及航天应用。
汽车及嵌入式应用需要高质量、高可靠性及高稳定性的器件供给——有些要求达5年，或甚至更长。然而，大多数存储器供应商趋于最新更新的技术，这些关键产品生产通常会断断续续，这
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Numonyx 嵌入式 闪存
4月15日消息 据韩国媒体报道 苹果最近向韩国三星电子与海力士两家公司下单，要求供应7000万颗NAND型闪存芯片，用于生产iPhone和iPod。此次订单较去年大涨了八成，引发苹果可能推出新一代iPhone的联想
韩国时报指出，有可靠的消息来源透露“三星电子被要求供应5000万颗8Gb的NAND型闪存芯片给苹果，而海力士也将供应2000万颗。”
部分分析师认为，苹果这次大规模订单，将刺激韩国芯片厂商业绩，同时，也有助于全球芯片产业早日复苏。
分析师还指出，N
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三星 NAND 芯片
由于全球性金融危机，很多公司正经历前所未有的艰难时期。恒亿(Numonyx)2008年5月成立，前身是Intel和ST的内存部门。公司自成立之初，就成为全球三大闪存供应商之一，最大的无线通信MCP(多芯片封装，可融合多种内存技术)供应商。迄今为止，恒亿财务状况良好，2008年4季度速动比率*达到2以上，在同行中居领先地位。
Edward Doller 恒亿CTO兼副总裁
恒亿的策略是给客户提供一套完整的解决方案，包括NOR、NAND、RAM和新一代存储技术——PCM
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Numonyx MCP 闪存
IBM的技术专家Geoff Burr曾说过，如果数据中心的占地空间象足球场那么大，而且还要配备自己的发电厂的话，那将是每一位首席信息官最害怕的噩梦。然而，如果首席信息官们现在不定好计划将他们的数据中心迁移到固态技术平台的话，那么10年以后他们就会陷入那样的噩梦之中。
这并非危言耸听，过去的解决方案现在已经显露出存储性能和容量不足的现象，这就是最好的证明。以前，如果需要更多的性能或容量，企业只需在数据中心添加更多的传统硬盘就可以了，而且那样做也很方便。现在，Geoff Burr在2008年发表的一
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IBM NAND 固态存储
闪速存储器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等诸多优点广泛地应用于办公设备、通信设备、医疗设备、家用电器等领域。利用其信息非易失性和可以在线更新数据参数特性，可将其作为具有一定灵活性的只
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关键 技术 程序设计 接口 硬件 存储器 闪速存储器 闪存 接口 CF 单片机
美国明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球领先的半导体制造晶圆加工、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司(纳斯达克：FSII)今日宣布：一家主要的存储器制造商将FSI 带有独特ViPR™全湿法无灰化清洗技术的ZETA®清洗系统扩展到NAND闪存生产中。许多器件制造商对采用FSI的ZETA ViPR技术在自对准多晶硅化物形成过程所带来的益处非常了解。该IC制造商就这一机台在先进的NAND制造中可免除灰化引发损害的全湿法光刻胶去除能力进行了评估。客户
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FSI NAND 存储器
全球领先的半导体制造晶圆加工、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司(纳斯达克：FSII)日前宣布：一家主要的存储器制造商将FSI 带有独特ViPR全湿法无灰化清洗技术的ZETA清洗系统扩展到NAND闪存生产中。许多器件制造商对采用FSI的ZETA ViPR技术在自对准多晶硅化物形成过程所带来的益处非常了解。该IC制造商就这一机台在先进的NAND制造中可免除灰化引发损害的全湿法光刻胶去除能力进行了评估。客户对制造过程中无灰化光刻胶剥离法、实现用一步工艺替代灰化-清洗两步工艺的机台能力给予肯定。除了
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FSI 半导体 NAND
3月21日消息，内存厂商预计Windows 7的将推动NAND闪存芯片的需求，因为这种新的操作系统为利用固态硬盘进行了优化。在当前的市场不确定的情况下，优化固态硬盘以便适应Windows 7已经成为固态硬盘厂商和笔记本电脑厂商的重点。
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闪存 NAND 芯片
2009年3月5日，北京讯，第十四界国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China)作为中国最具影响力的电子行业盛会于3月5日在北京隆重开幕。恒忆（Numonyx）的首席技术官兼副总裁Edward Doller在大会上发表了重要主题演讲，解读存储产业的不断演进和目前所面临的挑战，并分享了恒忆在闪存领域的最新技术突破，以及当前在全球经济危机下，公司如何保持持续领先的应对策略。
由于全球性金融危机，2008年对于很多公司都是不平凡的一年。大浪淘沙，在这种困难时期，恒忆公司凭借其先进的解决方案，
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Numonyx 闪存 IIC-China
金融危机下的消费疲软引致芯片需求减弱、价格下跌。2009年的春天，对内存厂商来说无疑是个严冬。此前，芯片巨头德国英飞凌旗下奇梦达公司申请破产保护，引发内存界动荡；紧接着又传出全球排名前十的芯片厂，中国台湾茂德科技也将倒闭，有消息称台湾当局已放弃为茂德科技注资挽救。
内存业的悲剧还在继续上演。前日，全球最大NOR闪存芯片商美国飞索公司（
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Spansion 闪存 金融危机 破产
飞索的今天，其实在当初AMD将其剥离的时候，就可以预见。闪存此前的优势体现在工艺和制造技术上，目前早已不占优势。
继英特尔关厂、裁员、将核心业务外包，奇梦达破产之后，脱胎于芯片巨头超威半导体公司 (AMD)的NOR闪存头号公司——飞索半导体(Spansion)也在日前正式在其发端地美国提出破产保护申请。
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飞索 闪存
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