- 据国外媒体报道，正准备抢攻快速成长上网本市场的SanDisk，在周二台北电脑展上发布了新款闪存产品。
SanDisk此次推出SDHC闪存记忆卡，以及固态硬盘PSSD，共P2及S2两款产品。SanDisk的竞争对手包括美光、三星电子、海力士等。
SanDisk公司所推出的固态硬盘，特别适合用于以ARM微处理器为核心的上网本，不过SanDisk高管指出，该产品也可以用在以英特尔Atom为核心的系统。固态硬盘是使用闪存作为储存媒介，耗电量较传统硬盘低。
SanDisk认为，闪存芯片速度更快
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SanDisk 闪存 固态硬盘
- 全球非易失性存储领先厂商恒忆(Numonyx)宣布任命龚翊(Grace Gong)为恒忆亚洲区嵌入式业务部副总裁。在加入恒忆前龚翊任飞索半导体(Spansion)嵌入式事业部亚洲区副总裁，龚翊的加入将为恒忆带来更多针对亚洲嵌入式市场的经验。作为副总裁，她将负责恒忆亚洲区嵌入式产品的销售与业务管理，带领团队为亚洲客户和合作伙伴提供更完善的服务与支持。
“亚洲在全球嵌入式产品市场具有重要的战略地位，恒忆致力于提供相关产品与技术支持，以满足嵌入式市场的需求”，恒忆全球嵌入式业务
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Numonyx 嵌入式 NOR NAND PCM
- 科学家们日前研制出一种新型存储设备,其最大特点是存储容量大,保存时间久.
这种新型存储设备其实就是铁颗粒被密封在中空的纳米管内,通过铁颗粒在纳米管内来回穿梭作为一种有效的存储方式.研究人员表示,这种存储设备每平方英寸可 存储1TB(1000G)数据,较当前存储技术更为有效.此外,新设备的数据保存时间更持久,可长达10亿年,甚至更久.
相比之下,当前的存储技术根本无法将数据保持如此之久.例如,普通的闪存技术只能保存数据3至5年.
写在羊皮纸上的《末日手记》(Doomsday Book)
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存储 闪存 纳米管
- 据国外媒体报道，三星电子周三宣布，以更低的许可价格，与美国芯片生产商SanDisk续签了7年的NAND闪存技术许可协议，不过协议规定三星必须向SanDisk供应芯片。
三星在提交给韩国证交所的文件中称，由于协议是2家公司内部签署的，无法透露所有信息，但可以透露的是，许可费将是当前协议的1半左右。SanDisk公司董事长和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，对于今天宣布的协议我们感到非常满意，此外，继续获得三星闪存芯片可使我们在控制资本支出上拥有更大的灵活性。
新协
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三星 NAND 闪存
- 近期刚宣布将在2010年制成64Gbit非易失电阻式RAM的美国Unity Semiconductor公司计划找一家IDM合作建厂来制造该产品。
Intel和Micron的NAND闪存合资公司——IM Flash是潜在合作伙伴之一，尽管Unity更倾向于将工厂建在亚洲，因为该存储产品需用到钙钛矿。
据悉，建该工厂和一座先进逻辑晶圆厂相比要便宜一些。IM Flash显然是一家理想的合作伙伴。Unity公司总裁兼CEO Darrel Rinerson在Micron度过了
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Intel NAND 晶圆
- NAND Flash经历2个月价格狂飙后，近期市场买气一夕转淡，记忆体模组厂纷因库存急增，开始出现惊慌失措。模组厂表示，3、4月NAND Flash涨价时，通路商一度担心会缺货，因而囤积不少库存，然5月NAND Flash市场却出乎意外地很快冷却下来，由于消费者需求不振，导致中间通路商手上库存整个塞住，并造成16Gb产品现货价跌破4美元心理关卡，合约价涨势亦熄火，模组厂5月同时面临NAND Flash和DRAM需求不振，恐将反应在营收表现上。
模组厂表示，2009年第1季NAND Flash市场
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- 消息称,闪存产品厂商SanDisk首席执行官埃利·哈拉里(Eli Harari)表示,未来5年后摩尔定律将会失效.
摩尔定律是英特尔联合创始人戈登·摩尔(Gordon Moore)1965年提出的,内容是:芯片上集成的晶体管数量每两年将翻一番.哈拉里说,闪存容量在过去19年中翻了14番,远高于摩尔定律,但闪存芯片容量可能还只能再翻两番.
哈拉里表示,闪存芯片容量将受限于每个存储单元的电子数量.最初,每个存储单元的电子数量数以百万计,现在已经减少到了数百个.哈拉里
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SanDisk 闪存 摩尔定律
- 美国硅谷一家公司19日宣布开发出一种新技术，并计划利用它来制造比闪存容量更大、读写速度更快的新型存储器。
这家名为“统一半导体”的公司发布新闻公报说，新型存储器的单位存储密度有望达到现有NAND型闪存芯片的4倍，存储数据的速度有可能达到后者的5倍到10倍。
NAND型闪存因为存储容量大等特点，目前在数码产品中应用比较广泛。但也有一些专家认为，NAND型闪存未来可能遭遇物理极限，容量将无法再进一步提高。“统一半导体”表示，其制造的新型存储器旨在
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- 经历了2月35%的大裁员、Spansion Japan申请破产保护，以及易帅风波之后，Spansion发布了截至到2009年3月29日的第一财季财报。
好消息是第一季度的闪存市场具有一个相对稳定的价格环境，Spansion第一季度净销售额为4亿美元。由于公司管理层实行积极举措来降低成本，第一季度非GAAP运营总费用为1.12亿美元，其中包括1300万美元的重建费用，比2008年第一季度减少了约43%。净亏损为1.12亿美元，与2008年同期相比降低了800万美元。截止至2009年第一季度，Spa
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- 三星电子宣布已开始出货32GBmoviNAND，这种高密度嵌入式闪存卡采用了先进的30nm工艺，适用于高端手机和其他移动消费电子设备。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND闪存芯片和30nm制造工艺，其存储密度是当前40nm16Gb的两倍。
每一个32GB moviNAND都有三部分组成，其一是八颗30nm32GbNAND闪存芯片;其二是一个MMC控制器，符合最新eMMCv4.3规范，支持缩短启动时间的加电启动功能和降低功耗的休眠命令;其三是一个固件，能够改善处理、存储大容量数据
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- 全球最大的存储芯片制造商--韩国三星电子公司11日预计，由于全球经济形势恶化，2009年对于芯片商而言是艰难的一年。
据道琼斯新闻网报道，三星电子公司半导体业务总裁权五铉当天对投资者说，很难预测全球芯片市场何时回暖。他说，随着企业压缩信息技术产品开支以及消费者收紧“腰包”，今年以来全球个人电脑和手机市场需求正在持续萎缩。
不过，他指出，今年三星公司的存储芯片出货量仍将继续增加，预计今年该公司DRAM芯片的出货量最高将增加15%，NAND闪存芯片出货量最高将增加30%
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三星 NAND 存储芯片
- 恒忆半导体(Numonyx)、群联电子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司签署一份合作开发协议，三方将按照JEDEC新发布的JEDEC eMMC™ 4.4产业标准，为下一代managed-NAND解决方案开发闪存控制器。 预计此项合作将加快当前业内最先进的eMMC标准的推广，有助于管理和简化大容量存储需求，提高无线设备和嵌入式应用的整个系统级性能。
根据这项协议，恒忆、群联电子和海力士将利用各自的技术，开发能够支持各种NAND闪存
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- 《华尔街日报》撰文称，从上周末三星和海力士发布的财报可以看出，内存芯片行业似乎已经触底，这对整个半导体行业来说是一个积极的信号。
虽然内存芯片行业收入只占全球半导体行业2600亿美元总收入的14%，但作为使用广泛的芯片，其地位类似芯片行业中的日用商品，很难与其他芯片部门区分开来，因此是芯片行业整体表现的主要指标。内存行业下滑开始于2007年初，随后芯片行业在2008年就开始了全面衰退。
上周五，两家全球最大的内存芯片商三星电子和海力士都在发布第一季度报告时称，与芯片有关的亏损低于上年同期。
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海力士 NAND 内存
- 东芝昨天宣布，于业界首家开始出货32nm工艺NAND闪存颗粒。其中，全球首颗32nm工艺32Gb(4GB)NAND单芯片样品即日起出货，主流容量16Gb(2GB)颗粒样品将于今年7月推出。东芝表示，首批32nm NAND闪存将主要用于存储卡和USB存储设备，未来会扩展到嵌入式产品领域。
目前，东芝是全球领先的32GB闪存供应商，使用8颗43nm工艺32Gb颗粒堆叠而成。而32nm工艺的应用将进一步提高生产效率，减小芯片体积，适应更高容量，更小巧的掌上产品需求。
东芝的32nm工艺32Gb
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东芝 纳米 闪存
- 在面临破产威胁之际，许多内存供应商为了维护自己的形象，纷纷强调潜在的市场复苏，试图向外界描绘出一幅比较乐观的图景。但是，虽然预计总体内存芯片价格将在2009年剩余时间内趋于稳定，但iSuppli公司认为，这些厂商不会在近期真正恢复需求与获利能力。 继
在面临破产威胁之际，许多内存供应商为了维护自己的形象，纷纷强调潜在的市场复苏，试图向外界描绘出一幅比较乐观的图景。但是，虽然预计总体内存芯片价格将在2009年剩余时间内趋于稳定，但iSuppli公司认为，这些厂商不会在近期真正恢复需求与获利能力。
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