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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术
- 3 月 27 日消息,据荷兰媒体 Bits&Chips 报道,ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术,运行效率得以提升。根据IT之家之前报道,NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装,可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量,相较以往机型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技术 High-NA(高数值孔径) EUV 采用了更宽的光锥,这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽,会导致影响晶圆吞吐量的光损失。
- 关键字: ASM NXE:3800E EUV 光刻机 High-NA
英特尔拿下首套High-NA EUV,台积电如何应对?
- 英特尔(intel)近日宣布,已经接收市场首套具有0.55数值孔径(High-NA)的ASML极紫外(EUV)光刻机,预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。 相较之下,台积电则采取更加谨慎的策略,业界预计台积电可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。业界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,这也是台积电暂时观望的原因,台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术,以确保产品竞争力。Hig
- 关键字: 英特尔 High-NA EUV 台积电
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