- 2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET 功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。
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Vishay MOSFET
- 闭锁继电器在给线圈一个短电压脉冲时，会改变自己的状态。由于这些继电器不需要连续的线圈电流来保持状态...
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MOSFET 继电器 驱动器
- 由分立器件组成的驱动电路((如图所示)，驱动电路工作原理如下： A.当HS为高电平时，Q7、Q4导通，Q6关闭，电容C4上的电压(约14V)经过Q4、D3、R6加到Q5的栅极，使Q5导通。在导通期间，Q5的源极电压(Phase)接近电源电
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电路设计 驱动 MOSFET 常见
- Sept. 21, 2011 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)持续为简化及加快计算平台设计而扩充其产品系列。
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安森美 半导体 MOSFET
- 美国加利福尼亚州圣何塞，2011年9月14日讯 – 用于高能效功率转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新的HiperLCS系列高压LLC电源IC，新器件将控制器、高压端和低压端驱动器以及两个MOSFET同时集成到了一个低成本封装中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的设计灵活性，既可提升效率（最高效率可超过97%），又可缩小尺寸，即利用高频工作（最高达750 kHz）来减小变压器的尺寸和输出电容的占板面积。
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Power Integrations MOSFET HiperLCS器件
- 电动自行车具有环保节能，价格合适，无噪声，便利等特点，因此，电动自行车成为当今社会人们主要的代步工具。与此同时，消费者和商家对整车的质量及可靠性要求也越来越高。作为整车四大件之一的控制器的可靠性显得尤
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- 许多汽车制造商设计了一种节省汽车燃料的巧妙方法，就是运用了被称为“启动/停止”系统的新概念。该系统...
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MOSFET 引擎 离合器
- 新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。 便携式产品(如手机、数码照相机、
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比较 MOSFET 晶体管 双极结 VCEsat
- 摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC-DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。
关键词：全桥移相控制器L345046；28个PIN脚功能
1 LM
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控制器 -LM5046 全桥移 驱动器 MOSFET 集成
- 随着个人计算机行业向着工作电流为200A的1V核心电压推进，为了满足那些需求，并为该市场提供量身定制新型器件所需要的方法，半导体行业正遭受着巨大的压力。过去，MOSFET设计工程师只要逐渐完善其性能就能满足市场的
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MOSFET 高精度 设计技巧
- 全新沟道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面贴装器件 (SMD) 封装，电压范围从 40V 至 200V。标准和逻辑电平栅级驱动 MOSFET 都为 IR 车用塑料封装 MOSFET 产品系列设定了导通电阻性能新标准。基准导通电阻在 40V 下最大为 1.25 毫欧，60V 下最大为2.1 毫欧，75V 下为 2.6 毫欧，100V 下为 4.0 毫欧。在 D2Pak-7P 封装中许多器件的最大额定电流达 240A。
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IR MOSFET
- 为了减轻对环境的影响，最新的电子设备急需高效率化，并且对其中配备的电机、LED等功率器件的控制也逐渐形成用微处理器/DSP等来控制的趋势（软件控制）。因此，电子设计工程师除了需要微处理器/DSP的知识之外，关于功率器件的驱动知识也是必不可少。
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新日本无线 MOSFET 驱动器NJW4800
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制，以及内燃机 (ICE) 和混合动力汽车平台上的其它重载应用。
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IR MOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。
新推出的器件系列采用多种标准封装，电流范围为50A至180A，囊括30多个器件型号，其中包括通态电阻最低的车用P沟道40V MOSFET。180A是P沟道工艺的基准。
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英飞凌 汽车电源 MOSFET
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