- 虽然规模和技术远远不如TSMC台积电、UMC台联电等代工巨头，不过中芯国际(SMIC)这两年发展的还不错，28nm工艺年初也正式量产了，还从TSMC手中抢到了部分高通处理器订单，现在他们准备进军新的市场领域了——向客户推出38nm工艺的NAND闪存，而且是中芯国际自主研发的技术。
NAND闪存的重要性不必说，目前SSD固态硬盘以及消费电子上所用的存储器多数都是基于NAND闪存，目前全球主要的NAND产能都掌握在三星电子、东芝/闪迪、SK Hynix及Intel、美光合
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中芯国际 NAND
- 东芝公司今天宣布，该公司在闪存峰会(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND闪存和存储产品。闪存峰会是全球最大的闪存讨论会，于8月5至7日在美国加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉会议中心(Santa Clara Convention Center)举行。
闪存峰会的展览环节在会议的最后两天8月6日和7日举行，东芝在504号展位布展。
主要展品
1、企业级固态硬盘(eSSD)：
企业级读密集型
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东芝 NAND 固态硬盘
- 全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司今日宣布，来自移动设备、平板电脑和消费类电子产品行业生态系统的300多位领导厂商本周齐聚中国深圳，参加闪迪举办的第二届年度“Future Proof Storage”研讨会。本次活动于8月26日举行，囊括了中国及世界各地极具影响力的领先移动科技公司(包括几乎所有领先芯片组供应商的代表)，共同探讨塑造移动互联市场的新技术、新应用、新趋势和闪存技术演进。Future Proof Storage 研讨会邀请了移动行业中的十几位领导者担任演讲嘉宾
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闪迪 智能手机 NAND
- TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，由于智能手机、平板电脑等移动装置需求稳健增长，固态硬盘在笔记本电脑以及服务器与数据中心的需求增加，而物联网应用也将逐渐导入NANDFlash，2015年NANDFlash整体产业规模将提升至266亿美元，年增长9%。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，2014年NANDFlash需求位增长率为36%，在更多元化的产品开始导入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增长率将依旧有35%。市场趋势观察的重
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NAND Flash 穿戴性装置
- 今年第二季NANDFlash品牌供货商营收达76.49亿美元，季成长5.6%，随着智能手机与平板电脑等进入出货旺季，仍可望提升NANDFlash下半年的市场表现。
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Intel NAND
- 全球NANDFlash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求，预估NANDFlash今年底报价将较去年跌掉三成，且跌势恐将一直延续至2018年。
市调机构IHSiSuppli最新报告预测，NANDFlash今年底报价将跌至0.49美元每GB，远低于去年的0.71美元，预估2018年将进一步跌至0.14美元，其间年复合成长率为负的28%。
NANDFlash产出过多是导致价格崩跌的主因，若以1GB等量单位计算，IHSiSuppl估计，2018年NANDFlash产出将自2013年的
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东芝 NAND
- 并非所有的嵌入式应用都“生而平等”。在设计者们继续寻求途径改善用户体验和性能等方面的过程中，一个必须考虑的重要因素是嵌入式应用的运行环境。从北极地区冰冷刺骨的户外天线，到美国德州油气公司极度炙热的井下钻机，嵌入式应用所需支持的环境千差万别。嵌入式系统及其组件不仅须支持高温环境下功能运作，还必须保持其交流和直流参数以及其它规格要求。如果在极端温度范围内无法满足所有规格要求，必须做出得失权衡，就必须记录下这一信息，并在设计过程中进行共享。在汽车、消费、工业、游戏、网络或通信应用中，
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Spansion NAND FL1-K
- 全球整合式芯片解决方案的领导厂商美满电子科技(Marvell，纳斯达克代码：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。这款业界领先的产品采用了Marvell第三代NANDEdge™ 纠错、低密度奇偶校验(LDPC)技术，使消费类及企业级SSD便于采用15nm TLC NAND闪存。先进的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器显著降低了存储系统的总体成本，功耗更低，并提供无与伦比的性能。 Marvell公司总裁、联合创始人
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Marvell 控制器 NAND
- 科研投资
日本资深专业人士泉谷涉还说：2012年日本国内半导体产值约5万亿日元，占GDP的5%，但它对应用半导体的服务业、硬件业以及通过IT业以提高生产力的下游产业来计算，半导体产生的经济效益约为100万亿日元 ，两者之比达到1：20，如此给力，谁不动心?!但是，半导体业又一向被称为“食金虫”产业，没有国家的大力支持，没有生产设备和科研经费的巨大投入，那是美梦难圆的。
半导体设备投资也是引导世界经济增长的要素之一，它每年投资计划的发表还常关联到生产设备、材料公司的股
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半导体 NAND IC 201405
- 智慧之石 作为电子工业发展基础的电子器件，已经历了三个巨大变革时代：1. 电子管时代――1905～1947(42年);2. 晶体管时代――1947～1958(11年);3. 集成电路时代――1958～…(到2014年已有56年)。 电子管的发明拉开了电子时代的序幕，为当时蓬勃发展的无线电报事业提供了核心器件，在它存在的40多年的时间里，推动了收音机、电视机、雷达、计算机的发明和应用。美国是电子工业发展的代表，1920年即开始广播，也是30年代最早开始电视广播的国家之一
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NAND DRAM PC 201404
- 全球市场研究机构TrendForce 旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange 表示，在NAND Flash业者原先对于 2013年第四季终端装置出货过于乐观，导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求，以及SK海力士(Hynix)火灾影响 NAND 产能调配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供应商营收较第三季下滑4.5%，来到61亿6,800万美元。
2013年全年整体市况与供需产销较2012年改善不少，因此第四季营收较 2012年同期增加16%;DRAMeXch
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NAND DRAM
- 存储器大厂美光扩大委外封装合作，东芝新厂可望今年量产。日月光、力成、南茂、华东等台厂积极布局，今年存储器封测竞争卡位，势必激烈。
展望今年，国际存储器大厂集中资源开发前端制程，包括动态随机存取存储器(DRAM)和快闪存储器(Flash)后段封测可能扩大委外，封测台厂考量自身发展，积极与国际大厂洽商合作。
美光(Micron)去年以20亿美元买下日本存储器大厂尔必达(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率约1倍。
为进一步集成DRAM封测业务，去年下半年美光着手洽商DRAM后段封测
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存储器 NAND
- 武汉新芯集成电路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起独立经营，是国有制企业。为了区别于本土的制造巨头SMIC(中芯国际)和华力微电子(HLMC)等，XMC将立足存储器制造。近日，武汉新芯董事长王继增告诉笔者。
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XMC 存储器 NOR NAND 201401
- 武汉新芯集成电路制造公司(XMC)是地方政府投资的半导体企业，2006年由湖北省、武汉市、武汉市东湖高新区投资，并由东湖高新区管理的全资国有企业，前几年委托SMIC(中芯国际)经营管理，从2012年底起独立经营。
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XMC 存储器 NAND
mlc nand介绍
MLC NAND
目录
1定义
2MLC芯片特点
3与SLC对比
1定义
MLC 全称为Multi-Level Cell，多层单元闪存，MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较高。
一般厂家宣称可以保证得擦除次数是3，000次 。这一点与SLC得100，000的擦除次数有不小的差异。
2MLC芯片特点
1、传输速率 [
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