- 据国外媒体报道,东芝首席执行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示,公司将在始于明年4月份的下一财年决定在何处新建一座内存芯片工厂,并且在选择建厂地址时会考虑海外地区。
东芝在不到4个月前在四日市新开了一座NAND闪存芯片加工厂,田中久雄在接受采访时称,需求超过了产能,公司必须扩大产能。NAND闪存芯片主要被用于智能手机和其他电子产品。
田中久雄称:“三星已经在中国西安市建厂,海力士也在中国建了一座生产厂。”当被问及中国是否会是海外建厂的最佳地区时,他补充说
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东芝 NAND
- 智能手机全球迅速普及、终端记忆体的大容量化、大数据时代到来等,都将大幅增加对NAND型记忆卡的需求。
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东芝 三星 NAND
- 在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其专为车载信息娱乐(IVI)系统设计的汽车级PATA及SATA FerriSSD解决方案。
FerriSSD解决方案旨在代替以往被广泛应用在车载IVI系统等嵌入式应用中的SATA及PATA硬盘驱动器。由于集成了NAND闪存及慧荣科技业界领先的控制器并采用小尺寸BGA封装,FerriSSD解决方案与传统的硬盘驱动器相比不仅运行速度更
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慧荣科技 NAND BGA
- 由于闪存技术的发展,闪存正从U盘、MP3走向电脑、存储阵列等更广泛的领域。虽然其速度较以往的机械硬盘有了较大幅度的提升,但纵观整个计算架构,闪存仍旧是计算系统中比较慢的部分。况且目前主流的MLC和TLC在写入寿命上都还不尽如人意,并且随着工艺水平的提升,其寿命和良率还有越来越糟的倾向。闪存生产线已经达到15nm的水平,存储密度难在攀升、寿命却大幅下降。所以业界各个巨头都在积极研究下一代非易失性存储技术。
日前,镁光在IEEE IEDM 2014(国际电子设备大会)上就公布了其最新的可变电阻式存储
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NAND MLC TLC
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究显示,美系厂商在第三季季底财报结算压力过后,不再采取积极价格战,使得原厂间战火稍缓。另一方面,因模组厂预期此波价格跌势将持续,再加上手中库存仍充足下,大多倾向12月月底再进行采购谈判,以争取更优惠的价格。因此,12月上旬因交易气氛冷清,NAND Flash合约价呈持平或仅微幅下跌0-2%。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮表示,在欧美圣诞节备货动能正式结束后,受到季节性因素影响,预期明(2015)年第一季全球智慧型手机
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NAND Flash eMMC
- 韩国时报(Korea Times)15 日报导,三星电子明年将投资半导体设备 13.5 兆韩圜,或相当于 120 亿美元,稍高于今年的 13 兆韩圜。
全球记忆体晶片市场目前由三星、SK 海力士与美光所把持,三大厂市占率合计来到 93%。知情人士消息指出,三星并不打算大幅增加设备资本支出的主要考量是明年策略将放在维持价格稳定与市场供需平衡。
据报导,三星看准储存型快闪记忆体(NAND Flash)的市场需求有望增加,因此考虑明年在大陆西安开设新厂房。除此之外,有鉴于 DRAM 的需求平稳,
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三星 SK 海力士 美光 NAND
- 2014年NAND Flash市场在便携式电子新品持续、快速更新的带动下表现出价格稳定、需求强劲的发展态势。尤其在下半年苹果iPhone6/6Plus新机上市备货需求强劲与OEM业者进入出货旺季的带动下,新制程的嵌入式产品自第三季起成为市场主流,三星、东芝这些存储行业大牌的表现尤为出色。据市场调研机构TrendForce最新报告,2014年第三季度东芝NAND Flash产品营收环比大增23.7%,稳居世界前二位,其中15nm新制程的产出比重持续增加。
在今年的高交会上,记者也对东芝新制程的存储
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东芝 NAND Flash TransferJet
- NAND会不会彻底占据数据中心?答案是不会。截至2018年的磁盘与SSD出货容量预测显示,磁盘的发展速度将一路高于闪存方案。SSD整体出货容量与磁盘间的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND几何尺寸的每一次缩减都会给制造流程带来巨大的成本压力、并要求供应商利用更多配套解决方案保持现有使用寿命——具体而言,在每天写满一次的条件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
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NAND SSD 数据中心 闪存
- Investor.com 3日报导,花旗发表研究报告指出,三星电子、宏达电 (2498)等智慧型手机制造商有望跟随苹果 ( Apple Inc. )的脚步增加手机的储存容量,这会提高市场对SanDisk产品的需求。
费城半导体指数成分股SanDisk 3日闻讯上涨2.02%、收103.36美元;该档个股在11月总计劲扬了9.9%、年初迄今大涨46.53%。SanDisk 11月26日收盘(104.26美元)甫创7月16日以来收盘新高。
根据报告,花旗分析师Joe Yoo将SanDisk的投
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花旗 三星 NAND Flash
- TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 调查显示, NAND Flash 成本随着制程演进而持续下滑,各种终端应用如 SSD 与eMMC等需求则持续成长,估计 2015年 NAND Flash产值将较2014年成长12%,至276亿美元。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示,由于终端产品出货与新机上市多半集中在第三季和第四季,相较之下上半年缺少新产品刺激市场,受淡季效应影响情况将较为显着,因此预估2015年NAND Flash市况将呈现上冷下热的格局,也就是
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TrendForce NAND Flash SSD
- 固态硬碟(SSD)价格正迅速下滑,3D NAND和TLC等SSD新技术逐渐扩散,带动储存容量扩大,并加速SSD大众化时代的来临。
据ET News报导,SSD将形成半导体新市场,价格跌幅相当明显。外电引用市调机构IHS资料指出,256GB容量的SSD平均价格在2014年第3季时为124美元,与2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若与2012年相比则减少45.1%。
南韩业界认为,目前价格69美元、容量128GB的SSD,在2015年价格将降低至50美元以下。
南韩Woor
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3D NAND SSD TLC
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示, NAND Flash成本随着制程演进而持续下滑,各种终端应用如SSD与eMMC等需求则持续成长,2015年NAND Flash产值将较2014年成长12%,达276亿美元。DRAMeXchange研究协理杨文得表示,由于终端产品出货与新机上市多半集中在第三和第四季,相比之下上半年缺少新产品刺激市场,受淡季效应影响情况将较为显著,因此DRAMeXchange预估2015年NAND Flash市况将呈现上冷下热的格局,也就是上半年
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NAND Flash SSD
- 韩联社首尔11月30日电 市场调查机构HIS本月30日发布的一份调查报告显示,预计今年三星电子半导体销售额同比剧增15.6%,将达382.73亿美元,其全球市场份额同比上升0.6个百分点,将达10.9%,稳居全球第二。
同期,美国半导体巨头因特尔的半导体销售额同比增长6.3%,将达499.64亿美元,虽然占据世界第一的位置,但其全球市场份额逐年下降,预计今年的市场份额同比下滑0.4个百分点,为14.2%。由此,三星电子和因特尔的市场份额相差仅为3.3个百分点,缩小至历史最低值。
三星电子和
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三星 Intel NAND
- 次世代资料储存装置固态硬碟(SSD)市场价格,2年内下滑一半。由于NAND Flash产能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架构NAND Flash量产行列,皆让SSD加速迈向大众化阶段。而最近随著价格下滑,SSD应用范围逐渐扩大,有加速普及的倾向。
据韩联社引用市调机构IHS资料报导,256GB的SSD 2014年第3季平均售价(ASP)为124美元,比2013年同期171美元下跌27.5%,与2012年同期价格226美元相比,跌幅更达45.1%,意即最近2年内SSD价格几乎砍
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SSD NAND Flash
- 三星电子(Samsung Electronics)是苹果 (Apple)在智慧手机市场上的死对头,双方更于之前在全球展开轰轰烈烈的专利侵权大战、苹果并祭出所谓的「去三星化」措施。惟随着苹果/三星同意中止在美国以外地区(包括澳洲、日本、南韩、德国、荷兰、英国、法国、义大利)的官司互讼,也象征双方将握手言和,苹果将重回三星怀抱、扩大采用三星制零件?
日本苹果情报网站iPhone Mania 27日报导,南韩媒体BusinessKorea 26日指出,目前苹果iPhone 6除了已使用三星集团公司Sa
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三星电子 苹果 NAND
mlc nand介绍
MLC NAND
目录
1定义
2MLC芯片特点
3与SLC对比
1定义
MLC 全称为Multi-Level Cell,多层单元闪存,MLC通过使用大量的电压等级,每一个单元储存两位数据,数据密度比较高。
一般厂家宣称可以保证得擦除次数是3,000次 。这一点与SLC得100,000的擦除次数有不小的差异。
2MLC芯片特点
1、传输速率 [
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