- 据IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市场份额稳定在85-90%，2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术，随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。
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DDR3 DRAM
- 日本半导体巨头尔必达及其子公司秋田尔必达22日宣布，已开发出全球最薄的动态随机存储器(DRAM)，4块叠加厚度仅为0.8毫米。
超薄DRAM将有助于减少智能手机等移动设备的厚度，增大其容量。制造成本则和目前厚度1毫米的DRAM相同。
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尔必达 DRAM
- 据国外媒体报道，美国存储芯片制造商Rambus在周一加利福尼亚州开审的反垄断诉讼案中指出，韩国存储芯片制造商海力士和美国存储芯片制造商美光科技曾使用了“非法的阴谋”，欲将Rambus赶出计算机存储芯片市场。Rambus在此诉讼案中，针对海力士和美光科技侵犯公司DRAM存储芯片的行为，提出了高达129亿美元的索赔要求。Rambus表示，依据加利福尼亚 州的相关法律，该公司43亿美元的损害赔偿将自动增加两倍，达到129亿美元。截至目前，海力士与美光科技对此报道未置可否。
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Rambus DRAM
- DRAM价格持续处于跌价泥淖，不只台系DRAM厂陆续转型、退出，国际大厂也在寻求长远生存之道，近日传出尔必达(Elpida)、美光 (Micron)、南亚科高层接触频繁，为未来可能的合作暖身，其中华亚科成为这次整并的中心点，因此也传出尔必达对华亚科的股权有兴趣，为此和美光、台塑接洽;业界认为DRAM产业未来在技术、资金等门槛越来越高下，若要有效对抗三星电子(Samsung Electronics)，美日结盟势为必走之路。
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尔必达 DRAM
- DRAM产业走过2008年底的全球金融风暴后，仍旧是跌多涨少，即使各厂都把产能转去做其它产品，如Mobile RAM、服务器DRAM等，PC DRAM仍是面临持续崩跌局面，因此集成的议题持续被讨论;金士顿(Kingston)创办人孙大卫即表示，台湾DRAM产业不集成只有死路一条;某台厂 DRAM厂高层即表示，整并最恰当的方式是2家母厂(美光、尔必达)先自行整并，台湾DRAM厂自然会集成。
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尔必达 DRAM
- 行动装置风潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服务器DRAM等，俨然已成为DRAM厂最佳避风港，然在各家存储器大厂一窝蜂抢进下，Mobile RAM已率先发难，出现供过于求警讯，日厂尔必达(Elpida)传出原本爆满的Mobile RAM产能将转回作PC DRAM，加上近日PC DRAM价格再度崩跌至濒临1.5美元保卫战，DRAM厂12寸厂产能陷入苦寻不到避风港困境。
存储器业者表示，PC市场成长趋缓是 DRAM产业致命伤，而平板计算机崛起让每台系统DRAM
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DRAM NAND
- 日本尔必达公司近日宣布成功开发出了DRAM业界首款使用HKMG技术的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程级别DRAM芯片产品。HKMG技术即指晶体管的栅极绝缘层采用高介电常数(缩写为high-k即HK)材料，栅电极采用金属材料 (Metalgate即MG)。采用这种技术的晶体管可减小栅漏电流并提升晶体管的性能。
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尔必达 DRAM
- 根据集邦科技统计，随着今年平板计算机与智能型手机的兴起，PC出货量已不若往年呈现高度成长，随着后PC时代来临，各DRAM厂也纷纷转进行动式存储器市场，不过，在产出量将于下半年大增，加上平板计算机出货数字下修的影响，集邦预警，下半年行动式存储器的价格走势恐增添隐忧。
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DRAM 行动式存储器
- 日系存储器大厂尔必达(Elpida)台湾人事和营运布局大地震，总经理谢俊雄6月初闪电退休，职缺暂由全球业务副总张士昌兼任，同时尔必达也着手整顿台湾PC DRAM通路代理，由过去2~3家代理商的策略，收回由力晶关系人近期秘密成立的新通路商智胜统筹，另外也传出尔必达将小幅入股智胜，象征与力晶之间的合作关系紧密;存储器业者认为，力晶年初宣布弃品牌投注尔必达代工麾下，对双方营运层面的改变才正要开始而已。
2年前台湾DRAM产业虽然没有集成成功，但显然地，尔必达已默默搜刮台湾12寸晶圆产能，从茂德合作伙伴
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尔必达 DRAM
- 从技术投资与市场竞争力的观点来看，半导体业者从12寸厂拓展至18寸厂，以提升产能规模，已是不可避免的发展趋势。然而，18寸厂的建置正面临严峻考验，因此未来全球半导体业者在18寸晶圆厂的布局结果，将进一步影响半导体市场版图。
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DRAM 晶圆代工
- 存储器模块厂金士顿(Kingston)不畏存储器景气波动，2010年全球独立DRAM模块厂市占率首度突破50%大关，NAND Flash市场布局也成功跨足固态硬盘(SSD)市场，面对台湾上游DRAM厂仍处于生存困境的当下，金士顿创办人之一的杜纪川表示，认同孙大卫认为台湾 DRAM产业要集成才有活路的策略，唯有计画性地将各方力量做结合，才能让台湾DRAM厂免受全球经济、市场波动冲击。
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NAND DRAM
- 据南韩电子新闻报导，全球主要DRAM内存芯片业者陆续投入微细制程转换作业，然而海力士半导体(Hynix)在转换到30纳米制程上正遭遇瓶颈。在微细制程转换竞争中，一直紧追在海力士之后的尔必达(Elpida)，可能会更快完成制程转换作业，并动摇海力士数年来维持的竞争力。对此说法，海力士反驳道，目前皆依照计划日程顺利进行转换中。
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Hynix DRAM
- IHS iSuppli(IHS-US)最新研究报告指出，受惠于动态随机存取内存(DRAM)整体出货量弹升10.8%，今年全球的DRAM模块市场成长仍将持续增长，且连续两年都呈现双位数成长。
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三星电子 DRAM
- IHS iSuppli (IHS-US) 最新研究报告指出，受惠于动态随机存取内存 (DRAM) 整体出货量弹升 10.8%，今年全球的 DRAM 模块市场成长仍将持续增长，且连续两年都呈现双位数成长。
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三星 DRAM
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