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DRAM产业技术转型期成本下降趋势放缓

  •   据IHS iSuppli公司的研究,随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术,该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。  
  • 关键字: DRAM  纳米  

尔必达拟发行新股筹资9.9亿美元

  •   据路透社报道,世界第三大芯片制造商日本尔必达公司近日计划发行新股和可转换债券,融资近800亿日元(折合9.92亿美元)。尔必达从传统的DRAM芯片生产转向了更为有利可图的智能手机芯片生产,因此需要此笔资金进行新的研发和生产。
  • 关键字: 尔必达  DRAM  

DRAM钱坑 台塑集团进退两难

  •   联电荣誉副董事长宣明智暗指台塑集团可以出面集成台湾DRAM产业,南亚科表示,无法评论此事;存储器业界则认为,台塑集团虽然资金实力雄厚,但DRAM 产业走到现在已不是资金问题,没有技术和专利也是关键,现在就算再投钱集成,也未必拼得过韩厂,而台塑集团这几年DRAM产业投资并没有得到等值回报,或许茂德财务状况圆满解决后,有非常划算的机会可取,台塑才会考虑与美光(Micron)合作切入,否则光是投钱集成,台塑意愿恐怕不大。
  • 关键字: 台塑  DRAM  

存储器3Q景气 NAND Flash略优于DRAM

  •   存储器产业度过辛苦的第2季后,第3季景气恐没有这么快复苏,业界预期NANDFlash产业景气在第3季中之后,会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬,但业界对于DRAM市场看法则是分歧,7月合约价续跌已成定局,部分业者认为8月中开始价格可止跌,但另一派业者则认为DRAM报价到年底都不会反转,且恐有续跌的可能性,整体来看,下半年NANDFlash景气微幅优于DRAM产业,但好日子也不会维持太长。
  • 关键字: 存储器  DRAM  

DRAM成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓

  •   据IHS iSuppli公司的研究,随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术,该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。
  • 关键字: DRAM  光刻  

茂德再度减资85%

  •   茂德再度启动2次减资计划,继2010年4月宣布减资65%后,2011年7月6日董事会中再度通过减资85%,预计将在第3季底前完成减资程序,之后将办理增资引进策略性投资人,市场屡次点名的老面孔鸿海、联电等大型集团,再度被提出来讨论。   
  • 关键字: 茂德  DRAM  

DRAM产业走向低纳米技术 成本缩减将放速

  •   最近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极,但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年第一季度DRAM产业的加权平均节点从2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推动DRAM技术迁移的力度在增大。。在此期间,成本降幅从7.8%增大至14.2%,晶圆成本下降情况与光刻工艺的变化相符。据IHS iSuppli公司的研究,随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术,该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。
  • 关键字: Inotera  DRAM  

存储器3Q景气NAND Flash略优于DRAM

  •   存储器产业度过辛苦的第2季后,第3季景气恐没有这么快复苏,业界预期NAND Flash产业景气在第3季中之后,会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬,但业界对于DRAM市场看法则是分歧,7月合约价续跌已成定局,部分业者认为8月中开始价格可止跌,但另一派业者则认为DRAM报价到年底都不会反转,且恐有续跌的可能性,整体来看,下半年NAND Flash景气微幅优于DRAM产业,但好日子也不会维持太长。 
  • 关键字: 存储器  DRAM  

DRAM产业成本削减步伐将放缓

  •   据IHS iSuppli公司的研究,随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术,该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。   虽然最近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极,但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年第一季度该产业的加权平均节点从2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推动DRAM技术迁移的力度增大。在此期间,成本降幅从7.8%增大至14.2%,晶圆成本下降情况与光刻工艺的变化相符。
  • 关键字: DRAM  50纳米  

传世界先进有意投资茂德中科12吋厂

  •   茂德申请负债降息暂化解当前财务危机后,引进新资金成为当务之急,业界已传出多组人马正评估有条件投资茂德,或对旗下中科12吋晶圆厂有兴趣,近期已有第1个出价者浮现,内存业界传出世界先进出价新台币100亿元,想买茂德12吋厂,且推测背后应是获得台积电默许,主要系因驱动IC未来采12吋厂生产较具成本优势,世界先进可趁此机会捡便宜。不过,茂德和世界先进对此事都予以否认。 
  • 关键字: 茂德中科  DRAM  

瑞晶成30纳米制程转换最快的台湾DRAM厂

  •   瑞晶董事会日前通过30纳米制程转换资本支出18.15亿元决议案,并冲刺单月产能到年底达到8.8万片,成为迈向30纳米制程进展最快的台系DRAM厂。此外,董事会也通过,向台湾欧力士公司申请机器设备售后租回融资约10亿元,持续添购重要半导体制程设备如ASML的浸润机台等。 
  • 关键字: 瑞晶  DRAM  

力成科技布局先进封装技术

  •   力成科技积极自内存封测业务往先进封装技术布局,继先前买下茂德厂房以作为实验工厂后,转投资公司聚成科技的新竹厂也在3月动土,预计2012年第3季装机试产。力成董事长蔡笃恭表示,实验工厂以开发新技术为主,包括晶圆级封装、3D IC及铜柱凸块等,估计开发时程约1年,届时新竹厂正好开始启用,新产品效益可望适时于2012~2013年发酵。 
  • 关键字: 封装  DRAM  

华芯预计内存芯片业务收入将过亿元

  •   华芯半导体公司市场营销部经理殷和国6月28日在深圳集成电器创新应用展上对《第一财经日报》透露,预计今年内存芯片业务(DRAM)将为公司带来超过1亿元的收入。   
  • 关键字: 华芯  DRAM  

iSuppli:DDR4将在2014年集中上市

  •   据IHSiSuppli公司的研究,DDR3的市场份额稳定在85-90%,2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术,随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。2011年DRAM模组出货量将达8.08亿个左右,预计DDR3将占89%,高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模组是包含DRAM芯片的封装,用于PC和其它电子产品之中。
  • 关键字: DDR4  DRAM  

尔必达宣布开始销售DDR3 DRAM样品芯片

  •   日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用穿硅互连技术(TSV)制作的DDR3 SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通过TSV三维堆叠技术封装为一块8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相当1GB容量),该三维芯片中还集成了接口功能芯片。
  • 关键字: 尔必达  DRAM  
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