- 韩国主要出口产品DRAM和液晶显示器(LCD)面板价格，近期皆再度出现跌幅。其中，自2009年3月以来，历经22个月之后，DRAM价格又再度跌破0.9美元防线。
韩国媒体引述市场调查机构DRAMeXange统计表示，1Gb DDR3 DRAM交易价格已较1月初的0.91美元下跌3.3%，目前为0.88美元。1Gb DDR3 DRAM既是三星电子(Samsung Electronics)的代表性商品，也是目前全球DRAM半导体市场上交易量最大的产品。
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DRAM LCD
- 三星电子(Samsung Electronics)半导体事业部社长权五铉，出席2011年IT产业新年见面会时曾表示，DRAM价格可能提早于第1季触底并回升，第1季内价格将有小幅下跌，价格随即出现反弹，但不确定会发生在2月或3月。
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三星 DRAM
- 来自存储芯片调研公司集邦科技的消息称，1月上半个月DRAM期货价已经接近谷底，下半个月价格可能持平或继续小幅下滑，然后在二季度开始回涨。
本月初，2GB DDR3内存价格下降5-6%，平均价格在17美元，最低16美元。虽然价格仍旧呈下降趋势，但速率已经非常缓慢，不像之前那样出现10%甚至以上的滑坡。
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Intel DRAM
- 瑞萨电子开发出了利用与标准CMOS工艺相近的方法在逻辑LSI中混载DRAM的技术。该项技术面向28nm工艺以后的产品，瑞萨电子将把该工艺的SoC(System on a Chip)生产全面委托给代工企业。
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瑞萨 DRAM CMOS
- 瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向网络设备的高速存储器产品576Mb(Mbit)低时延 DRAM，品名分别为μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236。新产品将于即日起提供样品。
与公司原有288Mb 低时延DRAM“μPD48288236”产品相比，新产品最大的特点是其存储容量提升至原有产品的2倍，实现了大容量化。此
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瑞萨电子 DRAM 存储器
- 日本经济新闻报导指出，日厂尔必达(Elpida)有意于2011年1月中旬调涨DRAM价，据国内外PC业者的说法，其要求的涨幅约10%。
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尔必达 DRAM
- 据市调公司iSuppli研究，预计2011年DRAM平均销售价格(ASP)大幅下滑，全球DRAM销售额也将随之急剧萎缩，尽管智能手机和平板电脑领域存在强劲的增长机会。
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DRAM 智能手机
- 据iSuppli公司，预计2011年DRAM平均销售价格(ASP)大幅下滑，全球DRAM销售额也将随之急剧萎缩，尽管智能手机和平板电脑领域存在强劲的增长机会。
2011年全球DRAM销售额预计下降至355亿美元，比2010年的403亿美元减少11.8%。这种两位数的下滑幅度，与2010年形成鲜明对比。2010年全球DRAM销售额比2009年剧增77.5%。如图2所示，2011年以后的几年，DRAM销售额的波动也较大，在ASP持续下滑的情况下，销售额趋于下降。
DRAM是游戏机和台式电脑及笔
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平板电脑 DRAM
- DDR3报价从2010年初1颗3美元跌到年底只剩下0.8美元，跌幅高达70%，力晶更在2010年底因欠款导致子公司瑞晶停止出货，透露台DRAM厂财务已处于极度吃紧状态，存储器业者表示，由于1月DRAM合约价和现货价还有下跌空间，即便台厂现在就采用40纳米制程生产，亦只能勉强微幅赚钱，更何况台厂目前制程几乎都在50及60纳米世代，因此，台DRAM厂不仅2010年第4季亏损将持续扩大，2011年第1季亦将再鸣亏损悲歌。
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茂德 DRAM
- 2010年DRAM产业虎头蛇尾，年初报价大涨至1颗DDR3报价达3美元，但年底却跌到1美元;但以获利来看，2010年只有力晶和瑞晶有赚钱，南亚科、华亚科和茂德都是持续赔钱，南亚科和华亚科是因为制程转换之故，没有掌握到年初报价上涨的机会，年底虽然成功转进50奈米，但报价已呈现溜滑梯状态。
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瑞晶 DRAM
- 瑞晶31日公告，由于主要大客户兼母公司力晶的帐款逾期未付，因此即日起暂停出货给力晶;力晶表示，由于DRAM价格不佳，在财务上规画保守，目前正与尔必达(Elpida)和瑞晶3方协商当中;瑞晶则表示，将与力晶协议针对保障瑞晶债权的方案。
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瑞晶 DRAM
- 台湾央行总裁彭淮南面对这一波新台币强势升值，采取汇市收盘价力守30元的作法，外界开始出现汇价失真的争议，但彭淮南这次直接挑明表示，台湾和韩国在科技产业的产品雷同度高，汇率过度升值会影响出口商的竞争力;与韩国处于高度竞争的DRAM厂表示，若新台币升值幅度高于韩元，与三星电子(Samsung Electronics)竞争上的确区居下风，不过台湾DRAM产业有很大一块问题是自己的技术和财务结构，汇率是影响竞争力因素之一，但绝不是影响台湾DRAM产业竞争力的最关键因素，主要因素还是在售价。
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力晶 DRAM
- 海力士(Hynix)紧跟三星电子(Samsung Electronics)之后，将把DRAM的生产制程转换为30纳米级制程。海力士29日宣布，已开发出2款计算机用DRAM产品，将首度采用30纳米级制程量产。据海力士表示，计划采用38纳米制程生产4Gb和2Gb 2种产品，2011年第1季将先量产2Gb产品。
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海力士 DRAM
- 据彭博(Bloomberg)报导，海力士(Hynix)计划资本支出3兆韩元(约26亿美元)，该公司发言人证实首尔经济日报(Seoul Economic Daily)的报导。
彭博电话访问发言人Park Seong Ae指出，实际投资金额可能会依市场情况而调整。Park进一步指出，2010年的投资金额为3.38兆韩元，相较之下，2011年的投资金额可能会比较小。
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海力士 DRAM
- DRAM报价面临二次崩盘危机，过去曾被提及但最后铩羽的台日DRAM产业4合1大整并议题，再度被端上台面!日本外电指出，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄将于2011年初访台，洽谈在台湾成立控股公司，将力晶、瑞晶和茂德3家台厂连同尔必达进行4合1大整并的细节，若能整并成功，“新尔必达”的市占率将一举超越海力士(Hynix)成为全球DRAM二哥;惟台厂表示，未听闻此事。
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