- Digitimes Research分析师柴焕欣分析，2008年下半受金融海啸冲击，除三星电子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM厂商皆发生巨额亏损，为保有手中资金，各DRAM厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略，此举亦让自2006年以来全球DRAM产业扩厂竞赛划下句点。
正因产能扩充有限，并伴随2009年第1季全球景气见到最低点且逐季好转，全球DRAM需求量亦同步扩张，使得长年下跌的DRAM报价亦在2009年得以止跌回升。
于此同时，全球DRAM市场的
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三星电子 DRAM
- 未来半导体制造将越来越困难已是不争的事实。巴克莱的C J Muse认为如DRAM制造商正处于关键的成品率挑战阶段，在4x，3x节点时发现了许多问题。目前尽管EUV光刻己经基本就绪(或者还没有)，是黄金时刻，然后在芯片制造中其它的工艺技术的挑战也有很多，如两次图形曝光(在NAND，DRAM及logic中)，高k金属栅等。由此，在未来的2011-2012年，甚至更长一段时期内必须要加大投资强度。(Citigroup的Tim Arcuri建议要有五年时间，它是在牛/熊市小组座谈会上发表此看法) 。另一位会议
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半导体制造 DRAM NAND
- Digitimes Research分析师柴焕欣分析，2008年下半受金融海啸冲击，除三星电子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM厂商皆发生巨额亏损，为保有手中资金，各DRAM厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略，此举亦让自2006年以来全球DRAM产业扩厂竞赛划下句点。
正因产能扩充有限，并伴随2009年第1季全球景气见到最低点且逐季好转，全球DRAM需求量亦同步扩张，使得长年下跌的DRAM报价亦在2009年得以止跌回升。
于此同时，全球DRAM市场的
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三星电子 DRAM
- 内存价格最近是一路下滑，特别是已经失去主流地位的DDR2。不过力晶半导体董事长黄崇仁近日就表示，DRAM芯片价格将在8月份反弹，价格回涨，十一月份和十二月份可能会受季节性销售因素影响再度下滑。
黄崇仁称，DRAM芯片近期的价格下滑是由于市场需求过低导致，并不是芯片供应商之间的价格战引起，而且他还认为，PC OEM厂商为了降低生产成本，降低了一些产品的存储容量，从而影响了市场需求。
他还对未来2-3年的DRAM持乐观态度，不过认为芯片容量的上升对产业健康发展的促进有限。
此外黄崇仁还表
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力晶 DRAM 内存价格
- 近期韩系DRAM大厂──三星、海力士先后宣布上调2010年资本支出，手笔之大令人惊愕。三星将对芯片业务支出20万亿韩元(约合177亿美元)，该数字是此前支出计划的两倍多;海力士也将资本支出提高了三分之一，达到3.05万亿韩元(约合27亿美元)。预计这些支出中将有相当一部分进入DRAM业务。
2007年以来，DRAM市场开始了一段令厂商苦不堪言的低迷期，直到2009年第一季度见底。此间曾排名第三的DRAM大厂奇梦达轰然倒塌，令业界震惊扼腕。市场低迷的根本原因是产能过剩、供过于求。2006年市场获得
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奇梦达 DRAM
- 全球半导体产业走入50奈米制程后，浸润式曝光机台(Immersion Scanner)出现大缺货，尤其是最新款的NXT:1950i机种上，交期几乎拉到快12个月，使得2010年才下订单的台系DRAM厂苦等多时;存储器业者透露，尔必达(Elpida)阵营开始转向采购旧机种XT:1950i应急。然美光(Micron)阵营则认为，旧机种顶多用到40奈米制程就是极限，不像新机种NXT:1950i可以一路做到30奈米。
半导体产业在进入50奈米以下制程，都必须开始用Immersion Scanner，此机
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Elpida DRAM 50奈米
- 受惠于晶圆代工与DRAM厂推出先进制程，对浸润式显影机台需求大增，让半导体设备大厂艾斯摩尔(ASML)2010年接单畅旺，随著半导体制程推进5x奈米以下先进制程，制程复杂度大增，亦需加紧提高量良率，让ASML甫于2009年推出的整合微影技术(Holistic Lithography)系列产品，已获得意法半导体(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。
ASML指出，随著半导体制程推进到50x奈米以下制程，业者投入的经费越来越高昂，生产时程亦拉得更长，良率更难提升，制程容许度(p
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ASML DRAM 晶圆代工
- 据韩国ET NEWS报导，过去1年2个月期间呈现上升趋势的DRAM价格，可能将再度下滑。预期第3季DRAM价格将小幅下滑后止跌，但第4季将会有大幅的下滑趋势。虽韩国企业的净利也将减少，但对台湾企业打击可能更大。
据相关业者及证券师指出，自2009年4月持续上升的DRAM价格进入第3季后可能会有 5%的价格下滑。业界相关人员表示，第3季DRAM价格依据PC业者的调降要求，可能会有5%的下滑，但DRAM供货货量有限制，因此下滑幅度应不大。
摩根大通(JP Morgan Chase &
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海力士 DRAM 40纳米
- 据了解，日商尔必达已决定来台设立研发中心，且选定投入高阶技术NAND Flash领域。尔必达来台投资研发中心金额约在50、60亿新台币，未来将与力晶等日系半导体业者进一步合作。
据悉，尔必达与台湾创新存储器公司(TIMC)合作虽然破局，但尔必达与台湾业者联合抗韩的意图依旧存在，政府单位与尔必达互动密切，尔必达已于日前向经济部递出在台设立研发中心的初步计划书，经济部正进行审查中。
官员透露，尔必达来台设立研发中心的计划相当成熟，已进入实质合作内容洽谈中，研发中心切入的产品并非一般的动态存储器
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TIMC NAND DRAM
- 全球半导体市场需求成长已优于2008年秋季金融危机爆发前的水平，2010年5月半导体销售额续创新高。就地区别来看，含大陆在内的亚太市场占全球销售比重已过半并持续成长中，已成为全球半导体市场需求的强力支撑。然因市场对欧洲经济成长仍持疑虑，2010年秋季后市场需求动态值得关注。
美国半导体产业协会(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的统计数据指出，金融危机爆发前全球半导体销售高峰为2007年11月的231.2亿美元，而2010年5月全球半导体销售额达2
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半导体 DRAM
- 国际半导体设备材料产业协会(SEMI)的发布半导体设备年中预测指出，今年半导体设备市场将由谷底翻扬，预计增长达104%,明年市场仍审慎乐观，将持续有9%的增长幅度。
半导体设备与西于14日起于美西旧金山展开，主办单位半同步公布半导体设备资本支出年中预测报告。
SEMI的预估，2010年半导体设备营收将达325亿美元，折合新台币可望突破兆元，为半导体设备业者捎来佳音，同时超越2008年金融海啸前的295亿美元水准。报告指出， 2009年因为全球景气不佳，让整体设备市场惨跌46%,但今年设备市
- 关键字：
半导体设备 晶圆 DRAM
- 国际半导体设备材料产业协会(SEMI)的发布半导体设备年中预测指出，今年半导体设备市场将由谷底翻扬，预计增长达104%，明年市场仍审慎乐观，将持续有9%的增长幅度。
半导体设备与西将于今(14)日起于美西旧金山展开，主办单位半同步公布半导体设备资本支出年中预测报告。
SEMI的预估，2010年半导体设备营收将达325亿美元，折合新台币可望突破兆元，为半导体设备业者捎来佳音，同时超越2008年金融海啸前的295亿美元水准。报告指出， 2009年因为全球景气不佳，让整体设备市场惨跌46%，但今
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半导体设备 晶圆 DRAM
- 近期DRAM市场供需杂音多，由于终端需求前景不明，7月合约价不见起色，仍持续往下修正，加上随著40和50纳米制程微缩导致产能增加，进而压抑价格走势，然值得注意的是，目前各家DRAM厂在40和50纳米世代转换不顺消息频传，新产能是否能如期出笼仍存变量，因此，第3季DRAM价格还有多少修正空间，目前仍处于混沌状态。
DRAM业者表示，自从PC大厂祭出降低DRAM搭载率策略后，原本供给吃紧的DRAM市场顿时松动，原本搭配4GB模块被砍到仅搭配2GB，等于少掉50%的DRAM产能消耗量，加上欧洲债信问题
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Elpida DRAM 45纳米
- 全球半导体市场需求成长已优于2008年秋季金融危机爆发前的水平，2010年5月半导体销售额续创新高。就地区别来看，含大陆在内的亚太市场占全球销售比重已过半并持续成长中，已成为全球半导体市场需求的强力支撑。然因市场对欧洲经济成长仍持疑虑，2010年秋季后市场需求动态值得关注。
美国半导体产业协会(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的统计数据指出，金融危机爆发前全球半导体销售高峰为2007年11月的231.2亿美元，而2010年5月全球半导体销售额达2
- 关键字：
DRAM NAND
- 编者点评：每年的SEMICON West时，时间己经过半，所以业界都会关心下半年与未来会是怎么样。2010年半导体业可能十分亮丽，似乎已成定局。然而对于设备业看似今年的增长幅度达90%，但是许多设备公司仍是兴奋不起来，因为2010年业绩的增长仍显不足于弥补之前的损失。而未来的前景有点模糊，增长点来自哪里?似乎谁也说不清楚。
SEMICON West美国半导体设备展览会即将开幕，与去年全球IC下降不同，如今半导体设备业有点红火。
按市场调研公司 VLSI预计，2010年半导体设备业增长96%
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半导体设备 NAND DRAM
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