- 据台湾《经济日报》周四援引力晶半导体股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., )董事长黄崇仁(Frank Huang)的话称，由于供应吃紧，DRAM芯片价格将继续持稳，至少在2010年年内是如此。
报导援引黄崇仁的话称，力晶半导体第一季度净利润将较前一季度有所增长，2009年第四季度公司实现净利润新台币16亿元左右。
以收入计，力晶半导体是台湾最大的DRAM芯片生产商。
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力晶 DRAM
- 日本存储器大厂尔必达(Elpida)将向存储器模块大厂金士顿(Kingston)发行新股与可转换公司债，筹资187亿日圆(约1.98亿美元)，以作为2010年度中扩充广岛厂半导体尖端设备之用。而金士顿亦将因此握有尔必达4.79%的持股，成为尔必达的第6大股东。
此次，尔必达向金士顿发行的新股为647万股，每股发行价格为1,805日圆，总额约117亿日圆;另发行可转换公司债约70亿日圆。
金士顿为尔必达的主要客户之1，金士顿希望透过注资尔必达，稳定DRAM模块货源。而尔必达则为将广岛厂产线由
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Elpida 存储器 DRAM
- 据国外媒体报道，美国旧金山联邦法院的文件显示，日立、东芝和三菱同意支付2780万美元和解芯片价格操纵指控。
该案原告为DRAM芯片的直接采购方，他们指控上述三家公司在1999年至2002年间向美国用户收取了超额费用。根据原告方律师周四提交的文件，日立将支付1150万美元，东芝将支付920万美元，三菱则支付710万美元。
但根据和解协议，上述三家公司均未承认不当行为。三家公司的律师和发言人也均未对此置评。
DRAM是一种被用于电脑、手机和其他电子设备的芯片。美国司法部曾于2002年对多
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东芝 DRAM
- 据国外媒体报道，美国旧金山联邦法院的文件显示，日立、东芝和三菱同意支付2780万美元和解芯片价格操纵指控。
该案原告为DRAM芯片的直接采购方，他们指控上述三家公司在1999年至2002年间向美国用户收取了超额费用。根据原告方律师周四提交的文件，日立将支付1150万美元，东芝将支付920万美元，三菱则支付710万美元。
但根据和解协议，上述三家公司均未承认不当行为。三家公司的律师和发言人也均未对此置评。
DRAM是一种被用于电脑、手机和其他电子设备的芯片。美国司法部曾于2002年对多
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东芝 DRAM
- 受全球存储芯片供应短缺利好影响，三星电子存储芯片业务增长明显，预计其2010年上半年营业利润有望超过4万亿韩元，约合35亿美元。
三星公司消息人士称，三星电子自身预估2010年全年的芯片业务营业利润将最多可增至4.4万亿韩元，但韩国媒体报道称，三星电子发言人拒绝就此事宜发表言论。
据悉，三星电子是目前全球最大的存储芯片生产商，其09年在全球DRAM市场的份额从08年的29%增加至36%，而NAND闪存芯片市场份额则一直保持在40%左右。
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三星电子 存储芯片 DRAM
- 三星电子(SamsungElectronics)表示，截至台北时间25日下午3时为止，南韩京畿省(Gyeonggi)器兴市(Giheung)半导体厂房跳电所造成的损失估计不到90亿韩圜(790万美元)。三星并表示，目前尚未找出跳电的原因。MeritzSecurities分析师LeeSun- tae指出，三星半导体厂房跳电造成的影响其实不大，主因多数面临冲击者为非内存生产线。
YonhapNews于南韩时间24日下午7时48分报导，三星电子器兴市半导体厂房24日突然跳电，其K2、K5厂区在当地时间
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三星电子 DRAM NAND
- 三星电子(Samsung Electronics)表示，截至台北时间25日下午3时为止，南韩京畿省(Gyeonggi)器兴市(Giheung)半导体厂房跳电所造成的损失估计不到90亿韩圜(790万美元)。三星并表示，目前尚未找出跳电的原因。 Meritz Securities分析师Lee Sun-tae指出，三星半导体厂房跳电造成的影响其实不大，主因多数面临冲击者为非内存生产线。
Yonhap News于南韩时间24日下午7时48分报导，三星电子器兴市半导体厂房24日突然跳电，其K2、K5厂区在
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三星电子 DRAM NAND
- 随着中国大陆LED市场迅速增长，台资企业正在加快抢滩登陆的步伐，以期尽早在大陆LED产业卡位布局。比如日前广东中山科技局的一位工作人员就告诉记者，现在可以明显感受到，外资尤其是台厂对中国大陆LED行业投资脚步的加快和投资力度的加大，早在2002年台湾最大的封装厂亿光就在中山小榄设厂，而近来台企投资脚步则更加频繁。
如果细分近期有意向至大陆设厂的台企，大体可分成三类：一是台湾大型LED企业，为扩大产能需要，在大陆投资设厂。比如日前市场传出台湾LED外延大厂晶电计划与封装厂光宝携手布局大陆LED市场
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LED DRAM
- 三星电子(Samsung Electronics)韩国器兴厂24日下午停电约1小时，虽然三星官方指出影响不大，但业界对于已极度缺货的DRAM市场相当紧张，甚至传出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影响，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存储器零组件都供货吃紧，三星跳电事件恐让存储器供应链出现供货排挤效应。
三星器兴厂发生停电意外，在启动不断电系统 (UPS)后，1小时内便恢复运作，估计此事件对公司营运影响不大。
存储器业者指出，这次三星受影响厂区
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三星电子 DRAM SDRAM 存储器
- 根据DRAMeXchange的预测，从今年到2012年，DRAM产业供给方面在产能扩充、资本支出、浸润式机台供给有限，以及40nm以下制程转进难度高影响下，位成长有限。而DRAM需求在全球景气复苏，带动消费者及企业换机潮，以及智能型手机带动行动内存需求大幅成长下则将动力强劲，预期未来三年DRAM产业有机会连续获利。
DRAMeXchange指出，DRAM产业过去十几年来，几乎每三年为一景气循环周期，以DRAM厂的营业获利率分析，2001至2003年DRAM产业连续三年亏损，2004至2006年转
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智能手机 DRAM 40nm
- 近期内存价格的持续上涨让DRAM芯片厂商尝到了甜头，不过在包括三星、美光、力晶等在内的DRAM厂商看来，好光景来之不易，不应该一味扩大产能恶性竞争而重新导致DRAM内存暴跌。
韩国三星半导体业务总裁权五铉日前表示，DRAM制造商不应该盲目扩大产能，而应当把大规模投资放在提升技术水平上。美国美光官方近日也表示，今年无意扩大DRAM产能，而是将全力投入制造工艺升级，进一步增强其在DRAM市场的竞争力。台湾力晶半导体董事长黄崇仁同样认为，厂商们在对待产能的问题上应当更加谨慎，避免重蹈当年的覆辙。
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三星 DRAM
- 据外电报道，美国国际贸易委员会(USITC)将对DRAM半导体、产品、记忆模块展开调查，因德商英飞凌于今年2月19 日提出专利侵权指控。
英飞凌方面称，尔必达制造并向美国进口销售的某些DRAM半导体产品侵犯了英飞凌在半导体制程和元件制造方面4项重要发明专利，涉嫌不公平贸易。通过诉讼以寻求USITC下达禁令，禁止尔必达或以尔必达的名义，向美国进口侵犯英飞凌专利的DRAM半导体产品。
被调查的企业名单
USITC表示，将依据1930年美国关税法第337条，对下列厂商展开调查，包括日商尔必
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英飞凌 DRAM
- 由于ODM/OEM厂对第2季及第3季的旺季需求期待甚高，芯片缺货问题持续延烧，除了绘图芯片及整流二极管持续供货短缺外，电源管理IC、NOR闪存、LCD驱动IC、功率放大器(PA)等产品线均出现供给缺口。随着芯片供货商3月起陆续涨价5%至10%,但电子终端产品价格并未跟进调涨，显示今年电子生产链上肥下瘦已成定局。
根据通路业者指出，今年中国农历年期间因终端市场需求强劲，大幅去化芯片库存，去年底就缺货的绘图芯片、整流二极管、金氧半场效晶体管(MOSFET)等，现在仍有10%左右的供给缺口，另包括电源
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电源管理 NOR闪存 DRAM
- 三星电子(Samsung Electronics)半导体事业社长权五铉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日来台参加全球半导体联盟(GSA)论坛，吸引DRAM业者纷前来聆听龙头厂对景气风向球。权五铉表示，2010年下半DRAM价格可以维持稳定，未来DRAM业者不应一昧地追求价格和成本，而是要节制疯狂扩充产能;力晶董事长黄崇仁在现场亦举手建言，呼吁大家不要再乱投资扩产，要追求合理价格更胜于超额利润;此番台、韩存储器厂高层过招，成为整个论坛最大高潮。
权五铉16日在GSA论坛发表有关半导体市场及
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Samsung DRAM DDR3
- 美银美林证券台湾投资论坛迈入第2天，会场聚焦DRAM、手机和LED产业，业者纷纷释出乐观看法，包括DRAM未来2、3年产业展望都乐观，LED背光液晶电视年底渗透率上看35%.
美银美林证券台湾投资论坛迈入第2天，今天会议部份正式展开，并邀请到意法半导体(STMicroelectronics)与恒忆公司(Numonyx)顾问暨前任资深主管Rolf Seibl演讲，畅谈中国大陆山寨手机市场。他指出，中国手机市场有8成是山寨手机，所以联发科市场广大。
今天受邀出席论坛演讲的华亚科总经理高启全指出
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Numonyx DRAM LED 手机
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