吴锦帆（电子科技大学电子科学与工程学院 四川 成都 610054） 摘 要：本文介绍了一种通过改进LDMOS的器件结构，提升以LDMOS搭建的功率放大器的功率附加效率大信号指标的方法。在器件仿真环境中，通过对LDMOS的漂移区进行结构优化，提升器件的小信号增益，然后利用器件等效建模技术，在电路仿真环境中，搭建出功率放大器进行大信号仿真，在相同的工作条件下功率附加效率提升了约5%左右。 关键词：LDMOS；功率放大器；功率附加效率 0 引言 横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（RFLDMO
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202006
LDMOS
功率放大器
功率附加效率
近日，埃赋隆半导体（Ampleon）现在面向工业加热、除霜、等离子照明和医疗应用推出基于LDMOS 的BLP05H9S500P功率放大器晶体管。BLP05H9S500P的工作频率范围为423至443MHz，它可在脉冲或连续波模式下提供高达500W的输出功率，并实现迄今尚未被开发利用的75%的典型漏极效率水平。这种一流特性可使所需的制冷量降至最低，同时还可节省空间和运营成本。此外，该产品还专门设计了轻便的推挽式晶体管放大器，它可以在50V电压下在所有相位上承受10:1的驻波比(VSWR)，而不会造成损坏或性
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LDMOS
VSWR
数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。 与LDMOS相比，硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率，将每单位面积的功率提高4到6倍，并且可扩展至高频率。同时，综合测试数据已证实，硅基氮化镓符合严格的可靠性要求，其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。 硅基氮化镓成为射频半导体
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氮化镓
LDMOS
横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)今天宣布与远创达科技公司签署一份LDMOS射频功率技术许可协议。远创达是一家总部位于中国苏州的无晶圆厂的半导体公司，专业设计制造射频功率半导体产品、模块和子系统集成。 导电通道短且击穿电压高使LDMOS器件适用于无线通信系统基站射频功率放大器以及商用和工业系统的功率放大器。意法半导体与远创达的合作协议将扩大意法半导体LDMOS产品的应用范围。 协议内容保密，不对外披露。
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意法半导体
LDMOS
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，
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射频功率晶体管
耐用性
LDMOS
本文介绍了氮化镓的发展历程，并与砷化镓和LDMOS进行对比与分析，介绍了氮化镓在军事、无线基站及射频能量等方面的特性和未来发展的广阔市场。
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氮化镓
砷化镓
LDMOS
201701
2016年8月29日，每年一次循例来为华为RF工程师讲课的Qorvo高级Fellow Bill Boesch在深圳接受了专访，他说：“4G、5G基站大功率射频(RF)元件市场正在发生变革，原有的占主导地位的LDMOS元件虽有成本较低的优势，但市场份额正在出现下滑态势，代之而起的是新兴的GaN元件，它因其能够节省更大功率的优势正在基站RF市场上快速增长。”
他特别提到，5G现在频谱标准还没有定，有可能会选择4-5GHz或更高至毫米波频段。对于手机终端来说，如果5G频段在4-
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5G
LDMOS
随着人们对数据速率要求越来越高，直接导致无线通信系统带宽的需求也在逐步增加，也同时推动了通信技术的进一步可持续性发展。2G、3G、4G技术的相继推出，使移动业务由单一形态逐渐过渡到可同时支持语音、数据和视频等多种业务并举的盛况。目前，随着4G市场的蓬勃发展，中国移动、电信、联通都已经获得了4G的牌照，获得的频段如下表：
表1：各运营商4G牌照频段分布 从上表可以看出，4G的频率范围大约覆盖了从1700～2700MHz的频率，约1GHz的频率跨度。这对采用
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基站
LDMOS
国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA 两个频段的大功率330W LDMOS，器件型号为PXAC203302FV。该器件适用于1880-2025MHz频段，可以用于基站多载波射频功率放大器。PXAC203302FV采用非对称Push-Bull结构，载波功放130W，峰值功放200W，在非对称Doherty功放中可以实现更高的效率。
PXAC203302FV特性：
宽带内部输入、输出匹配
适用于非对称Doherty设计：Main: 130W, Peak:
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TD-SCDMA
LDMOS
LDMOS(LateralDiffusedMetalOxideSemiconductorTransistor，横向扩散金属氧化物半导体)以其高功率增益、高效率及低成本等优点，被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领域。射频大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作频率和高的性价比，已成为3G手机基站射频放大器的首选器件。
随着IC集成度的提高及器件特征尺寸的减小，栅氧化层厚度越来越薄，其栅的耐压能力显著下降，击穿电压是射频LDMOS器件可靠性的一个重要参数，它不仅决定了其输出功率，还决定了器件
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LDMOS
RFIC
射频放大器
RF功率行业的领导者飞思卡尔推出了第二代Airfast™ RF功率解决方案，为高级无线架构设备(包括GSM/UMTS、CDMA/W-CDMA、LTE和 TD-LTE应用)提供了全新级别的性能。
飞思卡尔最新的Airfast系列RF功率解决方案基于成功且具备卓越性能的上一代产品，包含了28V独立和单级功率放大器。在充分利用并增强了第一代Airfast电路、模具、匹配网络和封装技术的基础上，飞思卡尔凭借新一代Airfast技术(包括首次推出RF功率LDMOS部件，从而在Doherty配置
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飞思卡尔
RF
Airfast
LDMOS
201407
射频(RF)功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体日前宣布11个全新商用的射频功率LDMOS产品全面上市，这个产品可满足美国国防电子产品应用的要求，这是2013年6月公布的公司射频功率业务战略防御计划发布的首套产品。 飞思卡尔现在为美国国防系统客户提供与其他市场相当的支持水平，使客户可以优化这些射频器件的性能，适合雷达、军用通信和电子战的应用。这些产品包含在飞思卡尔产品长期供货计划中，根据不同产品可确保最低10年或15年的产品供应。 此外，飞思卡尔射频国防市场专家组成的专门团队拥有符合I
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飞思卡尔
LDMOS
RF
国防
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
关键字：
射频
抗击穿
LDMOS
埋层
漂移区
衬底
摘要：LDMOS RF功率放大器因其极高的性价比在GSM和CDMA基站市场占据了主导地位。使用LDMOS放大器时，保证高性能 ...
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DS4303
LDMOS
RF
功率放大器
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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ADS
晶体管
基站功率放大器
仿真
LDMOS
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此
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优势
使用
特点
结构
LDMOS
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，这种产品
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LDMOS
大功率
测试
晶体管
飞思卡尔推出RF LDMOS功率管 可在阻抗失配条件下使用,飞思卡尔半导体日前推出一款RF LDMOS功率管，工作频率为1.8至600 MHz ，最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界
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LDMOS
飞思卡尔
功率管
阻抗
TD-SCDMA(时分同步码分多址接入)是第三代移动通信三大主流标准之一，是我国具有自主知识产权的通信标准，它标志着中国在移动通信领域已经进入世界先进行列，目前，TD-SCDMA的商用化进程正在顺利地进行之中[1]。TD-
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功率放大器
射频
TD-SCDMA
LDMOS
基于
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术 ...
关键字：
LDMOS
LDMOS的性能概述 与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6d ...
关键字：
LDMOS
性能
制造工艺
摘要：本文介绍采用直接检测LDMOS 漏端电压来判断其是否过流的设计方案，给出了电路结构。通过电路分析，并利用BCD 高压工艺，在cadence 环境下进行电路仿真验证。结果证明：该方法能够快速、实时地实现过流保护功能
关键字：
是否
方案
判断
电压
LDMOS
检测
摘要：文中针对高压节能应用领域，开发了一种基于超薄外延技术的双扩散BCD兼容工艺，实现了一种新型D-RESURF结构的700V LDMOS设计。结构中N型外延的厚度减小为4．5mu;m，漂移区长度缩减至70mu;m，使得芯片面积和制
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D-RESURF
LDMOS
设计
新型
扩散
超薄
外延
技术
基于
飞思卡尔半导体近日推出其下一代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）射频功率晶体管，以满足蜂窝发射器降低功耗的...
关键字：
LDMOS
Infineon的LDMOS功放管凭优良的产品质量性能已广泛应用在移动通信设备中，在国内外不少知名通信设备生产商的设备中Infineon的功放管都占有一定的份额。
其中，Infineon专门为了满足移动通信市场需求设计了应用频率范围为700MHz到2.2GHz的4W、8W、12W宽带功放管，增益在900MHz为19dB,2.1GHz为16dB，漏极供电为直流28V，线性指标良好，效率高。这三个不同功率等级的功放管封装结构完全一样，电路简单可相互兼容。该类功放管超宽的工作带宽及同封装不同功率等级的
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Infineon
LDMOS
移动通信
英飞凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一，其前身是西门子集团的半导体部门。在中国，英飞凌先进的半导体解决方案已广泛应用于各个领域，该公司凭借其雄厚的技术实力和全球领先的经验，与包括中兴、华为、方正、握奇等国内领先厂商展开深入合作，为中国电子行业的腾飞做出应有的贡献。
在LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)晶体管方面，英飞凌立足于最先进的LDMOS工艺技术和改善散热性能的封装，这家公司可制造门类齐全的RF功
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英飞凌
晶体管
LDMOS
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射频研发的投资，2010年上半年先后在中国上海以及美国马塞诸塞州比尔里卡市(近波士顿)开设两家恩智浦高性能射频(RF)产品技术中心。中心主要从事射频/微波集成电路(IC)设计，涉及领域包括国防航空、工业、科学和医学卫星接收器及宽带通信中等。其中，于年内第一季度成立的上海恩智浦高性能射频产品技术中心，特别致力于为大中华区域的客户提供更及时周到的服务，包括从射频前端到末级放大器的射频器件设计开发、技术支持、售后服务等一条龙全方位射频解
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NXP
射频
LDMOS
ldmos介绍
横向扩散金属氧化物半导体
LDMOS
lateral double-diffused metal-oxide semiconductor
LDMOS技术是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。 与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高，L [
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