- 摘要：文中针对高压节能应用领域，开发了一种基于超薄外延技术的双扩散BCD兼容工艺，实现了一种新型D-RESURF结构的700V LDMOS设计。结构中N型外延的厚度减小为4．5mu;m，漂移区长度缩减至70mu;m，使得芯片面积和制
- 关键字：
D-RESURF LDMOS 设计 新型 扩散 超薄 外延 技术 基于
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