flash 文章 进入flash技术社区
一种矢量信号发生器设计与实现
- 摘要：充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉电不消失、MATLAB/Simulink易产生矢量信号的特点，以FPGA为逻辑时序控制器，设计并实现了一种灵活、简单、低成本的矢量信号发生器。本文以产生3载波WCDMA为例，详细介绍了矢量信号发生器的设计方案与实现过程，使用Verilog HDL描述并实现了DDR2 SDRAM的时序控制和FPGA的逻辑控制。
- 关键字： DDR2 SDRAM FLASH 201205
FLASH在MSP430F149嵌入式系统中的应用
- NAND Flash是采用NAND结构技术的非易失存储器，具有ROM存储器的特点，存储在该芯片中的数据可在断电情况下维持1 ...
- 关键字： K9F1G08U0M MSP430F149 FLASH
“BIWIN首届Nand Flash应用高峰论坛”侧记
- 2012年，随着智能手机、平板电脑、Ultrabook的井喷式爆发，有一种半导体器件会受到产业的万众瞩目----这就是Nand Flash，Gartner预估今年NAND Flash市场增长18%! 年初以来，NAND Flash大厂英特尔、东芝、海力士、三星、美光等均有扩增新产能计划，各大厂工艺纷纷转向20nm，三星西安建厂发力10nm Nand Flash!可以说，一场围绕Nand Flash应用的存储大变革正在进行，Nand Flash应用变革给本土业者带来哪些机遇?智能手机、平板电脑供应商如何看待
- 关键字： BIWIN Nand Flash
存储技术变局为中国制造带来了什么机遇？
- 纵观半导体发展历史，一种新兴技术的出现，影响的不只是个别公司的兴衰，更是推动了某个产业的转型，新技术是变革者赶超传统技术列强的利器，也是产业升级的动力源，当年的光盘存储技术兴起，就带动了中国整体光盘机产业，现在，我们又将迎来新一轮的存储技术变局---以NAND FLASH为代表的半导体存储技术会给我们的本土企业带来了什么机遇?这里结合自己的体会聊做分析。
- 关键字： 泰胜微 存储 NAND FLASH
flash介绍
闪存（Flash ROM）：
是一种电擦除非易失型存储器，由浮栅型场效应管构成，写入时，利用热电子注入，使浮栅带电；擦除时，则利用高压下的隧道效应，使浮栅失去电子。
FLASH闪存是半导体技术，内部是相对静态的，体积小，抗震性很高（便于携带）。加上半导体技术发展很快，价格下降也很快，这是目前的MP3大多数是用FLASH闪存的原因。
[ 查看详细 ]
flash相关帖子
flash资料下载
flash专栏文章
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473