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MCU内嵌Flash内存成趋势

  •   因应MCU成长快速及程序数据储存需要,MCU内嵌Flash内存设计成为主流趋势,MCU大厂也纷纷以购并或结盟掌握内嵌Flash的相关IP与制程技术。本文将探讨内嵌FlashIP制程技术,为下一代FlashMCU带来的技术变革。   
  • 关键字: MCU  Flash  

基于FLASH的嵌入式存储系统设计

  • 基于FLASH的嵌入式存储系统设计,1 引言

    FLASH(闪速存储器)作为一种安全、快速的存储体,具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点,已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。由于FLASH在结构和操作方式上与硬盘、E2ROM等其
  • 关键字: 系统  设计  存储  嵌入式  FLASH  基于  

分析称台系DRAM厂明年可望大幅增长

  •   据集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 日前发布研究报告指出,在台系 DRAM 厂中,南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素,使产出可能大幅成长年增率150%。   南科除今年将12寸月产能从3万6千片提升至5万片,明年上半年可达6万片,华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片,同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm,预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠,以品牌销售颗料计,南科明年将成为台湾DRA
  • 关键字: 南科  DRAM  Flash  

NAND Flash跌价深 上游大厂开始对模块厂让步

  •   NAND Flash价格经历一段大修正后,原本对于价格谈判完全不肯让步的上游NAND Flash大厂,在面对库存节节攀高的情况下,态度已开始松动,部分模块厂开始回补一些库存,不过,全球两大NAND Flash阵营三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)则因为有苹果(Apple)订单的撑腰,对于价格仍是相当强硬,显示苹果仍是NAND Flash产业的唯一大补丸。   近期NAND Flash价格修正颇深,除了欧洲和美国市场需求不佳,尤其是返校需求完全是虚晃一招外,大陆
  • 关键字: 三星电子  NAND  Flash  

分析称台系DRAM厂2011年可望大幅增长

  •   据集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 日前发布研究报告指出,在台系 DRAM 厂中,南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素,使产出可能大幅成长年增率150%。   南科除今年将12寸月产能从3万6千片提升至5万片,明年上半年可达6万片,华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片,同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm,预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠,以品牌销售颗料计,南科明年将成为台湾DRA
  • 关键字: 南科  DRAM   Flash  

台系DRAM厂的转型与挑战

  •   根据集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部门DRAMeXchange最新研究报告指出,台系DRAM厂中,南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素,使产出可能大幅成长年增率150%。南科除今年将12吋月产能从3万6千片提升至5万片,明年上半年可达6万片,华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片,同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm,预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠,以品牌销售颗料计,南科明年将成为台湾DRAM厂之冠。   
  • 关键字: 南科  DRAM  Flash  

NAND Flash市况两极 静待8月底补货潮

  •   2010年NAND Flash产业真是十分惨淡的1年,好不容易熬到第3季传统旺季,8月初合约价却还是跌不停,存储器业者表示,苹果(Apple)、诺基亚 (Nokida)等大厂需求仍十分强劲,但零售市场买气不振,模块厂拿货意愿不高,把平均合约价给拉下来,其中,三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)主要供应苹果,走货较顺畅,但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特尔(Intel)等传出库存水位较高,但又不愿降价,与模块厂陷入僵局。   近期大陆因为亚运因素,
  • 关键字: Apple  NAND  Flash  

采用外接Flash存储器件对SOPC系统开发的实现

  • 采用外接Flash存储器件对SOPC系统开发的实现,1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表现在两方面:一方面,可用Flash来保存FPGA的配置文件,从而可以省去EPCS芯片或解决EPCS芯片容量不够的问题。当系统上电后,从Flash中读取配置文件,对FPGA进行配置。
  • 关键字: 系统  开发  实现  SOPC  器件  Flash  存储  采用  

DSP外部Flash存储器在线编程的软硬件设计

  • 摘要:详细介绍DSP与Flash存储器的两种硬件接口方式及在线编程,分析了两种硬件接口方式下在线编程的区别,给出了相应的在线编程核心代码并在实际电路上测试通过,可作为DSP嵌入式系统设计的参考。
    关键词:在线编程
  • 关键字: 编程  软硬件  设计  在线  存储器  外部  Flash  DSP  

VxWorks文件系统、Flash的TFFS设计与实现

  • VxWorks文件系统、Flash的TFFS设计与实现,0 引言

    在VxWorks的应用系统中,基于flash的文件系统通常都采用DOS+FAT+FTL的结构。

    一般情况下,磁盘文件系统大多是基于sector的文件系统,磁盘按照物理上分为柱面、磁盘、扇区,扇区是基于块的文件系统操作的
  • 关键字: 设计  实现  TFFS  Flash  文件  系统  VxWorks  

U-Boot从NAND Flash启动的实现

  • 摘要:U-Boot不能从NAND Flash启动给应用带来些不便,因此修改U-Boot使其支持从NAND Flash启动。分析了U-Boot启动流程的两个阶段及实现从NAND Flash启动的原理和思路,并根据NAND Flash的物理结构和存储特点,增加U-
  • 关键字: 实现  启动  Flash  NAND  U-Boot  

使用用CPLD和Flash实现FPGA的配置

  • 电子设计自动化EDA(ElectronicDesignAutomation)是指以计算机为工作平台,以EDA软件为开发环境,以硬件描...
  • 关键字: CPLD  FPGA  Flash  RAM  EDA  VHDL  

并行NOR Flash在SOPC开发中的应用设计

  • 引言随着FPGA技术的发展,出现了一种新概念的嵌入式系统,即SOPC(SystemOnProgrammableChip)。SOPC技...
  • 关键字: FPGA  SOPC  NOR  Flash  嵌入式  
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flash介绍

闪存(Flash ROM): 是一种电擦除非易失型存储器,由浮栅型场效应管构成,写入时,利用热电子注入,使浮栅带电;擦除时,则利用高压下的隧道效应,使浮栅失去电子。 FLASH闪存是半导体技术,内部是相对静态的,体积小,抗震性很高(便于携带)。加上半导体技术发展很快,价格下降也很快,这是目前的MP3大多数是用FLASH闪存的原因。 [ 查看详细 ]

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