- 要可靠启动DSP系统中用户代码，关键是Flash正确可靠烧写。提出了一种基于CCS简单、容易理解的直接烧写方法。通过恰当设置COFF代码段，保存运行地址必需的DATA，以在线编程的方式将保存的DATA烧写到外部Flash中。采用TMS320C6711 DSP试验板，对Flash烧写上电加载后，DSP能够正确、稳定的运行。给出了直接烧写方法，操作简便，容易掌握，为DSP系统中Flash的烧写提供了一条有效解决途径。
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Flash CCS DSP 烧写
- 0 引 言
目前，随着电子技术的不断发展，计算机技术也得到飞速的发展，产生了很多新技术。但就计算机的基本结构来说，还是基本采用了冯・诺依曼结构。然而冯・诺依曼结构的一个中心点就是存储一控制，所以存储器
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VxWorks FLASH NAND 驱动
- 基于FPGA的高速大容量FLASH存储,1、引言
数字电路应用越来越广泛，传统通用的数字集成芯片已经难以满足系统的功能要求，随着系统复杂程度的提高，所需通用集成电路的数量呈爆炸性增值，使得电路的体积膨大，可靠性难以保证 [1]。因而出现了现场可编
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FLASH 存储 大容量 高速 FPGA 基于
- Flash存储器已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。但是在对Flash进行编程或擦除的操作过程中，如果单片机需要处理一些紧急的情况(如中断、数据存储等等)，就需要暂停相对比较消耗时间的Flash编程/擦写过程，优先处理这些紧急情况。这对Flash存储器的工艺水平及控制技术提出了更高的要求。
瑞萨公司推出的R8C/1B单片机采用改进的Flash存储器工艺，大大缩短了编程/擦除挂起的时间，使其能够更加及时地响应中断或进行其他操作。
Flash编程/擦除挂起功能
所谓挂起功能，是
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瑞萨 R8C Flash
- 随着EDA(电子设计自动化)技术的发展和可编程逻辑器件性能的不断提高，基于FPGA的可编程片上系统技术为系统设计提供了一种简单、灵活、高效的途径。基于NiosII的可编程片上系统(SoPC)设计中，几乎所有的应用设计都需要使用Flash存储器，而Flash的编程必需相应的目标板Flash编程设计支持。结合实际应用详细论述了目标板Flash编程设计的创建及应用。
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Flash SoPC 编程
- 1．引言 随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大，FLASH型存储器的用量迅速增长。FLASH芯片由于其便携、可靠、成本低等优点，在移动产品中非常适用。市场的需求催生了一大批FLASH芯片研发、
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FLASH 存储器 测试 方法研究
- 全球有线和无线通信半导体市场的领导者Broadcom(博通)公司和Adobe系统公司今天宣布，双方将展开工程合作，在基于英特尔原子处理器的平台上、以硬件加速方式播放基于Adobe Flash技术的高清视频内容。双方的合作为在基于英特尔原子处理器的上网本电脑和上网机上实现丰富、无缝的娱乐体验铺平了道路，从而使用户能以新的方式访问和使用全球流行的在线服务提供商提供的Web内容。
通过双方的合作，Adobe Flash平台的关键组件之一Adobe Flash播放器软件将得到Broadcom Cryst
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Broadcom Flash 硬件加速
- 功耗敏感应用的设计人员如今面对前所未有严格的系统总体功耗限制、规范和标准。与此同时，这类应用所要求的功...
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FPGA 低功耗 Flash
- 瑞萨科技公司（以下简称“瑞萨”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存储器微控制器（Flash微控制器）。这个系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成员，它为AC伺服、FA（工厂自动化）设备、楼宇自动化（空调和电力监控设备）和各种通信设备等工业应用实现了200 MHz操作和大量内置式外设及通信功能。SH7216系列包含12个产品群的36款器件，其片上存储器容量和封装类型各有不同。
这些产品的主要特性如下：
(1) 达到
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瑞萨 RISC 32MCU Flash SuperH
- 以提供多种基于Flash和反熔丝技术的低功耗、高可靠性单芯片FPGA而著称的Actel公司，在全球经济出现下滑的2008...
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FPGA Flash LCD
- 集邦科技(DRAMeXchange)表示，2月下旬NAND Flash(闪存)合约价格呈现上扬，现货价格方面却已经开始下跌；然而，目前现货市场仍处于多空未明状态，观望气氛浓厚，买家不敢贸然抢进。
集邦表示，2月下旬主流MLC NAND Flash合约均价约上涨8%到36%，SLC合约价则维持平盘，价格上涨的主要原因是今年首季国际大
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集邦 NAND Flash
- 据EE Times网站报道，市场研究公司DRAMeXchange的分析显示，全球NAND flash产能继2008年减少近28%之后，2009年将再降59%。
2009年NAND flash位增长幅度将较2008大64%，而2007年位增长率高达133%。如果需求在下半年恢复且供应商控制其产出增长，那供应过剩的局面可能得到改善，NAN
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DRAMeXchange flash
flash介绍
闪存（Flash ROM）：
是一种电擦除非易失型存储器，由浮栅型场效应管构成，写入时，利用热电子注入，使浮栅带电；擦除时，则利用高压下的隧道效应，使浮栅失去电子。
FLASH闪存是半导体技术，内部是相对静态的，体积小，抗震性很高（便于携带）。加上半导体技术发展很快，价格下降也很快，这是目前的MP3大多数是用FLASH闪存的原因。
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