开关电源作为当下电控系统中的基础、主流的装置，被广泛应用于计算机、通信、电子设备等诸多应用，且由于其不存在替代设备，因此市场规模十分庞大。随着“低碳时代”的到来，电子设备日趋小型化、轻薄化、节能化，开关电源的市场规模也迎来了进一步的增长。全球电源市场规模预测根据Markets and Research发布的数据显示，全球电源市场规模将从2018年的225亿美元增长到2023年的349.2亿美元，2018-2023年的复合年增长率为6.7%。图1（图源：中商产业研究院）影响开关电源的因素众所周知，开关电源是
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贸泽电子 开关电源 EMI
PD18W,EMC的整改历程，希望能给朋友们有所帮助。 EMI分为传导与辐射两部分，对于EMI解决方案，相关理论书籍也很多，作为一位电源产品开发工程师，即使你看了很多EMI处理方面的书籍，但碰到处理EMI问题，还是无从下手，或是不能对症下yao，在这儿我们不妨先抛开让人难以理解的理论，针对我们在处理实际EMI问题的一些经验对策总结，也欢迎有同样经验的工程师也来发表自己的看法，把自己的经验分享给大家。 根据开关电源产生共模、差模干扰的特点，将整个频率范围划分为3个部分： 即0.15-0.5MHz差
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开关电源 EMI
本文介绍一种应用在液晶电视机中的预防EMI的设计方法，通过实际测试数据表明，该方法实用性强、易于实现，文中分析了该设计方法的具体实现方法，以及在实际电路中的具体应用。
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经济 高效 EMI 202202
高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作，经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效，本文结合大量失效品分析与电路设计分析，对IGBT失效原因及失效机理分析，分析结果表明：经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析及整机相关波形检测、热设计分析、IGBT极限参数检测对比发现IGBT失效由多种原因导致，IGBT在器件选型、器件可靠性、闩锁效应、驱动控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析论证后从IGBT本身及电路设计方面全部提升IGBT工作可靠性。
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主动式PFC升压电路 IGBT SOA 闩锁效应 ESD 热击穿失效 202108 MOSFET
非对称双向可控硅（ADDSCR）是在考虑了保护环结构之后，为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构，但是其维持电压较低，容易闩锁。为了提高传统ADDSCR的维持电压，基于0.18 μm BCD工艺，设计维持电压高的HHVADDSCR。经TCAD仿真，证明HHVADDSCR具有高维持电压，避免了闩锁，且器件适用于传输电平在18~60 V的芯片信号端口的静电保护。
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202107 非对称可控硅 维持电压 ESD 闩锁效应
分析了超结结构功率MOSFET在开关过程中由于Coss和Crss电容更强烈的非线性产生更快开关速度的特性；给出了不同外部驱动参数对开关过程的dV/dt和di/dt的影响；列出了不同驱动电路开关波形及开关性能的变化。最后，设计了优化驱动电路，实现优化的EMI结果，并给出了相应驱动电路的EMI测试结果。
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202106 超结 驱动 EMI 非线性 MOSFET
基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布推出一系列ESD保护器件，专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口，特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。 随着数据传输速率的提高和车载电子含量的增加，EMC保护的需求变得越来越重要，提供正确的保护类型已成为设计工程师的巨大挑战。Nexperia的TrEOS技术优化了ESD保护的三大关键参数（信号完整性、系统保护和鲁棒性），以提供具有低电容、低钳位电压和高ESD鲁棒性的理想组合的器件。 全新的PESD4USBx系列总共包括十二款采用Tr
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Nexperia 高速接口 ESD
德州仪器(TI)近日推出了全新的同步直流/直流降压控制器系列，此类器件支持工程师缩减电源解决方案的尺寸并降低其电磁干扰(EMI)。LM25149-Q1和LM25149采用集成式有源EMI滤波器(AEF)和双随机展频(DRSS)技术，使工程师能够将外部EMI滤波器的面积减半，在多个频带上将电源设计的传导EMI降低多达55 dBµV，或者同时缩减滤波器尺寸和降低EMI。降低电源中的EMI是一项日益严峻的设计挑战，尤其是随着高级驾驶辅助系统(ADAS)、汽车信息娱乐系统与仪表组、楼宇自动化以及航空航天和国防设计
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ADAS EMI
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出全新产品PCMFxHDMI2BA-C，这款集成了ESD保护功能的共模滤波器具有超过10 GHz差分带宽。它适用于高达12Gbps 的最新HDMI 2.1标准，能够轻松通过眼图测试。 Nexperia高速保护和滤波产品经理Stefan Seider说：“HDMI 2.1使显示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是，这需要更优秀的抗干扰保护，尤其是在紧凑的无线应用中，这些2合1的ESD和滤波组合器件的性能和小尺寸非常适合对性能和空间有要求
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Nexperia ESD
当我们推进功率密度创新以帮助工程师将更多电源封装到更小空间时，企业和消费者将从更高效、更持久的电子器件和更可靠的数字联接中受益。人们期望电子器件能够在任何时间、任何有需要的地方工作。这些器件不分昼夜地通电运作——开启线上会议、播放人们喜欢的电视节目并使人们相互连接。德州仪器副总裁暨升压与多通道/多相位DC-DC产品线总经理Cecelia Smith称：“我们当前的环境与通过技术来实现的彼此之间的可访问性息息相关。想象一下你每天多么依赖笔记本电脑和智能手机，以及通过云服务器实现的视频会议应用。这些都需要更高
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EMI
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保护器件，这些器件通过了AEC-Q101认证，适用于车规级应用，并且可承受高达175°C的高温。同时，与所有TrEOS器件一样，这些新的车用器件具有很低的电容，可确保高信号完整性，并具有很低的钳位电压和高稳健性，适用于新的车载接口。具体的车载应用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娱乐、多媒体与ADAS系统。 Nexperia的TrEOS ESD保护技术利用有源可控硅整流来克服传统保护
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Nexperia 车用TrEOS ESD
5 推动电源管理变革的5大趋势电源管理的前沿趋势我们矢志不渝地致力于突破电源限制：开发新的工艺、封装和电路设计技术，从而为您的应用提供性能出色的器件。无论您是需要提高功率密度、延长电池寿命、减少电磁干扰、保持电源和信号完整性，还是维持在高电压下的安全性，我们都致力于帮您解决电源管理方面的挑战。德州仪器 (TI)：与您携手推动电源进一步发展的合作伙伴 。1 功率密度提高功率密度以在更小的空间内实现更大的功率，从而以更低的系统成本增强系统功能2 低 IQ在不影响
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QFN EMI GaN MCM
严苛的汽车和工业环境中的噪声敏感型应用需要适用于狭小空间的低噪声、高效率降压稳压器。通常会选择内置MOSFET功率开关的单片式降压稳压器，与传统控制器IC和外部MOSFET相比，这种整体解决方案的尺寸相对较小。可在高频率（远高于AM频段的2 MHz范围内）下工作的单片式稳压器也有助于减小外部元件的尺寸。此外，如果稳压器的最小导通时间(TON)较低，则无需中间稳压，可直接在较高的电压轨上工作，从而节约空间并降低复杂性。减少最小导通时间需要快速开关边沿和最小死区时间控制，以有效减少开关损耗并支持高开关频率操作
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EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
航空航天系统依赖于引擎控制单元、环境控制、仪器和执行器中的数字和逻辑功能与电路才能完成关键的工作。数据中心、5G基础设施和通信系统同样依赖于复杂的电路，而这些电路需要得到妥善保护。即便有闪电、太阳活动和电磁事故引起的电压浪涌和尖峰，系统仍必须保持连续运行。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出其最新瞬态电压抑制器（TVS）垂直阵列产品组合 — MDA3KP瞬态电压抑制器（TVS）。 该3kW二极管系列拥有超过25款产品，具有不同的筛选级别、极性和认证标
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TVS SBD ESD EFT MSL RTCA
继分别推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC电源控制芯片后，为满足客户更广的应用范围及更低的价格需求，金升阳推出超低静态功耗、内置高压MOS且性价比更高的新产品—SCM1733ASA。一、芯片介绍SCM1733ASA 是应用于中小功率AC/DC反激式开关电源的高性能电流模式PWM控制器，内置高压功率MOS，最大输出功率达20W，待机功耗＜75mW，具有极低的启动电流和工作电流，可在实现低的损耗的同时保证可靠启动。芯片满载工作时，PWM开关频率固定；降低负载后，进入绿色模式，开关频率降低；在空载和轻载时，
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EMI PWM MOS
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