- 在电子产品开发中ESD静电防护是不可或缺的一环，下面就为大家简单介绍一下，核心板产品开发时有用的ESD二极管知识和技巧。ESD管的介绍ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护元器件，又称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要应用于各类通信接口静电保护，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等
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ZLG 嵌入式 ESD
- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。 Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示：“Nexperia开发了TrEOS产品组合，专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt
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Nexperia 高速数据线 TrEOS ESD 保护器件
- TDK的多层贴片式压敏电阻产品阵容齐全，可保护设备因受ESD（静电放电）影响而引发的故障和误动作，能帮助客户有效解决ESD问题。但随着用户设备的小型化、轻量化和高功能化，以前效果出众的多层贴片式压敏电阻产品也出现了无法充分发挥保护效果的情况。为了查明原因，我们以客户设备的小型化为前提进行了ESD实验，本期推文就来为您详细介绍通过此次实验得出的各数据与结果。5G技术的发展实现了设备之间的相互协作和实时通信，也对设备的设计提出了更高的要求，比如更小、更轻、更低功耗、更高功能、长期运行、高可靠性、更高的EMC耐
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TDK ESD
- 作为昂贵的传统大型无源滤波器的出色替代品，有源电磁干扰滤波器 (AEF) 可以帮助设计人员应对不断增加的 EMI挑战、提高功率密度以及降低电源解决方案的成本。参考文献展示了在德州仪器 (TI) LM25149-Q1 降压控制器中实施 AEF 后，尺寸减小大约 50%，体积减小超过75%。大多数 AEF 使用基于运算放大器的有源电路来检测噪声并注入适当的消除信号以降低 EMI，例如 LM25149-Q1 中集成的 AEF。为了使用这种 AEF 实现出色性能，运算放大器电路需要保持稳定且运算放大器应处于非饱和
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TI EMI
- ESD，是静电放电(Electrostatic Discharge)是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。ESD是一种常见的近场危害源，可形成高电压，强电场，瞬时大电流，并伴有强电磁辐射，形成静电放电电磁脉冲。静电的来源在电子制造业中，静电的来源是多方面的，如人体、塑料制品、有关的仪器设备以及电子元器件本身。人体是最重要的静电源，这主要有三个方面的原因：1、人体接触面广，活动范围大，很容易与带有静电荷的物体接触或摩擦而带电，同时也有许多机会将人体自身所带的电荷转移到器件上或者通过器件
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ESD 静电放电
- 将一个电容充电到高电压（一般是2kV至8kV），然后通过闭合开关将电荷释放进准备承受ESD冲击的“受损”器件（图1）。电荷的极性可以是正也可以是负，因此必须同时处理好正负ESD两种情况。 (1)HBM(Human Body Model)，人体放电模型； 指带电荷的人体与集成电路产品的管脚接触并发生静电荷转移时，产生的ESD现象。 人体等效电阻约1500欧姆，等效电容值为lOOpF，Ls与Cs寄生电感和电容。该ESD放电产生电流波形的上升时间在2~10ns范围内，持续时间在150~200ns范围内
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ESD 静电放电
- ESD（Electrostatic discharge），中文释义为静电放电。 造成静电放电有多种原因，但最常见的是静电和静电感应。静电通常是通过摩擦充电产生的，而静电感应则是作为物体的电荷重新排列而产生的。通常，当一个物体的表面获得负电子而另一个物体失去电子并带正电时，就会产生摩擦充电。当带相反电荷的物体相互接触时，电子传递能量然后分离，形成一种电荷接触带电。 在工业生产中静电放电会导致两种类型的电气设备损坏，具体如下： 灾难性的：造成永久性伤害。 潜伏性的：几乎检测不到，已经对组件造成损伤
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ESD 静电放电
- 记得小学时候的自然课上老师用冬天脱毛衣时的火花向年少的我们描述静电的情形，那时候不禁对大自然肃然起敬。没想到很多年之后学习集成电路课程，又一次跟静电有了接触，只是这一次没有年少时的轻松与愉悦。静电放电（Electrostatic Discharge, ESD）很容易造成电子元件或电子系统遭受过度电应力而被永久破坏。静电放电破坏的产生，大多数是由于人为因素造成的，但又很难避免。在芯片制造、生产、测试、搬运等过程中，静电会积累在人体、仪器、设备之中，甚至芯片本身也会积累静电，这些静电一旦在某些情况下形放电通路
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ESD 静电放电
- IoT的发展带动各式各样产品的互联互通，智慧城市，智慧家庭，智慧交通等等贴近生活的方方面面也都是这样。万物相连，万物互通，就是物联网的初衷。时下智慧汽车行业也将传统汽车行业拉进了智能化，让自动驾驶，让ADAS，让360环视等等高科技技术都应用在了汽车身上。汽车上有最复杂的传感感知系统，有最先进的控制单元，有最安全的数据通讯和存储。这一切的一切，都体验出科技的发展。品佳集团一直致力于汽车行业产品方案的设计与推广，同时也会配合在汽车市场占有主导地位的NXP公司开发一些汽车产品方案。此前NXP分别在第一代日间行
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- Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布其符合汽车规格的 DC-DC 转换器系列又添新成员。 AP64060Q 是一款 600mA 的同步降压转换器器件，输入电压范围为 4.5V 至 40V。它集成了了 600mΩ 的高侧功率 MOSFET 和 300mΩ 的低侧功率 MOSFET，可提供高效的降压转换 (效率达 90%)，且占用的 PCB 机板空间最小。AP64060Q 专门设计用于汽车动力系统、信息娱乐系统和仪表组件，以及用于车辆的外部照明。AP64060Q 具有非常低的
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Diodes 同步降压转换器 EMI
- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其超低钳位和超低电容ESD保护二极管系列产品组合。该产品组合旨在保护USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽车A/V监视器、显示器和摄像头等高速数据线。此外，该产品组合还旨在解决未来高速视频链路以及开放技术联盟MGbit以太网应用。 新晋产品包括2引脚单线器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超紧凑型DFN1006BD-2封装，同时优化了布线灵活性。此外，还有两款采用DFN1006-3封装的3引脚
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Nexperia 超低电容 ESD 保护二极管 汽车数据接口
- 作为国巨集团（YAGEO）的一部分和全球领先的电子元器件供应商，基美电子（KEMET）宣布推出其新的GTX系列金属外壳三相滤波器。该系列满足了对EMI-RFI滤波器日益增长的需求，借此即可抑制通用逆变器和医疗电源中的电磁传导噪声。KEMET GTX金属外壳滤波器可满足具有各种特性的三相EMC要求。这些滤波器采用纳米晶磁芯制作，以紧凑的尺寸实现了出色的阻尼和衰减特性，并具有更宽的频率范围。此外，还可以选择六种不同的Y电容器组合，从而支持各种设备拓扑。这些滤波器是业内容积效率最高的滤波器。由于其高机械密度，它
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KEMET EMI-RFI 三相滤波器EMC
- 为了帮助EMC工程师满足日益增长的测量速度要求，罗德与施瓦茨在科隆EMV 2022展会上推出了一个颇具特色的宽带解决方案，能够在保持高动态范围和测量精度的前提下实现高达970 MHz的实时测量带宽。随着新方案推出，R&S ESW EMI测试接收机带宽可扩展至1GHz, 成为业内同类产品中高带宽和高速度的新典范。R&S ESW EMI测试接收器提供高达1 GHz的带宽扩展为了缩短测量时间并提供更细致的干扰信号分析，R&S ESW EMI测试接收机提供的新选件R&S ESW-B
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罗德与施瓦茨 R&S ESW EMI 测试接收机 1GHz
- 产品的 EMC 认证充满挑战，但是不可避免，同时EMC 滤波器设计也绝非易事。全新的 REDEXPERT 滤波器设计工具简化了滤波器的设计过程，能够为您节省时间和金钱。 EMC（电磁兼容）认证通常是电子产品开发过程中最后一个必须克服的障碍。认证过程中，经常需要对特定电路或布线进行更改，这样会延长产品的开发周期，并提高成本。为此，伍尔特电子的“REDEXPERT”仿真平台加入了全新的“EMI 滤波器设计工具”，该工具可用于设计抑制传导差模噪音的滤波器。典型应用是 DC/DC 转换电路的输入滤波器，
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REDEXPERT EMI 滤波器 设计工具 EMC
- 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件，适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计，而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。这两款产品均使用Nexperia的成熟TrEOS技术，集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。 重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短，从而降低寄生电感，但也会意外地降低整体系统
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Nexperia USB4 ESD 二极管件
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