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全球半导体企业纷纷争霸 中国成为“搅局者”

  •   在智能化飞速发展的今天,全球半导体行业风云变幻,传统代表厂商相互竞争日益激烈。而中国正逐渐成为“搅局者”,紫光的全球并购拉开了中国半导体产业登上国际舞台的序幕。然而现在来看,前途仍然充满荆棘!   国内掀起半导体产业并购热   半导体作为世界性产业,体现着一个国家的综合实力。在日本,半导体被称为“产业大米”,是所有电子产品生产不可或缺的一种原料之一。   8月23日晚,中国紫光集团斥资240亿美元开始兴建国内首座先进存储芯片厂,消息一经传出,引得国
  • 关键字: DRAM  台积电  

全球DRAM供应量不足 HPE内存价格暴涨

  •   据消息人士透露,HPE公司自今日起将其服务器内存价格提高了20%,由于目前正处于全球范围内DRAM供应量短缺的恢复阶段,因此该服务器的相关组件成本较以往更高,从而导致了此番HPE服务器内存价格上涨。与此同时,各DRAM厂商亦迎来创纪录的销售额新高。        在一封发送给贸易客户的邮件中,HPE公司谈到了涉及了这一定价变动,并解释称:“8月21日星期一,HPE将老版本与低容量内存SKU的建议销售价格提升10%至20%。”   以下内存产品将受到影响:
  • 关键字: DRAM  HPE  

MRAM接班主流存储器指日可待

  •   随着更多业者进入MRAM市场,STT执行长Barry Hoberman在日前受访时谈到了MRAM带来的商机及其可能取代现有主流存储器技术的未来前景。   或许有人会把2016年形容为磁阻式随机存取存储器(MRAM)市场的引爆点。而在那之前,Everspin Technologies是唯一一家出货商用MRAM产品的公司。不过,就像Spin Transfer Technologies(STT)执行长Barry Hoberman一如既往地表达肯定之意:Everspin的成就有助于其他的MRAM业者铺路。
  • 关键字: MRAM  DRAM  

三星移动DRAM逆势调涨 SK海力士或可望受惠

  •   传三星电子(Samsung Electronics)与全球智能手机业者,协商提高移动DRAM(Mobile DRAM)价格过程占了上风,将有助于2017年下半的半导体事业获利表现。三星电子这项举动,可望让同为韩国存储器大厂的SK海力士(SK Hynix)跟着受惠。   韩媒Business Post引述业界看法,指出三星电子预计从2017年第4季起,针对大中华地区智能手机业者,祭出10~20%的移动DRAM价格调涨策略,部分韩媒则是指出,三星电子这项举动仅针对部分中低价智能手机业者。   韩国业界
  • 关键字: 三星  DRAM  

紫光国芯又有动作 下一代DRAM产品开发进展顺利

  •   8月21日晚,据紫光国芯发布的2017上半年财报显示,公司上半年盈利1.23亿元,同比下降17.86%。新产品开发方面,紫光国芯最新开发完成的NAND Flash已经开始了市场推广,下一代DRAM产品开发进展顺利。   作为中国半导体行业的龙头企业,紫光国芯表示,受公司持续加大可编程系统芯片、存储器芯片的研发投入等众多因素的影响,使得上半年净利润下滑。   据了解,紫光国芯主营业务为集成电路芯片设计与销售,并致力于向用户提供先进的芯片设计产品以及专业的芯片解决方案。产品主要包括智能卡芯片、特种集成
  • 关键字: 紫光  DRAM  

围绕半导体芯片设计布局,紫光国芯下一代DRAM开发顺利

  •   今年以来,全球集成电路市场增长迅速,我国集成电路产业在国家政策引导、市场需求拉动的双重作用下,继续保持了平稳快速的发展。其中,颇具产业代表的紫光国芯股份有限公司(以下简称“紫光国芯”)以“自主创新”与“国际合作”相结合的发展路径,围绕芯片设计核心业务,同时开拓了存储器芯片、智能芯片等集成电路产品相关应用市场。   8月21日晚间,紫光国芯发布了2017上半年财报,财报显示,公司上半年实现营收8.01亿元,同比增长24.01%;归
  • 关键字: 紫光国芯  DRAM  

DRAM持续火爆 再迎创纪录的营收总值

  • 虽然全球DRAM供应短缺的问题正得到逐步缓解,但供需之间仍存在充足的缺口——至少能够让各芯片制造商继续迎来创纪录的营收总值。
  • 关键字: DRAM  芯片  

台媒:大陆DRAM突破技术障碍还得靠台湾

  •   据台湾经济日报报道,大陆积极发展内存产业,但由于仍难突破三DRAM大厂的技术防线,在政策与时间压力下,反而凸显台厂扮演关键少数的重要性,业界分析台厂未来势必成为大陆首要争取合作的对象。   大陆的内存产业,目前形成紫光集团、合肥睿力及福建晋华等三大势力,但在美光发动司法调查,紧盯三大厂窃取专利和营业秘密行为后,日前紫光已表态未来将朝自主研发前进。   另合肥睿力由前华亚科副总刘大维主导的团队,仍如火如荼进行,并宣示明年要切入19nm生产DRAM;福建晋华则和联电合作,委托联电开发DRAM相关制程技
  • 关键字: DRAM  联电  

三大内存创最缺且涨势最久纪录,手机品牌包产能

  •   DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大内存会一直缺货到明年,许多客户抢货,已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。 业界指出,未签订长约的客户,内存供货将短缺,冲击产品上市或出货时程。   集邦、IC Insight等研究机构最近纷纷出具报告,强调DRAM、NAND Flash到年底都处于缺货状态;NOR Flash更因美系二大供货商淡出效应在下半年显现,缺货问题更严重。   业界表示,三大内存应用范围广,尤其NOR Flash几乎是各电子产品储存程序代码关键组件,虽然单价远比DRAM
  • 关键字: NAND  DRAM  

台媒:大陆DRAM突破技术障碍还得靠台湾

  •   据台湾经济日报报道,大陆积极发展内存产业,但由于仍难突破三DRAM大厂的技术防线,在政策与时间压力下,反而凸显台厂扮演关键少数的重要性,业界分析台厂未来势必成为大陆首要争取合作的对象。   大陆的内存产业,目前形成紫光集团、合肥睿力及福建晋华等三大势力,但在美光发动司法调查,紧盯三大厂窃取专利和营业秘密行为后,日前紫光已表态未来将朝自主研发前进。   另合肥睿力由前华亚科副总刘大维主导的团队,仍如火如荼进行,并宣示明年要切入19nm生产DRAM;福建晋华则和联电合作,委托联电开发DRAM相关制程技
  • 关键字: DRAM  SK海力士  

第二季PC DRAM合约价涨逾一成,全球DRAM营收季增16.9%

  •   集邦咨询内存储存研究(DRAMeXchange)调查显示,2017年第二季的DRAM产业营收表现再度创下新高。从价格方面来看,由于客户端已经将库存水位逐步往上提升,第二季供不应求状况虽不至于像第一季度严重,但整体仍处于供货吃紧的状况。标准型内存与服务器用内存第二季价格上涨逾一成,行动式内存则因中国品牌手机厂下修出货数量,价格仅小幅上涨5%内。   DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出,观察市场面,受惠于平均销售单价的上扬与新制程的持续转进,大规模的扩张产能至今年年底仍未见,全球DRAM市场第二
  • 关键字: DRAM  NOR  

并购路不易走 中国芯片产业如何实现自主替代?

  • 在海外并购道路障碍重重的情况下,我们通过培养积蓄人才来为中国创“芯”积攒力量,向2020年实现芯片自给率40%、2025年自给率70%的目标前进,是更为有效地打破“缺芯”现状实现自主替代的路径。
  • 关键字: 芯片  DRAM  

IC Insights:今年全球IC分类增长排行,DRAM达55%

  •   根据市场研究调查机构 IC Insights 的预估,2017 年全球 IC 市场可望成长约 16%。 其中,在DRAM将成长更将达 55%,将是 2017 年中成长幅度最大的 IC 产品。        IC Insights 表示,DRAM 市场 2013 年与 2014 年分别成长 32% 及 34%,也都是当年成长最大的 IC 产品领域。 统计过去 5 年,DRAM 市场经常是成长最大,或者衰退最大的 IC 产品项目,显示 DRAM 市场变化极端的特性。 不过,DRAM 市
  • 关键字: DRAM  IC  

背靠联电的技术,晋华存储DRAM实力能否杀出重围?

  •   在2016年7月16日,投资370亿元人民币、月产6万片12吋内存晶圆、年产值达12亿美元的晋华存储器集成电路生产线一期项目开工仪式。        据资料显示,晋华存储器集成电路生产项目由福建省电子信息集团和泉州、晋江两级政府共同投建,总规划面积594亩,预计于2018年9月达产。作为国家重点支持的DRAM存储器生产项目,晋华项目已纳入国家“十三五”集成电路重大生产力布局规划重大项目清单,并获得首笔30亿元国家专项建设基金支持。   此项目堪称晋江所有重
  • 关键字: 晋华存储  DRAM  

全球半导体2017年增速将达16%,其中10种产品增速可达两位数

  • ,世界半导体贸易统计组织(WSTS)将半导体分为33个大类。近日,市场调研机构IC Insights给出了这33类产品在2017年市场状况的预期。   33种IC产品2017年增速排名(预计)如下图所示。增速最快的是DRAM,这并不意外,2017年上半年DRAM价格异常出色,IC Insights预计2017年DRAM总销售额同比增长55%,从而成为半导体细分市场增长率冠军。问鼎增长率冠军对DRAM市场而言并不是新鲜事,2013年和2014年DRAM同样引领整个产业增长。在过去5年,DRAM要么是增长率
  • 关键字: 半导体  DRAM  
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dram介绍

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以 必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快,在386、486时期被普遍应用。 动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [ 查看详细 ]

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