- 联电和两名员工遭到内存大厂美光指控妨碍营业秘密，并遭到台中地检署起诉，共同总经理简山杰认为是遭到「商业间谍」构陷入罪，但强调DRAM计划不变，将于明年第4季完成第一阶段技术开发。
联电DRAM项目主要与福建晋华合作。
简山杰表示，对于司法中的案件原本不应多言，但联电极有可能碰到所谓的「商业间谍」，高度怀疑「带枪投靠」是假的，可能「构陷入罪」才是真。 简山杰质疑，主要涉案员工夫妇本来都在美光上班，其中先生去年4月主动跳槽联电;据说，遭检方搜索以后，妻子就被美光停职;涉案人全数认罪后，妻子就复
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晋华 DRAM
- 员工有无窃取机密资料可以查证，企业有无教唆员工偷窃，也可以透过证据来佐证，但如何定义一家企业“积极”与“未积极”防范∕规范员工的行为，这十分两难。
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DRAM 存储器
- 你如果问当前内存市场是谁的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制着内存市场,当前都处于供不应求的状态。不过,在内存天下三分的大背景下,新一代存储技术3D X-point、MRAM、RRAM等开始发出声音, RRAM非易失性闪存技术是其中进展较快的一个。到目前为止,RRAM的发展进程已经超越了英特尔的3D X-point技术, Crossbar公司市场和业务拓展副总裁Sylvain Dubois在2017中芯国际技术研讨会上接受与非网的采访时说:&ldquo
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RRAM DRAM
- 联电日前与大陆福建晋华合作开发DRAM技术的案子中，因有美光(Micron)的离职员工将技术带到联电任职，不只是员工个人被起诉，联电也被台中地检署根据违反营业秘密法而被起诉，理由是“未积极防止侵害他人营业秘密”，因此视为共犯。
我们可以从三大层面来探讨联电和大陆合作开发DRAM技术的案子。第一，台湾半导体产业在这个合作案当中，损失了什么?;第二，联电在建立DRAM自主技术的过程中，有无窃取美光技术?;第三，如果企业没有教唆员工窃密，只因为“未积极防范&rdqu
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DRAM 联电
- 随着时序已近2017年第四季，三大DRAM厂已陆续在下半年召开针对明年产能规划的年度战略会议，根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2018年各DRAM厂的资本支出计划皆倾向保守，意味着产能扩张甚至技术转进都将趋缓，除了欲将价格维持在今年下半年的水平，持续且稳定的获利也将是明年首要目标，预估2018年DRAM产业的供给年成长率为19.6%，维持在近年来的低点，加上2018年整体DRAM需求端年成长预计将达20.6%，供给吃紧的态势将延续。
DRAMeXchange研究协理吴
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DRAM
- 随着时序已近2017年第四季，三大DRAM厂已陆续在下半年召开针对明年产能规划的年度战略会议，根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2018年各DRAM厂的资本支出计划皆倾向保守，意味着产能扩张甚至技术转进都将趋缓，除了欲将价格维持在今年下半年的水平，持续且稳定的获利也将是明年首要目标，预估2018年DRAM产业的供给年成长率为19.6%，维持在近年来的低点，加上2018年整体DRAM需求端年成长预计将达20.6%，供给吃紧的态势将延续。
DRAMeXchange研究协理吴
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DRAM 美光
- 世界集成电路三强：英特尔，三星，高通。光是高通和英特尔两家，每年就能带给美国八九百亿美元的营收，养活数万美国工程师，还能带来一百多亿美元的净利润。中国的经济升级最大的两个领域是汽车制造工业和集成电路工业。未来怎样能在这两个超级产业完成逆袭？
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芯片 DRAM
- DRAM存储器是有史以来价格波动最剧烈的IC产品。下图是DRAM波动性强的又一例证， 自2016年7月16日至2017年7月17日，短短一年时间，DRAM价格已经翻了一番还要多。市场调研机构IC Insights表示，2017年DRAM单位存储价格(price per bit)涨幅将超过40%，为史上最高。
仅仅一年前，DRAM采购商还在尽可能利用产能过剩状况来向DRAM制造商压价，根本不管DRAM制造商在这样低价合同上会赔多少钱。现在，DRAM制造商正在“复仇”，不断涨
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DRAM 海力士
- 大陆半导体业发展进程在历经萌芽期、自力更生的初创时期、改革开放前的起步探索时期、改革开放初期的开发引进时期、全面布局的重点建设时期、高速发展期等阶段之后，2014年迄今持续处于黄金发展期，当中2014年6月国务院发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》、国家集成电路大基金，更成为中国半导体业发展最大的转捩点。
尔后不论是中国制造2025、十三五规划等新世纪发展战略的带动，或是2017年1月工业和资讯化部、国家发改委正式宣布《资讯产业发展指南》，确定集成电路等九大资讯产业将是
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半导体 DRAM
- 美光全球制造副总裁艾伦昨(6)日表示，未来两季DRAM仍是供不应求，产业仍处于健康稳定状态。
他强调，美光在上季公布财报时也预估本季营收和获利展望，同时看好DRAM和储存型闪存(NANDFlash)未来营运表现。目前DRAM和NANDFlash需求非常强劲，但供应端产能提升的速度仍无法满足市场需求，预估未来两季，DRAM仍供不应求，产业处于健康状态。
艾伦指出，美光目前在DRAM的投资策略，着眼于制程技术推进，短期内不会增建新厂。目前其他二家主要DRAM制造大厂，包括三星、SK海力士，也是
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美光 DRAM
- 中国台湾地区DRAM大厂华邦电5日宣布，在南科投资新厂的计划已经获得台湾科技部科学工业园区审议委员会的核准，总投资金额达新台币3,350亿元(约合111亿美元)。若以之前华邦电董事长焦佑钧所说，建厂时间预计3年的情况下，则新厂2020年将可进入投产。
华邦电为台湾地区的DRAM大厂，目前仅有中科的一座12寸厂。2016年的年产能约4.3万片，2017年年底将扩增至4.8万片，2018年底则扩增到5.3万片。未来，最大的扩充能量到5.5万片时就已经将当前台中厂的剩余空间给全部用光。
因此，面
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华邦电 DRAM
- 与美国在半导体先进工艺制程等方面的差距，不仅表现在人材，技术等方面，可能更大的差距在于综合的国力，以及产业大环境的改善，所以此次奋力突围一定要取得更大的进步。
01引言
近期华尔街日报撰文“中国的下一个目标夺下美国的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立场，歪曲事实。
此次中国半导体业的“奋力突围”，有两层意义：
一个是差距大，希望迅速的成长，至多是扩大芯片的自给率。
另一个是西方千方百计的阻碍中国半导体业的进步
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NAND DRAM
- 存储器作为智能手机，电脑，智能手表等终端产品必不可少的元器件之一，它的缺货将会导致整个产业链供应失衡，终端产品也将面临着无货可用的尴尬。
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存储器 DRAM
- 今年下半年英特尔及超微积极推出服务器新平台，英特尔Purley平台已经开始出货，超微EPYC服务器处理器也开始放量出货，而在云端运算、人工智能的带动下，服务器用DRAM需求大爆增，服务器用DRAM本季报价又调涨一成，第四季续涨态势无疑，全年涨幅上看五成，在此趋势下，专攻服务器DRAM的南亚科与宜鼎，将会大受益。
DRAM因缺乏新厂产能开出，业者多采制程推进增加有限产出，但是反观需求面却稳健成长，带动今年以来DRAM供需持续吃紧，尤其在产能排挤效益下，服务器DRAM合约价今年上半年已大涨逾4成幅度
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服务器 DRAM
dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
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