- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示，由于DRAM供货吃紧至今未有改善的迹象，因此延续2016下半年的价格涨势，2017年第一季DRAM平均销售单价呈大幅上涨格局，DDR3 4GB模组的合约价最高已超过25美元，季涨幅超过三成，为DRAM史上首个在传统淡季下仍能维持强势涨价的季度。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，根据现已成交的合约看来，2017年第一季标准型内存价格持续攀高，平均涨幅接近三成，服务器内存的涨幅略同，R-DIMM 32GB模组已超过200美元
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DRAM
- 在2015、2016连续两年下跌后，DRAM和NAND Flash存储器平均销售价格(ASP)正稳健走扬，研究机构IC Insights认为，此将有助推升2017年存储器市场销售规模，预估整体产值可达853亿美元新高纪录，较2016年成长10%;2020年更可望首度攀至千亿美元大关。
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DRAM NAND
- 垂直分层闸流体(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研发出的新型内存单元，能够显著降低动态随机存取内存(DRAM)的成本和复杂性。这是一种静态的内存单元，无需刷新操作;兼容于现有晶圆厂的制造设备，也无需任何新的材料或工艺。 相较于一般的DRAM，VLT内存数组能节约高达45%的成本;这是因为它具有更小的VLT内存单元，以及驱动更长行与列的能力，使其得以大幅提升内存数组效率。然而，想要发挥VLT的优势，就必须在依据产业标准发展的成熟DR
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DRAM
- 大陆紫光集团在2016年终正式宣布投资总额高达240亿美元，在武汉东湖高新区兴建全球单一最大3D储存型快闪存储器(NAND Flash)厂，为全球存储器市场投下一颗震撼弹。
半导体设备业透露，紫光集团由旗下长江存储公司负责推动这项计画。紫光集团暨长江存储董事长赵伟国甚至将这项投资案，等同辽宁号航空母舰出海试航，是中国大陆存储器产业从零突破的开端，也创下由国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作的新合作模式。
由紫光集团联合国家集成电路产业基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资
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紫光 DRAM
- 根据ICInsights报道，在经历了2013年与2014年连续两年20%以上增长的好年景以后，2015年全球存储器市场陷入困境。无论是供应商合并、产能控制还是新型应用频出等过去认为是利好的事情，都没有拯救2015年的存储器市场。个人电脑市场的低迷导致存储器库存过多，从而在2015年下半年出现了价格暴跌，2015年存储器销售额最终为780亿美元，同比下降了3%。
这种颓势延续到了2016年上半年，但从2016年下半年开始情况发生了变化，存储器价格开始变得异常坚挺，而且持续到了2016结束。但由于
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DRAM 存储器
- 全球三大DRAM厂三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员，全力防堵DRAM技术流入中国大陆，让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板，也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员，遭到空前恫吓。
半导体人士透露，三大DRAM厂强力防止中国大陆藉挖角剽窃技术，显示不乐见DRAM产业寡占局面被中国大陆全力抢进而打破，三大厂采取法律制约员工跳槽的行动，如果能奏效，将使DRAM供给缺口浮现问题再扩大，明年再现飙涨
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DRAM SK海力士
- 在经历了2013年与2014年连续两年20%以上增长的好年景以后，2015年全球存储器市场陷入困境。无论是供应商合并、产能控制还是新型应用频出等过去认为是利好的事情，都没有拯救2015年的存储器市场。个人电脑市场的低迷导致存储器库存过多，从而在2015年下半年出现了价格暴跌，2015年存储器销售额最终为780亿美元，同比下降了3%。
这种颓势延续到了2016年上半年，但从2016年下半年开始情况发生了变化，存储器价格开始变得异常坚挺，而且持续到了2016结束。但由于上半年跌价太狠，IC Insi
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存储器 DRAM
- 力晶执行长黄崇仁20日出席台湾物联网产业技术协会成立大会时表示，明年存储器市况不错，但力晶没有到大陆生产存储器的计划;同时他发表传出前中华电信董事长蔡力行要去紫光看法，他认为蔡力行对于老东家台积电有程忠诚度，不会去挖台积电的墙角。
20日市场传出，蔡力行将加入大陆紫光集团，协助在成都盖12吋晶圆代工厂，黄崇仁对此提出看法表示 ，以他与蔡力行是老朋友的身分观察，蔡力行对台积电是有忠诚度的，不会去挖台积电的墙角。
由于力晶已经前进大陆合肥在当地盖12吋晶圆代工厂合晶，目前厂房已经盖好，明年将进
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力晶 DRAM
- 中国大陆紫光集团长江存储、合肥长鑫及福建晋华都积极争取大陆存储主导权，随着三大体建厂计划预定2018年量产，三大体系将正面对决。
长鑫目前已网罗SK海力士、华亚科及台厂DRAM设计公司相关人员，构成中日台的存储研发团队。长鑫日前正式曝光相关投资计划，预定第一期在合肥空港经济示范区兴建第一座12吋晶圆厂，明年7月动工，目前团队已逾50位员工，预定明年要达千人规模、2018年上看2，000人，这也是为何急于对台挖角的关键。
大陆发展自主存储已列入大陆国家发展目标，多方势力积极主导地位，其中，紫
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华亚科 DRAM
- 传闻SK海力士(SK Hynix)即将在2017年上半启动10奈米级DRAM量产，这将是继三星电子(Samsung Electronics)之后，第二家投产10奈米级DRAM的半导体业者。目前SK海力士已完成1x奈米技术研发，同时着手开发1y奈米，并组成1z奈米研发团队，持续追求更高的技术竞争力。
据韩媒ET News报导，14日业界消息指出，SK海力士以Alius作为计画名称的1x奈米DRAM即将正式量产。其目前已完成客户样品生产，正进行最后的可靠度检测，预定2017年第2季由M14新厂正式量
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SK海力士 DRAM
- 中国大陆紫光集团长江存储、合肥长鑫及福建晋华都积极争取大陆存储主导权，随着三大体建厂计划预定2018年量产，三大体系将正面对决。
长鑫目前已网罗SK海力士、华亚科及台厂DRAM设计公司相关人员，构成中日台的存储研发团队。长鑫日前正式曝光相关投资计划，预定第一期在合肥空港经济示范区兴建第一座12吋晶圆厂，明年7月动工，目前团队已逾50位员工，预定明年要达千人规模、2018年上看2，000人，这也是为何急于对台挖角的关键。
大陆发展自主存储已列入大陆国家发展目标，多方势力积极主导地位，其中，紫
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华亚科 DRAM
- 继三星之后，SK 海力士计划明年开始量产 10 纳米 DRAM，在 1x DRAM 开发完成后，SK 海力士将继续研发 1y DRAM，并为发展 1z DRAM 铺路。
来自产业界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 开发代号设为 Alius，已准备进入量产前置作业。SK 海力士目前已经完成晶圆制样，正要在进行可靠度认证。
半导体认证通常需将过工程试样(Engineering sample)与客户端式样(Customer sample)两道程序，在通过客户测试后，产品开发才算完成。据报
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SK海力士 DRAM
- 继三星之后，SK 海力士计划明年开始量产 10 纳米 DRAM，在 1x DRAM 开发完成后，SK 海力士将继续研发 1y DRAM，并为发展 1z DRAM 铺路。
来自产业界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 开发代号设为 Alius，已准备进入量产前置作业。SK 海力士目前已经完成晶圆制样，正要在进行可靠度认证。
半导体认证通常需将过工程试样(Engineering sample)与客户端式样(Customer sample)两道程序，在通过客户测试后，产品开发才算完成。据报
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SK海力士 DRAM
- 美光全数收购华亚科股权，华亚科并于6日下市，美光定于12日举行华亚科加入美光典仪，并将宣布在中国台湾地区扩大投资案，包括3D DRAM封测厂和华亚科扩建案，估计总投资金额上看千亿元新台币。
美光已网罗前艾克尔总经理梁明成出任负责美光存储器后段封测厂投资案，12日华亚科加入美光的庆祝典礼，美光执行长邓肯(Mark Durcan)将亲自主持，预料将同步宣布相关人事及扩大在台投资布局。
这也是美光继在大陆西安厂之后，在海外最大手笔的封测投资计划，美光也借由邀请包括台湾桃园市长郑文灿及经济部长等相
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美光 DRAM
- 继以一千三百亿元新台币收购华亚科股权后，美光决定扩大在台投资，计划在中科兴建美光在海外首座3D架构的存储器封测厂，并网罗前艾克尔(Amkor)总经理梁明成出任这项业务台湾区总经理，新投资计划预定十二日宣布。
梁明成四日证实已于十月底离开艾克尔，但因美光还未正式对布发布人事，他低调表示还在休息，详细职务等美光宣布。
据了解，美光收购华亚科股权案已进入尾声，华亚科已于十一月卅日停止交易，美光预定十二日举办华亚科加入美光的庆祝典礼，美光执行长邓肯(Mark Duncan)将再度亲自抵台主持，预料
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美光 DRAM
dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
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