全球DRAM内存市场垄断在了三星、SKHynix及美光三家厂商中，在这其中三星是第一梯队的，不论工艺还是产能、占有率都遥遥领先其他两家，SKHynix第二，美光的工艺和产能最次。2014年率先量产20nm工艺的DRAM内存之后，三星如今再一次领跑，现在正式量产了18nm工艺内存芯片。只不过内存市场今年普遍看淡，随着厂商产能的提高，内存价格降幅甚至高达40%。
跟处理器芯片一样，制程工艺越先进，每一代工艺的进步在外人看来感觉是越来越小了，CPU工艺好歹是从22nm进步到14/16nm、NAND也是
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三星 DRAM
28日武汉新芯科技主导的12英寸晶圆厂正式动工，建成后将成为中国最大、最先进的存储芯片基地，而且直接切入3D NAND闪存领域，起点不低。再之前中国紫光集团宣布斥资300亿美元打造全球前三的半导体公司，一时间中国半导体崛起成了媒体的大新闻，美日韩已经在考虑中国公司的威胁了。早在去年，紫光集团就有意投资230亿美元收购美光公司，但被拒绝了，而且为了让外界放心，美光公司还表示三年内不会在大陆建立晶圆厂。
中国在半导体领域的大手笔投资或者收购已经引起了业界震动，在收购美光不成功之后，大陆公司把目标转向
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三星 美光 DRAM
前日本尔必达(Elpida Memory)社长坂本幸雄开设IC设计公司Sino King Technology，指出目前半导体业界有四种公司：一，有高度研发生产能力的公司，如英特尔(Intel);二，有高度研发能力如德州仪器(TI)或 Sony;三，强调研发生产周期低成本如三星电子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四，有先进生产技术的如台积电。
而Sino King Technology则是要成为不同于上述四种的第五类公司，以研发高度客制化存储器为重，不
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尔必达 DRAM
针对中国将进军DRAM产业，华亚科(3474)董事长李培瑛表示， 由于中国未能取得技术来源，如要自主发展DRAM产业，势必得靠自身研发能力，以目前DRAM之专利及高度专业之技术进入障碍门槛，绝非仅靠投入资金、挖 人才就可达成，预期5年内将不会造成DRAM市场的影响，短期内难有进展。
李培瑛指出，目前全球DRAM技术掌握在南韩三星、SK海力士及美国美 光三大厂手中，为维持自身利益及寡占市场结构，避免中国厂商投入造成供需失衡，目前皆未有与中国技术授权合作或合资建厂计划。中国若未能取得技术来源，短 期
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华亚科 DRAM
自2015年第四季以来，全球终端需求始终停滞，智慧型手机品牌商皆计画调降今年首季的出货计画，整体市场开始进行约一个季度的通路库存消化 (channel inventory digest)。全球市场研究机构TrendForce智慧型手机分析师吴雅婷表示，受益于库存调节接近尾声及2016 MWC展中新机发表，2月中起中国手机品牌陆续出现库存回补的需求。此外，中国智慧型手机营运商为拉抬4G机种的普及率，针对数款4G高阶智慧型手机增加 补贴额度，也推升消费者的购买欲望。
TrendForce预估2016
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华为 DRAM
大陆记忆体业新秀武汉新芯廿八日将举行旗下首座十二寸DRAM厂建厂动工仪式。武汉新芯挟官方资金与国家集成电路产业发展基金(大基金)支持，向全球宣示大陆建立自主记忆体技术与制造的决心。
这是继紫光集团进军记忆体领域、酝酿收购多家国际大厂之后，大陆于记忆体领域又一次大动作布局。武汉新芯此十二寸DRAM厂建厂，是大陆首度凭藉自有资金的记忆体晶片建厂案，牵动全球记忆体板块移动，业界高度关注 。
业界人士指出，先前大陆业者进军LED、面板、触控等产业，挟官方资源撑腰下，大举扩产，使得这些产业都陷入杀价
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新芯 DRAM
SEMI(国际半导体产业协会)公布最新“SEMI全球晶圆厂预测”(SEMIWorldFabForecast)报告，2016年包括新设备、二手或专属(in-house)设备在内的前段晶圆厂设备支出预期将增加3.7%，达372亿美元，而2017年则将再成长13%，达421亿美元。另方面，2015年晶圆厂设备支出为359亿美元，较前一年微幅减少0.4%。
SEMI公布最新“SEMI全球晶圆厂预测”报告，2016年包括新设备、二手或专属(in-house)
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DRAM 晶圆
还记得「尔必达」这家昔日全球DRAM巨擘吗?因不敌三星电子等韩厂蚕食，尔必达于2012年申请破产、之后被美国美光(Micron)收购，而坂本幸雄也成为尔必达的末代社长、在尔必达被美光收购后就辞去社长一职以示负责。不过坂本幸雄要开始踏上复仇之路了，此次将携手台湾、中国大陆之力，在安徽合肥打造大规模内存厂，力抗三星等厂商。
日经新闻11日报导，由坂本幸雄所设立的半导体设计公司「SinoKingTechnology(以下简称SKT)」已和安徽省合肥市政府正式签署工厂兴建契约，Sino将主导合肥市政府总
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DRAM
大陆半导体产业代表性企业清华紫光集团，投资人民币600亿元兴建DRAM工厂，将成为首间拥有DRAM工厂的大陆企业。该投资规模与全球DRAM龙头厂三星电子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投资规模相当。DRAM厂规模也不亚于三星全球最大半导体园区平泽园区。
由南韩与美国企业瓜分的DRAM市场将迅速转变。大陆凭藉价格竞争力加入市场后，不仅将刺激产业地壳变动，也将使主导DRAM市场的南韩地位出现变化。
大陆其实早已预告将进军半导体、DRAM市场，进入市场只
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半导体 DRAM
中国紫光欲与美韩合作DRAM(动态随机存取内存)碰壁后，日本DRAM大厂尔必达前社长坂本幸雄所主导成立的兆基科技(Sino King)，近日确定与中国合肥市政府合作，将结合日本研发技术与中国的资金力量，两年后在合肥量产DRAM。据了解，相关合作细节预计本周于日本举行记者会说明。
台湾DRAM业界指出，尔必达于2012年倒闭并由美光并购后，坂本幸雄与尔必达研发团队一些成员，另起炉灶新成立兆基科技，除了网罗台湾的力晶科技等DRAM部分人马加入，也传出看好中国内存市场，加上中国企图建立自主技术，地方政
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紫光 DRAM
大陆半导体产业代表性企业清华紫光集团，投资人民币600亿元兴建DRAM工厂，将成为首间拥有DRAM工厂的大陆企业。该投资规模与全球DRAM龙头厂三星电子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投资规模相当。DRAM厂规模也不亚于三星全球最大半导体园区平泽园区。
由南韩与美国企业瓜分的DRAM市场将迅速转变。大陆凭藉价格竞争力加入市场后，不仅将刺激产业地壳变动，也将使主导DRAM市场的南韩地位出现变化。
大陆其实早已预告将进军半导体、DRAM市场，进入市场只
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半导体 DRAM
三星电子(Samsung Electronics)原本预定2016年要在大陆西安半导体工厂进行第二阶段的投资，日前传出这项计划目前处于保留状态。业界预估，2016年将会进入记忆体7年来最糟的供需不平衡情况，加上东芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)与英特尔(Intel)等纷纷增设NAND Flash工厂，也使三星开始担心供货量剧增的恶性竞争情况。
目前三星电子西安工厂只使用整体腹地(约34万坪)的5分之1，而且以目前的设备来说，已经到达最大产能，所以南韩业界原本认为，三星将在2016年内
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三星 DRAM
DRAMeXchange公布去年第4季DRAM统计报告，受到DRAM平均销售单价持续下降及市况持续供过于求影响，第4季全球DRAM总产值为102.7亿美元，季减9.1%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，去年第4季虽有苹果iPhone 6s出货加持，笔电出货亦比预期更佳，但由于各DRAM厂制程转进，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅转进20奈米制程，都让产出持续增加，使得当季DRAM价格持续下修。
三星依然是DRAM产业的龙头，虽然DRAM营收下跌9.7%至47.6亿美元，
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DRAM 三星
存储芯片在新一代信息技术产业中扮演着重要角色，但前5家公司高度垄断全球市场，我国发展存储芯片产业关乎国家安全，意义重大。
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美光 DRAM
大陆紫光集团已确定在大陆华南地区筹建12寸DRAM厂，并循当年台塑集团与美光合资华亚科的商业模式，由紫光出资建厂，再邀请美光等国际大厂入股，解决技术授权问题。
据了解，此计画由前华亚科董事长、现为紫光集团执行副总裁的高启全亲自操刀，业界盛传，日本前尔必达总裁坂本幸雄亦有意加入。
大陆官方自前年成立国家积体电路产业投资基金(简称大基金)后，就有意投入自建记忆体供应链，但不论是DRAM或NAND Flash，主要制程专利及矽智财都掌握前国际大厂手中，因此，率先表态要自建记忆体产能的紫光集团，由
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紫光 DRAM
dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
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