- 记者12日从福建晋江市委宣传部获悉，《晋江市集成电路产业发展规划(2016-2025)》(以下简称“《发展规划》”)于11日在北京通过专家论证，一个千亿规模的集成电路全产业链正在此兴起。
据介绍，《发展规划》描绘了泉州晋江未来十年(2016-2025)集成电路产业的发展蓝图，提出到2025年，将构建千亿规模的集成电路全产业链生态圈、资源生态圈、智能生态圈、企业生态圈。
论证会由工信部电子一所副所长万鹏远主持。在3个多小时的论证会上，中科院半导体所所长李树深，中科院微
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集成电路 DRAM
- 由于记忆体原厂端供货吃紧，一线PC-OEM客户于六月提前与DRAM厂洽谈第三季合约价格，集邦科技旗下DRAMeXchange预估第三季DRAM合约价上涨趋势确立，涨幅约4～8%。
DRAMeXchange 研究协理吴雅婷表示，经过近两年的续跌，6月合约价已呈现持平，普遍用12.5美元价格议定完成。DRAMeXchange最新报价显示，DDR3 4GB合约均价从2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的12.5美元，跌幅高达62%。
吴雅婷表示，第三季的DRAM合约均价起涨，起因于标准
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集邦科技 DRAM
- 行动记忆体需求暴增，在晶片制造商穷于应付的同时， PC用DRAM却也因此受惠，现货价格持续攀升。
据日经新闻报导，行情指标4-Gigabit DDR3 DRAM过去一个月上涨6%，目前来到1.74美元，某些产品甚至还涨到2美元以上。PC出货量萎缩、需求能见度明明不佳，但PC用DRAM价格之所以还能往上攀升，是因为美光等记忆体大厂将部分产能移作生产行动产品，以致供给减少。
PC制造商夏季机种目前已陆续上市，尽管此时季节性需求已开始减缓，但许多专家仍旧看好DRAM这波反弹行情将一直延续至九月，
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PC DRAM
- 一个董事席位不至于让知识产权轻松被转移。不过一个错误的决定却可能让台湾集成电路产业重蹈面板的覆辙。
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DRAM 集成电路
- DRAM产业因长期需求不振，合约价格已历经连续19个月的跌幅趋势。今年五月底DDR4合约均价为1.31美元，而DDR3仅1.25美元，各厂都面临庞大的成本压力。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)研究协理吴雅婷表示，第三季个人电脑(PC)将进入出货高峰、中国品牌智能手机出货持续走扬，再加上新一代iPhone 4.7”(2GB)及5.5”(3GB)的拉货动能，将消耗可观的DRAM产能。此外，各家DRAM供货商对于制程转进的态度趋于
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TrendForce DRAM
- 苹果iPhone 7已展开备货，记忆体容量倍增，销售也看好，业界预期第3季NAND快闪记忆体的需求将好转，大厂的产能将转向NAND快闪记忆体，这将带动DRAM市况也趋健康，记忆体模组厂创见、威刚、宇瞻等，预估下半年营运会比上半年好。
创见预期今年记忆体市况将比去年好转，主要因上游大厂资本支出较保守，产能增加有限，致使价格趋缓跌;受惠智能手机等产品储存容量不断上升，加上SSD取代硬盘态势成形，SSD需求强劲，储存型快闪记忆体(NAND Flash)下半年市况比DRAM佳。
威刚董事长陈立白日
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NAND DRAM
- 台存储器模组厂威刚董事长陈立白指出，观察国际龙头大厂动向，全球DRAM军备竞赛可望在韩系龙头三星电子(Samsung Electronics)节制资本支出的情况下停止，预计DRAM价格在2016年第2季落底，9月前后DRAM景气将好转，为期两年半的DRAM空头市场将走完。
陈立白认为，三星在DRAM的资本支出上踩煞车，影响接近45%的供货，接下来就要看SK海力士的态度，如果海力士也认同避免军备竞赛的移动，开始节制资本支出，对产业来说就是美事一桩。
据台存储器模组业者表示，SK海力士新董事长
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威刚 DRAM
- 市调机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange统计数据显示，三星第一季豪取全球移动DRAM逾六成市场(60.4%)，不仅稳居全球龙头，也创下历史新高。
尽管如此，受DRAM平均报价下滑冲击，三星当季行动DRAM营收不增反减，较前季大幅衰退22.7%至20.26亿美元，这或许是搞军备竞赛争夺市占率必需付出的代价。
SK海力士状况类似，市占率虽然进步0.8个百分点，但同期间行动DRAM营收来却较前期倒退23.1%，成为9.03亿美元。加总三星与海力士市占率，从去年第四
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海力士 DRAM
- 市调机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange统计数据显示，三星第一季豪取全球移动DRAM逾六成市场(60.4%)，不仅稳居全球龙头，也创下历史新高。(Businesskorea.co.kr)
尽管如此，受DRAM平均报价下滑冲击，三星当季行动DRAM营收不增反减，较前季大幅衰退22.7%至20.26亿美元，这或许是搞军备竞赛争夺市占率必需付出的代价。
SK海力士状况类似，市占率虽然进步0.8个百分点，但同期间行动DRAM营收来却较前期倒退23.1%，成为9.03
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三星 DRAM
- 半导体设备业龙头厂商应用材料(Applied Materials Inc.)19日于美股盘后的营收预估值击败分析师预估，带动20日股价跳涨13.81%、收22.66美元，涨幅不但居费城半导体指数成分股30支成分股之冠，收盘更创2015年3月30日以来收盘新高。
美国记忆体大厂美光(Micron Technology)19日跟着大涨7.25%、收10.80美元，创4月28日以来收盘新高。TheStreet.com 20日报导，应材在财报电话会议上指出，投资活动逐渐从DRAM转到NAND型快闪记忆体
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美光 DRAM
- TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange最新报告显示，受到市况持续供过于求、平均销售单价下降影响，2016年第一季全球DRAM总产值为85.6亿美元，环比衰退16.6%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第一季为传统淡季，除中国市场的智能手机略有库存回补的需求以外，笔记本电脑与iPhone的出货量同步遭到下修，导致DRAM市场供过于求的现象更为明显。
三星营收持续摘冠，美光集团开始面临成本保卫战
三星依然稳坐DRAM产业龙头，第一季营收虽下跌16.6%，
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三星 DRAM
- 2016年三星电子(Samsung Electronics)于DRAM将以开发18纳米制程为其投资重点，DIGITIMES Research观察，为克服DRAM 18纳米制程微缩所面临的电容器(Capacitor)易倒塌、杂讯(Noise)增加、电荷外泄及曝光显影变复杂等课题，三星将运用四重曝光显影技术(Quadruple Patterning Technology;QPT)与超微细导电膜形成技术，以维持其在DRAM技术的领先地位。
三星于DRAM 18纳米制程将运用自动对位QPT(Self A
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三星 DRAM
- 晶圆代工厂联电昨天宣布，与中国大陆福建官方投资的晋华集成电路，签署技术合作协议，由联电开发DRAM相关制程技术。
联电强调，所开发技术将应用于利基型DRAM生产，但该公司没有要进入DRAM产业或投资晋华。外界解读，联电现阶段虽然仅投入利基型记忆体技术开发，未来视两岸政策与市场情况，说不定将进入相关代工领域。
联电表示，这次的合作协议结合台湾的半导体制造能力，及中国大陆的市场与资金，在台湾进行技术研发。双方合作开发的技术，主要应用在利基型DRAM生产，不仅能提供国内IC设计公司使用，也能结合
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联电 DRAM
- 工研院 IEK认为，为替代进口，中国大陆发展DRAM已势在必行，未来若中国大陆成功抢进DRAM领域，预期海力士恐将是最大潜在受害者。
联电接受中国大陆福建省晋华集成电路委托，开发动态随机存取记忆体(DRAM)相关制程技术，引起各界关注。
工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)电子与系统研究组副组长杨瑞临认为，为替代进口，中国大陆发展DRAM似乎已势在必行。
杨瑞临指出，中国大陆目前至少有 5家厂商规划投入DRAM发展，除这次委托联电开发技术的晋华外，还有武汉新芯，中芯也传将重操旧业，
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DRAM 海力士
dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
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