摘要瓴盛科技采用新思科技广泛的DesignWare IP核组合来降低风险并加快新一代移动芯片组上市用于USB、MIPI和DDR的高品质DesignWare IP已帮助亿万片上系统实现量产双方的长期合作助力瓴盛科技的SoC设计一次性流片成功和量产新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）今天宣布瓴盛科技(JLQ Technology Co., Ltd.)已经选用新思科技DesignWare® Interface IP核来加速其面向一系列应用的新一代高性能、低功耗SoC芯片的开发。瓴
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瓴盛科技 新思科技 DesignWare IP SoC
在国内疫情尚还未完全好转的情况下，全球疫情开始逐渐恶化。而日韩疫情的凶猛，更是给全球半导体领域投下了“重磅炸弹”。
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宏旺半导体 DDR ICMAX
DDR硬件设计要点 1. 电源 DDR的电源可以分为三类： a主电源VDD和VDDQ，主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。 有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大，所以P
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DDR，PCB
DDR的种类： 1、DDR SDRAM：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍数据率同步动态随机存取存储器; 2、DDR2 SDRAM：Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器; 3、DDR3 SDRAM：Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Ra
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DDR 三星
似乎中国已经要赶上国外主流水准，但是业内却传出DDR内存已经过时，新的内存即将取代，这无疑给国内的DDR内存制造厂商当头一棒。
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内存 DDR
DDR布线在PCB设计中占有举足轻重的地位，设计成功的关键就是要保证系统有充足的时序裕量。要保证系统的时序，线长匹配又是一个重要的环节。我们来回顾一下，DDR布线，线长匹配的基本原则是：地址，控制/命令信号与时钟做等长。数据信号与DQS做等长。为啥要做等长?大家会说是要让同组信号同时到达接收端，好让接收芯片能够同时处理这些信号。那么，时钟信号和地址同时到达接收端，波形的对应关系是什么样的呢?我们通过仿真来看一下具体波形。 建立如下通道，分别模拟DDR3的地址信号与时钟信号。
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PCB DDR
DDR布线在PCB设计中占有举足轻重的地位，设计成功的关键就是要保证系统有充足的时序裕量。要保证系统的时序，线长匹配又是一个重要的环节。我们来回顾一下，DDR布线，线长匹配的基本原则是：地址，控制/命令信号与时钟做等长。数据信号与DQS做等长。为啥要做等长?大家会说是要让同组信号同时到达接收端，好让接收芯片能够同时处理这些信号。那么，时钟信号和地址同时到达接收端，波形的对应关系是什么样的呢?我们通过仿真来看一下具体波形。 建立如下通道，分别模拟DDR3的地址信号与时钟信号。
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DDR 布线
DDR布线在PCB设计中占有举足轻重的地位，设计成功的关键就是要保证系统有充足的时序裕量。要保证系统的时序，线长匹配又是一个重要的环节。我们来回顾一下，DDR布线，线长匹配的基本原则是：地址，控制/命令信号与时钟做等长。
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DDR PCB DQS
随着高速处理器的不断发展，嵌入式系统应用的领域越来越广泛，高速大容量缓存器被广泛应用于音视频系统中，然而专用的高速大容量缓存芯片价格过于昂贵，传统SDRAM在带宽上已经逐渐无法满足应用.
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MIMO技术 视频缓存器 DDR
随着数据存储量的日益加大以及存储速度的加快，大容量的高速存储变得越来越重要。内存条既能满足大容量的存储又能满足读写速度快的要求，这样使得对内存条控制的应用越来越广泛。首先介绍了内存条的工作原理，内存条电路设计的注意事项，以及如何使用FPGA实现对DDR内存条的控制，最后给出控制的仿真波形。
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DDR 内存条 FPGA
研究了硅基液晶(LCoS)场序彩色显示驱动系统的设计与实现.该系统以FPGA作为主控芯片,用两片高速DDR2 SDRAM作为帧图像存储器.通过对图像数据以帧为单位进行处理,系统将并行输入的红、绿、蓝数据转换成申行输出的红、绿、蓝单色子帧.将该驱动系统与投影光机配合,实现了分辨率为800×600的LCoS场序彩色显示.
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硅基液晶 DDR FPGA
差分时钟是DDR的一个重要且必要的设计，但大家对CK#（CKN）的作用认识很少，很多人理解为第二个触发时钟，其实它的真实作用是起到触发时钟校准的作用。
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DDR 差分时钟 DRAM DDR2
一、内存测试中的难点内存广泛应用于各类电子产品中，内存测试也是产品测试中的热点和难点。内存测试中最为关键的测试项目为DQ/DQS/CLK之间的时序关系。JEDEC规范规定测量这几个信号之间的时序时测试点需要选择在靠
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虚拟探测 DDR 信号去嵌测试
实现数据的高速大容量存储是数据采集系统中的一项关键技术。本设计采用Altera 公司Cyclone系列的FPGA 完成了对DDR SDRAM 的控制，以状态机来描述对DDR SDRAM 的各种时序操作，设计了DDR SDRAM 的数据与命令接口。用控
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SDRAM FPGA DDR 控制器
引言：DDR4 等存储技术的发展带动存储器速度与功率效率空前提升，仅仅停留在一致性测试阶段，已经不能满足日益深入的调试和评估需求。DDR 存储器的测试项目涵盖了电气特性和时序关系，由JEDEC明确定义，JEDEC 规范并
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高速存储器 一致性测试 DDR
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