- DDR内存已成为系统DRAM的主要技术，而DDR系统的验证则是新的数字系统设计最具挑战性且费时的工作之一。逻辑分析仪是协助工程师验证这些系统的重要工具，但在成本与空间的限制下，逻辑分析仪探测技术变成了一个值得深思的问题。 理想上，DDR的可测试性应成为最终设计的一部份，以利于在测试台进行系统的验证，因为在整个产品生命周期中的工程设计与委外代工都会增加成本。然而碍于逻辑分析仪探测点的电气负载与空间需求，这种作法直到今天仍不可行。新的免接头式逻辑分析仪探测技术使DDR可测试性得以结合到产品的最初与最终
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DDR 测量 测试
- DDR（双数据速率）DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压，并需要等于电源电压一半的基准电压（VREF＝VDD/2）。此外，各逻辑输出端都接一只电阻器，等于并跟踪VREF的终端电压VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同时，必须提供源流或吸收电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压，并可输出高达6A的电流。IC1有一个降压控制器和2个线性稳压控制器。IC1在输入电压为4.5～28V下工作。
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电源电路 DDR DRAM 存储器
- 电子系统设计师很少考虑他们下一个设计中元器件的成本，而更关注它们能够达到的最高性能。
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DDR 存储器 接口设计
- 本设计介绍了一种应用于DDR内存系统的独特、低成本的电源电路。常规DDR内存系统包括一个双反向转换器和一个输出参考电压。与常规设计不同，本文用线性调节器代替反向转换器，见图1，具有消除PWM转换器开关噪声的优点。DDR内存系统要求稳定的2.5V主电源(VDD)、端电压(VTT)和参考电压(VREF)，其中VDD、VTT可引出和吸收电流，，这些要求给电源设计者带来新挑战。本电路中，低压同步反向器产生8A，2.5V的主电源VDD输出，VTT和VREF通过运放的线性调节设计实现。电路专门为低功耗DDR系统(如p
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DDR 存储器
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