- 据彭博(Bloomberg)报导，海力士(Hynix)计划资本支出3兆韩元(约26亿美元)，该公司发言人证实首尔经济日报(Seoul Economic Daily)的报导。
彭博电话访问发言人Park Seong Ae指出，实际投资金额可能会依市场情况而调整。Park进一步指出，2010年的投资金额为3.38兆韩元，相较之下，2011年的投资金额可能会比较小。
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海力士 DRAM
- DRAM报价面临二次崩盘危机，过去曾被提及但最后铩羽的台日DRAM产业4合1大整并议题，再度被端上台面!日本外电指出，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄将于2011年初访台，洽谈在台湾成立控股公司，将力晶、瑞晶和茂德3家台厂连同尔必达进行4合1大整并的细节，若能整并成功，“新尔必达”的市占率将一举超越海力士(Hynix)成为全球DRAM二哥;惟台厂表示，未听闻此事。
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尔必达 DRAM
- 据iSuppli公司，12月DRAM价格继续下降，跌势不止，经过几个月的大幅下滑，价格已降到年内最低水平。
12月10日，2GB DDR3 DRAM模组合同价格为21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3价格下跌，DDR2同样跌得很惨。目前DDR2价格为21.50美元，远低于6月时的38.80美元。
图2所示为4-12月DDR2和DDR3 DRAM的平均销售价格，包括1GB和2GB两种密度。
与上一代的DDR2相比，DDR3传输速度更快，而且功耗更低。但
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DRAM 30纳
- 美系内存大厂美光(Micron)预测2011会计年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash报价将持续走跌，其中DRAM价格会下跌约25%，而NANDFlash价格会下跌约10%，美光表示，将致力于制程技术微缩，以期能持续降低生产成本，因应需求不如预期的市况。
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美光 DRAM
- 美国计算机记忆芯片大厂美光日前公布会计年度第1季(迄12月2日)财报，由于供智能型手机使用的记忆芯片需求殷切，不但抵销了个人计算机记忆芯片需求下滑的冲击，更让公司连续第5个季度出现获利。
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美光 DRAM
- 2010年12月下旬DRAM的合约价格持续重挫，其中2GB容量DDR3模块的价格下跌10%，平均售价跌破20美元，低价来到17美元价格，相较于2010年上半DRAM缺货高峰期，2GB容量DDR3模块价格较当时的价格已下跌超过50%，市场预期供过于求的情况至少还会再持续1季，因为2011年第1季的供给增加幅度相当大，预计要到2011年4月之后，等个人计算机(PC)大厂准备下半年旺季的备料，DRAM价格才有机会落底止跌。
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尔必达 DRAM
- 据市场研究公司iSuppli表示，今年全球半导体市场将较上年同期低迷的水平实现有史以来最大规模的增长，这主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增长。iSuppli预计，2010年全球半导体行业总收入或为3,040亿美元，较2009年总收入2,295亿美元高出大约三分之一。
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半导体 DRAM
- 2011年DRAM产业中，虽然三星电子(SamsungElectronics)已揭露大扩产计划，包括兴建12寸晶圆厂Line-16，以及将现有Line-15升级至35纳米制程，但综观整个DRAM产业的位元成长率，仍都是来自于制程微缩为主，包括三星35纳米制程将在2011年下半超过50%，以及海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)的30纳米制程也都将在第2季大量产出，集邦科技预估2011年全球DRAM产业位元成长率(BitGrowth)将增加50%。
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三星电子 DRAM
- 2011年DRAM产业中，虽然三星电子(Samsung Electronics)已揭露大扩产计划，包括兴建12寸晶圆厂Line-16，以及将现有Line-15升级至35纳米制程，但综观整个DRAM产业的位元成长率，仍都是来自于制程微缩为主，包括三星35纳米制程将在2011年下半超过50%，以及海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)的30纳米制程也都将在第2季大量产出，集邦科技预估2011年全球DRAM产业位元成长率(Bit Growth)将增加50%。
三星电子201
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三星电子 DRAM
- 据iSuppli公司，2010年上半年金士顿增强了在第三方DRAM模组市场中的统治地位，在模组成本上涨之际利用其强大的购买力扩大了市场份额。
2010年上半年金士顿的DRAM模组销售额为26亿美元，比2009年下半年劲增45.6%。其在全球第三方DRAM模组市场中的份额从2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士顿的表现远远优于总体DRAM模组市场，后者同期增长26%。
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金士顿 DRAM
- 据南韩电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics)应用可大幅提升内存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技术开发出8GB DDR3 DRAM模块。三星以3D-TSV技术在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭载2颗集积芯片，制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)产品，10月时已装设在客户商服务器上，完成产品测试。
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三星 DRAM
- Rambus虽说是专利官司大户，但他们也不是每次都靠这种方式挣钱。近日他们就与日本内存大厂尔必达签署了新一期的专利授权协议。
此次双方签署的协议涉及产品极其广泛，从久远的SDR内存芯片到DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2再到GDDR3、GDDR5芯片。该协议为期五年，尔必达将向Rambus总共支付1.8亿美元的授权费，首次付账4700万美元。
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尔必达 DRAM
- 全球第2大DRAM记忆体厂海力士(Hynix)第4季业绩走弱，营运获利下滑加上淡季效应与产品价格走跌等因素，有鉴于大陆市场潜力巨大，该公司拟加码大陆资本投资金额，希望借此刺激营收。海力士大陆区负责人Lee Jae-woo接受Korea Times采访时表示，公司计划提高大陆厂制程技术，以生产高阶晶片。
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海力士 DRAM
- 按VLSI市场调研公司的最新报告，今年无论半导体以及设备业都达到历史上辉煌的年份之一，由此也导致可能产能过剩及芯片价格下降。
同时，该公司也更新了2011及2012年半导体及设备业的预测，为2011年半导体增长4.4%为2486亿美元，以及2012年再增长7.9%。VLSI之前曾预测2011年半导体增长8%。
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半导体 DRAM
- 11月下旬DRAM合约价跌幅超过10%，让市场笼罩在乌云密布的气氛当中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)报价单日再跌7%，1Gb DDR3报价掼破1.3美元;DRAM业者则表示，1Gb DDR3 eTT价格单日大跌超过7%，其实只是以补跌来反应品牌颗粒的价格;然此跌价情况若再延续，不排除各家DRAM厂会有扩大减产的情况出现。
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力晶 DRAM
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