韩国电子时报报导，DRAM价格在15天内暴跌10%，1Gb DDR3价格恐将跌至2美元线。价格跌落幅度超过预测值，不只三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，设备业者也感到相当紧张。据市调机构DRAMeXange统计，1Gb DDR3 9月初固定交易价格较15天前跌落10.60%至2.09美元，这是DDR3自2009年1月上市以来，固定交易价格最大跌幅。甫推出DDR3时，价格仅 在1美元在线，其后持续上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元线。
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海力士 DRAM DDR3
全球半导体经受金融危机后正迈入新一轮的增长时期，各家市场分析公司几乎都报道了2010年半导体有30%的增长，达到2900亿美元。
半导体业步入新时期
由于半导体业已逼近摩尔定律的终点，业界的变化规律开始发生变异，使得半导体业正进入一个崭新时期。新时期最明显的特点可以归结为增长趋缓，未来年均增长率在6%～7%;研发费用高耸，只有很少几家厂有能力继续跟踪，大多数顶级半导体厂都采用外协合作方案。工业的趋势可能会形成英特尔CPU，三星存储器及“fabless(无生产线半导体公司)+代工
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三星 半导体 DRAM
三星电子(Samsung Electronics)制程微缩持续踩油门，继46纳米制程大量供货，下世代35纳米制程将在第4季试产，目标2010年底占总产能达10%，由于从 35纳米跳到46纳米估计成本可再下降30%，届时台、韩DRAM之战将形成以卵击石，加上台厂新产能大量产出时间点亦多落在第4季，面对产能将大量开出，近期DRAM价格跌不停，特别是DDR3 eTT已传出通路商价格杀至1.7美元，较同容量DDR2价格还要低。
近期DRAM合约价及现货价均呈现极度疲软，尤其在传统旺季是相当少见情况，甚至
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三星 DRAM 35纳米
韩国电子时报报导，DRAM价格在15天内暴跌10%，1Gb DDR3价格恐将跌至2美元线。价格跌落幅度超过预测值，不只三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，设备业者也感到相当紧张。
据市调机构DRAMeXange统计，1Gb DDR3 9月初固定交易价格较15天前跌落10.60%至2.09美元，这是DDR3自2009年1月上市以来，固定交易价格最大跌幅。甫推出DDR3时，价格仅在1美元在线，其后持续上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元线。DD
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海力士 DRAM DDR3
9月9日《半导体行业特别报告》出版，涉及项目包括有：库存补充、企业升级周期、智能电话作为主要趋势、移动性长期转变、供应链动态、3G和4G的构建。
涉及企业包括有：AMD公司(AMD)、ARM 集团(ARMH)、AT&;T公司(T)、Altera公司(ALTR)、苹果公司(APPL)、Atheros(ATHR)、爱特梅尔公司(Atmel：ATML)和其他多家企业。
以下内容摘录自《半导体行业特别报告》，专业分析师在其中讨论了该板块的前景和投资展望。
2005年进入德意志银行的鲍
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ARM 半导体 DRAM
据国外媒体报道，市场研究公司iSuppli 15日表示，由于尔必达公司和南亚科技股份有限公司生产费用出现增长，电脑内存芯片的生产成本近4年来首次上升。
美国加州的市场研究公司iSuppli周二的调查报告显示，动态随机存取存储器(DRAM)内存芯片的平均生产成本从第一季度的每G内存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次内存芯片制造成本的上升发生在2006年的第三季度。
尔必达公司和南亚科技股份有限公司分别是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亚科技股份有限公司在采用新的
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内存 DRAM
市场调研iSuppli近期发布报告称，今年二季度的DRAM内存芯片生产成本遭遇了自2006年三季度以来的首次上涨，这也引发了外界对于厂商在内存芯片生产花费支出的担忧。从2005年开始，内存芯片的生产成本就大致以平均每季度9.2%的幅度在下降。然而今年二季度的每Gb DRAM芯片的平均价格却达到了2.03美元，相比上一季度的2.00美元小幅上涨。虽然价格上涨幅度非常小，但这完全颠覆了之前沿袭的规律。
其实，二季度内存芯片生产成本的上涨也并不是忽然至来。从2009年三季度开始，DRAM芯片季度生产成
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DRAM 内存芯片
日圆兑美元汇率强势升值，创近15年来新高;台湾存储器业者表示，日圆走势对日系厂商营运势必产生压力，未来将更仰赖台湾合作伙伴。
日本两大半导体厂在全球市场占有举止轻重的影响力，其中尔必达 (Elpida)今年第2季在全球动态随机存取内存 (DRAM)市场占有率为18%，是全球第3大DRAM厂。
东芝(Toshiba)今年第2季在全球储存型闪存(NAND Flash)市场占有率达33.1%，仅次于韩国三星，居全球第2大厂地。
南亚科技副总经理白培霖指出，日圆急遽升值，对日本内存厂尔必达及
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内存 DRAM
三星电子(Samsung Electronics)表示，智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)等革新性行动装置制作成实体的过程中，对高性能、低耗电半导体的需求也正逐渐增加，因此三星计划以性能提升，且减少耗电量的半导体产品主导市场。
三星祭出Smart and Green Plus策略，不仅致力于开发高性能、低耗电的半导体，同时也将配合世界各国的能源节约等亲环境政策推动三星的差异化解决方案。
做为新策略的一环，三星自2009年起便与服务器业者共同推动绿色存储器活
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三星 半导体 DRAM
Gartner现在预计今年全球半导体营收将达到3000亿美元，比去年增长31.5%。它之前预计今年半导体营收的增幅只有27.1%。包括手机和笔记本电脑在内的消费者电子产品在半导体销售中占大多数份额。手机出货量持续增长将推动半导体营收的增长，而电脑出货量增长速度的减慢将被平板电脑销售的增长所抵消。
Gartner表示，尽管个人电脑销售速度减慢，但今年NAND闪存和DRAM的营收仍将增长。DRAM营收今年将增长82.5%，几乎达到420亿美元，但它可能会从明年下半年开始减慢增长速度。Gartner预
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半导体 DRAM NAND
台湾国际半导体展(SEMICON Taiwan 2010)于8日正式开幕，在半导体趋势论坛中，摩根士丹利证券执行董事王安亚针对未来DRAM市场发出警语，认为未来2Gb产品将成为DRAM市场主流，且未来以40纳米制程生产的2Gb将最具竞争力，台系DRAM厂，包括南亚科、华亚科等，必须尽快提升50纳米制程的良率，且转进40纳米制程世代，才会具有成本竞争力。
三星电子(Samsung Electronics)日前对于2010年下半DRAM市场发出供过于求的悲观论调，使得全球DRAM产业大幅受挫，台系D
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三星 DRAM 40纳米
据国外媒体报道，三星周二表示，由于全球PC市场低迷，DRAM内存芯片将于第四季度出现生产过剩的局面。
台湾复华投信(Fuh Hwa Securities Investment Trust)基金经理约翰·酋(John Chiu)称：“众所周知，当前PC市场并不景气。如果需求不能提升，那么库存就会增加。”
约翰·酋还称：“人们都把希望寄托于中国内地的10月长假和新年假期，如果需求有所增长，那么库存就会有所缓解。”
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三星 DRAM
据集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 日前发布研究报告指出，在台系 DRAM 厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。
南科除今年将12寸月产能从3万6千片提升至5万片，明年上半年可达6万片，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片，同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm，预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠，以品牌销售颗料计，南科明年将成为台湾DRA
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南科 DRAM Flash
国际研究暨顾问机构顾能(Gartner)今(1)日指出，动态随机存取存储器(DRAM)产业景气盛况将在明年下半年改变，至2012年销售恐将衰退近三成。
顾能表示，由于初期PC市场表现强劲和供应减少，使DRAM产业获利看涨，今年收益逼近420亿美元，较预期获利高出82.5%，出现戏剧性成长和变化;惟至2011年下半年将有所转变，2012年的销售恐将衰退29%。
不过，快闪存储器市场在智能型手机和平版媒体强劲的销售带动下，收益至2013年皆会维持原有的成长。
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DRAM 闪存
据集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 日前发布研究报告指出，在台系 DRAM 厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。
南科除今年将12寸月产能从3万6千片提升至5万片，明年上半年可达6万片，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片，同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm，预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠，以品牌销售颗料计，南科明年将成为台湾DRA
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南科 DRAM Flash
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