- 南韩三星电子大张旗鼓扩充DRAM产能,引发各方关注。台塑集团总裁王文渊日前于内部会议表示,原先预期三星明年下半年启动扩产,其进度比预期快得多,惟集团与美光合作的30纳米制程已完成开发,今年将切入50、42纳米制程,技术超越台系厂商;对照先前65纳米,生产成本优势将提升约40%至50%,台塑集团已积极审慎应战。
三星大张旗鼓扩充DRAM、NAND产能,由于比原先预期将在明年下半年启动快的多,也使台湾厂商将被迫提前面临新产业淘汰赛,但也突显三星对DRAM后续产业前景,有偏多的立场。
南亚科董事
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三星电子 DRAM NAND 50纳米
- 三星电子(Samsung Electronics)半导体事业社长权五铉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬来台公开呼吁DRAM同业应该要节制扩产,但三星电子却于17日宣布,2010年将砸下26兆韩元(约折合228.8亿美元)资本支出,是历年来规模最大的投资计画,主要以半导体产业为主,这对全球DRAM产业可说是投下一颗震撼弹,而台系DRAM厂的反应则是哑巴吃黄莲。存储器业者指出,三星此举是看好未来3年PC市场成长率,但却让现阶段正积极募资的台系DRAM厂,狠狠挨了一记闷棍!
权五铉3月中旬
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三星电子 DRAM
- 原本进入难产阶段的5月DRAM合约价终于开出,一如市场预期,在PC大厂和DRAM大厂多日的拉锯战之下,DDR2合约价最后持平开出,而DDR3合约价则是小涨2~3%;DRAM业者认为,在电子产业的传统淡季还能维持此结果,算是满意,至于第3季传统淡季展望,DRAM厂都不敢把话说的太满,对于能否有大幅涨价的空间? DRAM厂仅客气表示,在此高档区间震荡就算是合理价位。
2010年5月合约价相当难谈,几乎到了快要难产的阶段,主要就是卡在三星电子(Samsung Electronics)上,与部分PC大客
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三星电子 DRAM
- 据国外媒体报道,欧洲第二大芯片厂商英飞凌日前宣布,公司已经与日本尔必达就半导体技术专利纠纷达成和解。
英飞凌发言人Monika Sonntag今日在接受电话采访时称,双方已经同意交叉授权半导体专利技术,公司不会公布和解协议的具体财务条款。
尔必达是日本最大的电脑内存芯片厂商,它与英飞凌就与微控制器有关的创新技术专利向美国地方法院和国际贸易委员会提出了诉讼。
英飞凌负责销售、营销与技术的管理委员会成员Hermann Eul表示:“我们期待着两家公司能够保持长久的和平关系。
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英飞凌 DRAM
- 英飞凌科技股份公司今日宣布,该公司与尔必达公司(Elpida Memory Icn.)就专利侵权诉讼达成和解。英飞凌与尔必达均同意撤消所有未决专利侵权诉讼。英飞凌于2010年2月向美国国际贸易委员会(ITC)递交起诉书,起诉尔必达及其客户。尔必达随后在弗吉尼亚州东部地区法院针对英飞凌提起两项诉讼。
英飞凌与尔必达通过半导体技术专利交叉许可,就专利侵权诉讼达成和解。具体许可条款未透露。
英飞凌公司董事会成员兼销售、营销、技术和研发负责人Hermann Eul博士指出:“英飞凌很高
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英飞凌 DRAM
- 欧盟委员会19日裁定韩国三星等10家芯片制造商操纵市场价格的行为构成垄断,并开出总额达3.31亿欧元的罚单。
欧盟委员会当天发表声明说,这些企业在动态随机存储器(DRAM)销售上设定价格,其行为损害了市场竞争,违反欧盟反垄断规定。
根据这一声明,韩国三星电子公司被罚金额最高,为1.457亿欧元,其次为欧洲第二大半导体生产商德国英飞凌科技公司和韩国现代电子产业公司,分别被处以5670万欧元和5150万欧元罚金。据悉,韩国三星电子公司和韩国现代电子产业公司去年在该存储器全球市场中占据一半以上份
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三星电子 DRAM
- 市场调研机构Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市场份额公司排名情况。在Q1排名中市场份额扩大的优胜者是三星,美光及力晶及茂德。Q1 市场份额减少的失意者为海力士,尔必达,南亚和威邦。
Q1的市场排名中依销售额计,三星居首位,接下来为海力士,尔必达,美光,力晶,南亚,威邦,茂德,东芝和钰创科技。
台湾的茂德与力晶半导体由于产能利用率近满载,它们的销售额大幅增加。Gartner的分析师Andrew Norwood认为力晶受益于其技术向Elpida的65nm XS技术过渡, 所以超
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三星 DRAM
- 三星电子前日宣布,今年的扩张资本支出将增加到18兆韩元(折合156亿美元)。计划将以11兆韩元扩充内存芯片产能,还将以5兆韩元与2兆韩元分别投入液晶显示器 (LCD),以及电视与手机业务。此外,加上研发支出,预计三星今年支出总额将达26兆韩元,较去年激增67%,如此大手笔让人咋舌。
据悉,三星半导体业务总裁权五铉3月在出席GSA内存大会时还表示,三星不会盲目扩大DRAM颗粒产量,但会重视产品价值,稳定产品价格。他还督促DRAM制造商不要一味的追求产能,而是应该把注意力放在工艺升级和高端产品的研发
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三星 DRAM 面板
- 三星电子(Samsung Electronics)半导体事业社长权五铉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬来台公开呼吁DRAM同业应该要节制扩产,但三星电子却于17日宣布,2010年将砸下26兆韩元(约折合228.8亿美元)资本支出,是历年来规模最大的投资计画,主要以半导体产业为主,这对全球DRAM产业可说是投下一颗震撼弹,而台系DRAM厂的反应则是哑巴吃黄莲。存储器业者指出,三星此举是看好未来3年PC市场成长率,但却让现阶段正积极募资的台系DRAM厂,狠狠挨了一记闷棍!
权五铉3月中旬
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三星电子 DRAM
- 三星电子在16号半导体生产线开工仪式上表示,2010年整体投资将达到26兆韩元。该生产线位于韩国华城,将主要用于生产下一代存储产品,2011年建成投产后预计能月产12英寸半导体晶片20万片以上。
2010年三星电子26兆韩元投资计划主要包括:半导体领域11兆韩元、液晶领域5兆韩元、手机显示领域2兆韩元以上、整体研发8兆韩元。经过此轮投资三星电子将实现30纳米DRAM大规模量产、拥有能够月产7万片的第四条8代液晶面板生产线、拥有全球最大规模的AMOLED生产线等。这是三星集团继前不久宣布向新产业投
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三星电子 DRAM AMOLED
- 原本进入难产阶段的5月DRAM合约价终于开出,一如市场预期,在PC大厂和DRAM大厂多日的拉锯战之下,DDR2合约价最后持平开出,而DDR3合约价则是小涨2~3%;DRAM业者认为,在电子产业的传统淡季还能维持此结果,算是满意,至于第3季传统淡季展望,DRAM厂都不敢把话说的太满,对于能否有大幅涨价的空间? DRAM厂仅客气表示,在此高档区间震荡就算是合理价位。
2010年5月合约价相当难谈,几乎到了快要难产的阶段,主要就是卡在三星电子(Samsung Electronics)上,与部分PC大客
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三星电子 DRAM
- 全球DRAM产业40纳米大战出现变量,由于浸润式机台(Immersion Scanner)递延交货之故,瑞晶已松口表示,原本计划年底前旗下8万片12寸晶圆产能要全转进45纳米制程的目标,将正式递延至2011年第1季,其第1台浸润式机台本周才会正式到货,比原订时程晚了2~3个月,内部已决定将8万片产能全数转进63纳米制程作为应变。DRAM业者皆认为,全球DRAM 产业的40纳米正式对决时间点,会是在2011年!
瑞晶总经理陈正坤表示,瑞晶第1台浸润式机台将于本周正式到货,预计在9月之前会有5~6台
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三星电子 DRAM 40纳米
- 2010年第1季全球NAND Flash产业市占率中,仍以三星电子(Samsung Electronics)位居龙头,根据集邦统计,三星的市占率高达39.2%,东芝(Toshiba)以34.4%市占率紧追在后,第1季位元成长率较上季增加15%,但平均单价(ASP)小跌5%,全球NAND Flash产业的产值规模约43.63亿美元,较上季39.1亿元成长11.6%。
NAND Flash产业2009年率先落底反弹,但2010年表现空间不多,在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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Samsung NAND DRAM
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx B.V.)的所有程序。依据协议,美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金Francisco Partners)。
完成收购恒忆后美光成为同时拥有DRAM、NAND以及NOR技术的记忆体晶片大厂。恒忆去年第4季营收约5.50亿美元,自由现金流量达4,200万美元。交易完成后美光/恒忆将与意法共享位于义大利Agrate的&ld
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美光 DRAM NAND NOR
- DRAM价格走扬,带动全球第一季DRAM产值持续攀高至92.77亿美元,较去年第4季再成长6.9%;其中,南韩三星市占率达32.3%,稳居全球DRAM龙头宝座。
集邦科技表示,尽管第一季为DRAM产业传统淡季,不过,在电脑系统厂商担心下半年恐将缺货、积极储备安全库存下,带动第 1季DRAM市场需求淡季不淡,价格也持续走扬。
根据统计,第一季DDR3合约季均价上涨16%,现货季均价也上涨14%;DDR2产品方面,第1季合约季均价上涨5%,现货季均价则持平表现。
而在产品价格走扬,加上各
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三星 DRAM DDR3
ddr5 dram介绍
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