由于DRAM价格再度崩跌，原本财务体质就相当孱弱的台厂再度面临难关，DRAM产业整并潮恐再次启动，但业者预期这次参与整并成员将单纯许多，美光(Micron)阵营的南亚科和华亚科在台塑集团财务支持下，已走出自己的路，不过，力晶、茂德、瑞晶合计26万片12寸产能，恐怕都将成为尔必达(Elpida)囊中物。
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美光 DRAM
由于DRAM价格再度崩跌，原本财务体质就相当孱弱的台厂再度面临难关，DRAM产业整并潮恐再次启动，但业者预期这次参与整并成员将单纯许多，美光(Micron)阵营的南亚科和华亚科在台塑集团财务支持下，已走出自己的路，不过，力晶、茂德、瑞晶合计26万片12寸产能，恐怕都将成为尔必达(Elpida)囊中物。
DRAM产业2年前的整并赛轰轰烈烈开演，最后却草草收场，大家都把理由推给DRAM价格反弹，不需再由政府插手，经济部亦乐得抛开烫手山芋，台系DRAM厂则沈溺在报价反弹的荣景，纷购买机台及转换制程扩产
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Micron DRAM
据国外媒体报道，去年获得日本政府救助的芯片厂商尔必达今天表示，由于芯片价格的“意外”下滑，该公司计划将产能削减25%。
在芯片制造业中，产能以晶圆数量计算。尔必达将把每月的晶圆产量从23万下调至17万。但该公司并未透露何时恢复产能。
尔必达总裁阪本幸雄说：“目前还不清楚价格会下降多少。我们这样做是试图阻止价格进一步下滑。”
据存储芯片网络交易商集邦科技(DrameXchange.com)的数据显示，基准芯片价格在上一季度暴跌24%后，本
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尔必达 DRAM
集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange调查，全球DRAM产业第3季营收数字达108亿美元，虽然DRAM 总产出量季成长15%，但在第3季合约价跌幅超乎预期拖累，相较于上季营收104亿美元，仅微幅成长约3.4%。而在全球市占上，韩系DRAM厂第3季已囊括全球61.2%市占率，日系厂占16.3%，美系厂占12.2%，台厂则微幅下滑至10.3%。
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集邦科技 DRAM
日系存储器大厂尔必达(Elpida)虽然预期2010年第2季(7~9月)财报较2009年同期大幅增加，但相较上季却是明显缩水，主要还是受到个人计算机(PC)市场需求不振的影响，未来尔必达在标准型DRAM产品在线，将越来越依赖台系DRAM合作伙伴的产能奥援，尔必达自己的12寸晶圆厂将聚焦在附加价值高的Mobile RAM产品在线。
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尔必达 DRAM
台系DRAM厂茂德公布第3季财报，一如市场预期，第3季在没有巨额业外获利挹注的情况下，亏损持续扩大，税后亏损达新台币38.96亿元，以减资后股本计算，每股税后亏损1.5元;茂德第3季营收则是呈现成长，主要是导入尔必达(Elpida)63纳米制程技术所带来的出货量成长贡献，但也因为DRAM平均单价下滑影响，营收成长幅度未如预期，仅小幅成长8.76%。
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茂德 DRAM
路透报导，全球第2大手机厂商三星电子(Samsung Electronics)表示，因PC市场需求降温，DRAM供过于求的状况将持续到2011年第2季。
三星的高层指出，虽然市场需求逐渐疲软，但因投资增加的结果，供给会持续上扬，这也使得DRAM市场出现供给过剩的问题，可能要等到2011年中状况才会解除。
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三星电子 DRAM
受惠于出货成长及转进优势芯片的策略奏效，南韩海力士半导体第三季营业利益创下历史次高记录。海力士预估，内存芯片价格将于明年第一季开始止跌回稳。
海力士周四公布，第三季营业利益为1.01兆韩元(8.849亿美元)，超越市场预期的9610亿韩元，并较去年同期的2090亿韩元大幅成长近5倍，同时逼近上一季创下的1.05兆韩元的历史新高。
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海力士 DRAM
DRAM厂第3季经历最冷的传统旺季，营运成绩单并不亮眼，其中南亚科和华亚科亏损较第2季扩大，力晶虽然第3季是少数获利的DRAM厂，但获利幅度较第2季大幅缩水，瑞晶则是台系DRAM厂中，唯一获利幅度逆势超过第2季的业者，而茂德第3季则是续亏;展望第4季营运，目前DRAM价格还有修正空间，各厂力拼制程演进来降低成本。
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瑞晶 DRAM
韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NAND Flash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置，相较26纳米存储器，晶圆(wafer)产出量提高约25%。
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海力士 DRAM 20纳米
DRAM存储器半导体价格跌势持续第5个月，韩厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix)等存储器公司2010年第4季将难避免营收恶化的危机。
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海力士 DRAM
南亚科和华亚科20日将打头阵召开法说，然力晶却抢先公布第3季财报，税后获利19.36亿元，若加计瑞晶获利，第3季获利可望逼近30亿元;南亚科和华亚科则因为50奈米制程转换，产出不如预期，加上DDR3价格慢性崩盘，使得2家公司第3季亏损分别逾20亿和30亿元。展望第4季，若1Gb芯片价格跌到1美元，2Gb芯片跌破2美元，这3家台DRAM厂恐将全数亏损。
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力晶 DRAM
受内存厂先进制程持续开出，内存封测及材料厂第4季接单量明显成长，不过，由于DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取内存)价格走低影响，封测价格也面临降价压力，因此第4季呈现量增价跌格局，预期各家营收维持小幅成长3~10%不等，是半导体业中少数还能维持成长的族群。
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DRAM 内存封测
虽然在经济前景不明的情况下，半导体产业景气亦受到连带影响，不过全球排名第2的半导体大厂海力士(Hynix)仍计划对转进30纳米制程持续加码，以增加和三星电子(Samsung Electronics)、日本尔必达(Elpida)等大厂竞争的优势。
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海力士 DRAM 30纳米
据国外媒体报道，研究机构iSuppli已经降低了对2010年半导体销售额的预测，但是它仍预期年底的利润将达到前所未有的3020亿美元。最新的预测显示利润上升了32%，比先前预测的35.1%有所下降。这主要是由于对四季度销售额预期的降低。
据该机构表示说，今年的利润有望比去年同期增长740亿美元，比2007年高280亿美元。根据该公司的预测这将是半导体市场达到巅峰的一年。
产品利润预期会增长43%，DRAM将会在PC市场有一个87%的强劲增长。同时，由于智能手机不断增长的需求，无线通信市场将
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半导体 DRAM
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