路透报导，全球第2大手机厂商三星电子(Samsung Electronics)表示，因PC市场需求降温，DRAM供过于求的状况将持续到2011年第2季。
三星的高层指出，虽然市场需求逐渐疲软，但因投资增加的结果，供给会持续上扬，这也使得DRAM市场出现供给过剩的问题，可能要等到2011年中状况才会解除。
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三星电子 DRAM
受惠于出货成长及转进优势芯片的策略奏效，南韩海力士半导体第三季营业利益创下历史次高记录。海力士预估，内存芯片价格将于明年第一季开始止跌回稳。
海力士周四公布，第三季营业利益为1.01兆韩元(8.849亿美元)，超越市场预期的9610亿韩元，并较去年同期的2090亿韩元大幅成长近5倍，同时逼近上一季创下的1.05兆韩元的历史新高。
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海力士 DRAM
DRAM厂第3季经历最冷的传统旺季，营运成绩单并不亮眼，其中南亚科和华亚科亏损较第2季扩大，力晶虽然第3季是少数获利的DRAM厂，但获利幅度较第2季大幅缩水，瑞晶则是台系DRAM厂中，唯一获利幅度逆势超过第2季的业者，而茂德第3季则是续亏;展望第4季营运，目前DRAM价格还有修正空间，各厂力拼制程演进来降低成本。
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瑞晶 DRAM
韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NAND Flash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置，相较26纳米存储器，晶圆(wafer)产出量提高约25%。
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海力士 DRAM 20纳米
DRAM存储器半导体价格跌势持续第5个月，韩厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix)等存储器公司2010年第4季将难避免营收恶化的危机。
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海力士 DRAM
南亚科和华亚科20日将打头阵召开法说，然力晶却抢先公布第3季财报，税后获利19.36亿元，若加计瑞晶获利，第3季获利可望逼近30亿元;南亚科和华亚科则因为50奈米制程转换，产出不如预期，加上DDR3价格慢性崩盘，使得2家公司第3季亏损分别逾20亿和30亿元。展望第4季，若1Gb芯片价格跌到1美元，2Gb芯片跌破2美元，这3家台DRAM厂恐将全数亏损。
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力晶 DRAM
受内存厂先进制程持续开出，内存封测及材料厂第4季接单量明显成长，不过，由于DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取内存)价格走低影响，封测价格也面临降价压力，因此第4季呈现量增价跌格局，预期各家营收维持小幅成长3~10%不等，是半导体业中少数还能维持成长的族群。
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DRAM 内存封测
虽然在经济前景不明的情况下，半导体产业景气亦受到连带影响，不过全球排名第2的半导体大厂海力士(Hynix)仍计划对转进30纳米制程持续加码，以增加和三星电子(Samsung Electronics)、日本尔必达(Elpida)等大厂竞争的优势。
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海力士 DRAM 30纳米
据国外媒体报道，研究机构iSuppli已经降低了对2010年半导体销售额的预测，但是它仍预期年底的利润将达到前所未有的3020亿美元。最新的预测显示利润上升了32%，比先前预测的35.1%有所下降。这主要是由于对四季度销售额预期的降低。
据该机构表示说，今年的利润有望比去年同期增长740亿美元，比2007年高280亿美元。根据该公司的预测这将是半导体市场达到巅峰的一年。
产品利润预期会增长43%，DRAM将会在PC市场有一个87%的强劲增长。同时，由于智能手机不断增长的需求，无线通信市场将
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半导体 DRAM
Gartner预测今年全球半导体成长率可攀至31.5%的高峰，而这股从去年景气谷底复苏的强劲力道，在历经连续五季的成长后即将落幕，一直到2014年全球半导体成长率最高不会超过7%，主要是因为半导体库存若不实时调整，供过于求的态势恐持续扩大。
Gartner副总裁JimEastlake表示，全球半导体成长趋势已达高峰，一波调整库存的浪潮将产生，以因应半导体端和系统端供需失衡的扩大。
Gartner副总裁JimEastlake表示，受景气回温影响，半导体产值自2009年第三季开始超过系统端产值
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半导体 DRAM
美系存储器大厂美光(Micron)交出连续4季获利财报，美光近几年多角化发展十分成功，目前DRAM营收比重有仅剩下25%，受到下半年标准型DRAM价格重挫的冲击已大幅减少;然值得注意的是，与存储器龙大厂三星电子(Samsung Electronics)相同，美光执行长Steve Appleton也对于个人计算机(PC)市场前景的不确定因素发出预警。
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美光 DRAM eMMC
DRAM大厂力晶自结9月营收新台币75.19亿元，较上月88.88亿元减少15%，累计前9月营收为675亿元;力晶发言人谭仲民表示，9月营收下滑主要是受到DRAM现货价疲软的影响，随著12寸晶圆厂代工业务的需求和报价回稳，标准型DRAM制程技术也逐渐转进尔必达63纳米制程，未来成本可望进一步下降。
受到DRAM现货价和合约价大幅下修的影响，DRAM厂9月营收除了华亚科受惠50纳米制程大量转换成功之赐，而逆势成长之外，其它各厂营收都呈现下滑趋势，包括力晶、瑞晶、南亚科、茂德等9月营收都难逃衰退命运
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力晶 DRAM
存储芯片市场调研公司inSpectrum表示，尽管下滑趋势依旧，但内存和闪存芯片价格有望在中国十一长假后迎来小幅回升。
来自交易市场的消息称，在十一长假结束前市场对DRAM内存和NAND闪存芯片的需求已经出现回升迹象。很多厂商称十一长假带来的市场需求已经耗掉其大部分存货，下周将进行新一轮的存货补充。
不过inSpectrum也认为，由于零售渠道的根本需求依旧很弱，所以这种价格反弹只能是短期行为，不会持续太长。而且一些厂商继续在其零售渠道降低eTT芯片价格，这也影响了整个内存芯片市场的价格走
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DRAM 闪存
个人计算机(PC)需求不振连累DRAM价格重挫，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄坦承将下修公司获利目标，同时在台湾转投资瑞晶R2厂的扩产计划也将踩刹车。2010年在3、4月DRAM大缺货之际，尔必达内部规划广邀PC客户入股来协助瑞晶扩产，届时将依照投资比重来分配DRAM货源，但传出DRAM价格崩盘后，PC客户早已溜之大吉，瑞晶的扩产计划只好喊卡，然尔必达广岛厂的扩产进度仍将如期进行。
坂本幸雄表示，PC市场在传统旺季的需求未如预期，将连累尔必达的财报获利受到影响，但DRAM价格其实下修幅度已大
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尔必达 DRAM
全球NAND Flash产业在高容量32Gb和64Gb芯片产能持续开出下，9月下旬合约价续跌，其中，32Gb芯片合约价下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模块厂表示，NAND Flash芯片价格已跌到相当接近各大厂成本线，若价格再跌，恐会让NAND Flash厂产生亏损，接下来要看大陆十一长假后是否出现补货需求，带动NAND Flash价格止跌。
模块厂表示，近期NAND Flash产品需求比DRAM模块好一些，DRAM买气受限于现货价跌幅较深，通路商补货意愿不高，但在NAND Flas
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NAND DRAM
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