近来台湾DRAM晶圆厂人事异动频繁，包括华邦电（2344）原记忆体事业部资深高阶主管王其国，以及力晶（5346）原创始元老曾邦助，都相继转换跑道，为其他DRAM业者效力，加上华邦电近半年来亦出现研发人员流动率偏高情况，DRAM业界多认为，尽管人员流动不至于影响DRAM厂既有运作，但仍凸显出DRAM产业高度不确定及不稳定特性。 华邦电发言人温万寿19日表示，王其国原任华邦电BG2（Business Group 2）事业群总经
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DRAM 其他IC 制程
根据彭博资讯(Bloomberg)，证券业者花旗集团旗下半导体分析师，宣布将DRAM业者包括美光集团科技(Micron)、英飞凌(Infineon)与南亚科技等的股票投资评等调高，理由是认为DRAM价格下跌的状态将开始减缓。 据了解，花旗将Infineon和南亚科技的评等由“持有”调高至“买进”，Micron和茂德(PronMOS)则由“卖出”调高至“持有”，韩国三星电子评等维持不变在“持有”。分析师指出，价格可能在下个月或其后一个约触底，而全球
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DRAM 存储器
2005年3月A版 尽管2005年世界半导体业的销售值势比上年大幅下降，但销量将继续快速增长。为迎接这一需求，2005年300mm晶圆片生产线将加速建设。据iSuppli公司预测，当年将共建成16条生产线，比2003和2004年所建线加在一起还多。 2005年建设高潮是经历多年才形成的。早在1998年建成的300mm线，其回报在2001年经济衰退中受到严重打击，可执着坚持的公司却在2004年半导体市场再创新高时获得丰厚回报。
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DRAM 存储器
英飞凌科技公司在2004年IEEE（电子和电气工程师学会 2004年12月13～15日于美国旧金山举行）国际电子器件会议（IEDM）上，展示了该公司具有高生产性的、适合未来DRAM产品的70 nm工艺技术，此技术以在300 mm晶圆上的深沟（DT）单元为基础。目前全球25％的DRAM生产都是以沟槽技术为基础的。在其报告中，英飞凌阐述了全部集成计划和主要技术特征――包括首次在基于沟槽技术的DRAM生产流程中使用高介电常数物质。英飞凌70 nm DRAM程序堪称重大技术突破，显示了沟槽技术的可伸缩性。
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DRAM 存储器
iSuppli最新发布的报告指出，今年上半年全球DRAM市场规模比去年同期增长66%，中国市场增长88%，其次为亚太地区(不含中国)的81%。日本经济情况改善，其DRAM销售增 长70%。美国仅仅增长48%，远不及全球的66%。 在主要供货商方面，Hynix、Elpida Memory与大部份台湾地区供货商在上半年的占有率都比去年有所增长；而三星、美光与英飞凌的市场份额则在下降。中国是全球增长最迅速的DRAM市场，Hynix是该地区的领导厂商，市场占有率高达42%，去年同期为40%。
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DRAM 存储器
企业网路设备厂商 - 美商凯创(Enterasys Networks)表示，日内发表其获奖产品Dragon入侵侦测系统（Intrusion Detection System；IDS）的最新版本。Dragon 5在其基础架构中加入更好的延展性、可用性与弹性，以强化企业网路的安全
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IDS 凯创 DDR2 DRAM
1993年，第一块256K DRAM在中国华晶电子集团公司试制成功。
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华晶 DRAM
1985年，第一块64K DRAM在无锡国营742厂试制成功。
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芯片 DRAM
ddr5 dram介绍
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