近来对于所有DRAM厂来说都面临惨不忍睹的情况，原因在于DRAM售价重挫，几乎已到了宁可关厂不做生意的阶段。DRAM厂已展开一波自救计划，部分DRAM厂已正式启动产能调配计划，希望通过这样动作来减少亏损，也因为DRAM厂已开始减产，DRAM厂认为第三季度应该可以见到减产后对于整体DRAM供需平稳成效。 过去几个月以来全球DRAM售价不断出现暴跌，虽说目前价格略微回稳，不过整体来说DRAM厂还是面临到严重亏损压力，DRAM厂坦承这样的售价几乎已是跌到DRAM厂采用12英寸厂90纳米工艺技术时所需的变动成本，
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据业界消息称，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、尔必达(ELPIDA MEMORY) 和海力士半导体（Hynix Semiconductor Inc.)等三家内存厂商提高了DRAM的产量，因此DRAM内存价格近期出现大幅下跌。
据悉，这三家厂商纷纷调整调整产能，将之前生产其它类型产品的生产线全部转而生产DRAM内存。据预测，07年第二季度受上述三家厂商产能调节影响，全球DRAM内存产量将增长20-30%。
美光科技由于预测07年受手机市场带动，CIS（C
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5月16日，据香港媒体报道，海力士半导体高层主管今日表示，公司正处于电脑芯片不景气的低潮期，但是有望在7月或者8月开始得到好转。
海力士策略规划资深副总裁O.C. Kwon对媒体表示，目前，移动存储设备的价格尚没有止跌，但是希望下半年通过供需的改善，需求应该会快速成长。
2006年，由于电脑存储芯片需求超过预期，导致制造商将更多的产能投入其中，最后导致供过于求。除了供需失衡影响外，微软的Vista系统的相关新需求也令这些厂商们失望。
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据Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合约价格下跌到了20美元左右，这也影响到了现货市场的价格走势。面向2007年下半年PC销售旺季，PC厂商将增加库存，预计DRAM需求将随之增长。因此，DRAM价格可能在2007年下半年触底。价格持续下滑，已使DRAM厂商濒临亏损。向更先进的生产工艺转移，以及提高1GB芯片的出货量，将是决定2007年下半年DRAM厂商业绩的两大因素。由于需求仍然疲软，现货市场的价格环境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
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全球DRAM产业版图在奇梦达(Qimonda)正式对外宣布，将在未来5年出资20亿欧元，在亚洲地区自行兴建第1座12吋厂，自此可说全球DRAM大厂从东北亚到东南亚均已到场卡位，其中，北有尔必达(Elpida)、三星电子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)，中有台湾DRAM四宝及大陆中芯，南则有美光(Micron)、奇梦达，全球各大DRAM厂几乎都在亚洲建先进厂。 奇梦达26日表示，未来5年内将在新加坡花费高达20亿欧元兴建12吋厂，奇梦达全球总裁暨执行长罗建
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4月28日消息，据国外媒体报道，权威调研机构Gartner日前指出，三星在全球DRAM市场的份额已降至7年来的最低点，可能被竞争对手Hynix超越。 据Gartner的初步报告显示，今年第一季度，三星全球DRAM市场份额已降至25.5%，比第二名的Hynix仅高出2.7个百分点。这是自2000年以来，三星在DRAM市场表现最糟糕的一次。 在过去的五年中，三星的DRAM市场份额平均比第二名高出17%。相比之下，竞争对手Hynix的市场份额达到了22.8%。销售额达到了21.82亿美元，同比增长6
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4月19日消息，据国外媒体报道，英特尔日前表示，其所开发的相变随机存取存储器（PRAM）有潜力取代当前的DRAM（动态随机存取存储器）。
在日前于北京召开的“英特尔信息技术峰会（IDF）”上，英特尔首席技术官Justin Rattner展示了新型PRAM内存，并表示，PRAM有潜力取代当前的DRAM。
Rattner还称，英特尔开发PRAM已经有十年的历史了。据悉，PRAM是一种非易失性的内存产品，它集DRAM内存的高速存取，以及闪存在关闭电源后保留数据的特性为一体，因此被业界视为未来D
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据台湾集邦科技公司（DRAMeXchange Technology Inc.）周二公布的数据，4月上旬DRAM内存价格继续下滑，而且已经降到了多数制造商的生产成本以下。 据IDG新闻社报道，运营着一个在线DRAM市场的集邦科技称，最常用的DRAM内存，即512Mb 667MHz DDR2的合约价格4月又下降了16.7％，每芯片价格已经降至2.50美元。 大约有四分之三的DRAM芯片均通过DRAM制造商和主要的PC制造商（如戴尔和惠普）之间签署的合约进行买卖。最新的报价来自4月上旬的合约价格，它们显示出DR
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4月11日消息，据台湾集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的数据，4月上旬DRAM内存价格继续下滑，而且已经降到了多数制造商的生产成本以下。
据IDG新闻社报道，运营着一个在线DRAM市场的集邦科技称，最常用的DRAM内存，即512Mb 667MHz DDR2的合约价格4月又下降了16.7%，每芯片价格已经降至2.50美元。
大约有四分之三的DRAM芯片均通过DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴尔和惠普)之间签署的合约进行买卖。最新的报价来
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存储器在半导体行业就是一块万能膏药，或者嵌入到SoC里或者当做单独的存储元件，有数据计算和程序存储的要求就有它的用武之地。当前的主流半导体存储器可以简单的分成易失性和非易失性两部分，它们各有所长，应用领域也因这一特性而是泾渭分明。
易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM，SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据，但是RAM 类型的存储器易于使用、性能好。非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于ROM（只读存储器）技术，包
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29年前,美国爱达荷州,三个年轻人在一间牙医诊所的仓库里,无意中开始了一个名叫DRAM的芯片设计生意。发展到今天,便是年销售额高达52.6亿美金的半导体企业——美光公司。 3月21日,美光正式启动了其在中国投资的第一家制造工厂。这座位于西安高新技术开发区的封装测试厂,总投资2.5亿美金。 美光公司总裁兼首席执行官史蒂夫•阿普尔顿(Steve R. Appleton)在该项目启动典礼间隙,接受了本报记者专访。这位年轻的CEO是个典型的冒险家,拥有多架私人表演式飞机,喜欢在空中做俯冲动作。
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2007年3月21日, 中国西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安启动一家新的制造工厂。这家工厂是美光公司在中国的第一家制造工厂，它将主要负责生产DRAM、NAND闪存和CMOS图像传感器在内的半导体产品的封装测试。 为此，美光公司举行了西安工厂的落成仪式，参加仪式的有政府官员和行业代表。这家工厂预计将于2008年底全部建成，总投资将达到2.5亿美元，所需员工超过2000名。该工厂是美光公司在亚洲的第二家封装测试工厂，其第一家封装测试工厂于1998年在新
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DRAM 8英寸线将逐渐退出 随着半导体工艺制程技术的进步，90纳米及以下制程产品的比重增大以及12英寸硅片的优越性逐渐扩大，首先在竞争最激烈的存储器制造中呈现。 台湾力晶半导体的黄崇仁表示，2006年是转折点，DRAM中的8英寸芯片性价比已不具有优势，一批较早的8英寸芯片厂，已无法采用0.11微米工艺来制造512Mb的DDR2存储器。 台湾拓璞产业研究所最近发表的看法认为，五大集团三星、美光、海力士、英飞凌及尔必达主导了全球的DRAM业，全球DRAM(动态随机存储器)应用中，有
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推动全球半导体工业进步的两个轮子，一个是缩小特征尺寸，另一个是增大硅片直径，通常总是以不断地缩小特征尺寸为先。如今，全球正进入12英寸，65纳米芯片生产线的兴建高潮，业界正在为何时进入18英寸硅片生产展开可行性讨论。在此前提下，业界关心全球8英寸芯片生产线的现状，以及何时将退出历史舞台。纵观全球半导体业发展的历史过程，进入8英寸硅片时代约于1997年。通常每种硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍处于平稳发展时段，显然90纳米及65纳米产品已开始上升。 &
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奇梦达公司和南亚科技公司宣布已成功获得75纳米 DRAM 沟槽式(Trench)技术之验证，最小之制程尺寸为70纳米, 第一个75纳米之产品将为512Mb DDR2 内存芯片。此项新的技术平台和产品是双方共同在德国德累斯顿(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇梦达开发中心所开发的。目前已经在奇梦达的德累斯顿十二吋厂生产线开始此项新一代 DRAM技术之试产。 负责奇梦达的市场和运作，也是管理委员会的委员之一的赛佛(Thomas&
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