2007年3月21日, 中国西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安启动一家新的制造工厂。这家工厂是美光公司在中国的第一家制造工厂，它将主要负责生产DRAM、NAND闪存和CMOS图像传感器在内的半导体产品的封装测试。 为此，美光公司举行了西安工厂的落成仪式，参加仪式的有政府官员和行业代表。这家工厂预计将于2008年底全部建成，总投资将达到2.5亿美元，所需员工超过2000名。该工厂是美光公司在亚洲的第二家封装测试工厂，其第一家封装测试工厂于1998年在新
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DRAM 8英寸线将逐渐退出 随着半导体工艺制程技术的进步，90纳米及以下制程产品的比重增大以及12英寸硅片的优越性逐渐扩大，首先在竞争最激烈的存储器制造中呈现。 台湾力晶半导体的黄崇仁表示，2006年是转折点，DRAM中的8英寸芯片性价比已不具有优势，一批较早的8英寸芯片厂，已无法采用0.11微米工艺来制造512Mb的DDR2存储器。 台湾拓璞产业研究所最近发表的看法认为，五大集团三星、美光、海力士、英飞凌及尔必达主导了全球的DRAM业，全球DRAM(动态随机存储器)应用中，有
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推动全球半导体工业进步的两个轮子，一个是缩小特征尺寸，另一个是增大硅片直径，通常总是以不断地缩小特征尺寸为先。如今，全球正进入12英寸，65纳米芯片生产线的兴建高潮，业界正在为何时进入18英寸硅片生产展开可行性讨论。在此前提下，业界关心全球8英寸芯片生产线的现状，以及何时将退出历史舞台。纵观全球半导体业发展的历史过程，进入8英寸硅片时代约于1997年。通常每种硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍处于平稳发展时段，显然90纳米及65纳米产品已开始上升。 &
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奇梦达公司和南亚科技公司宣布已成功获得75纳米 DRAM 沟槽式(Trench)技术之验证，最小之制程尺寸为70纳米, 第一个75纳米之产品将为512Mb DDR2 内存芯片。此项新的技术平台和产品是双方共同在德国德累斯顿(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇梦达开发中心所开发的。目前已经在奇梦达的德累斯顿十二吋厂生产线开始此项新一代 DRAM技术之试产。 负责奇梦达的市场和运作，也是管理委员会的委员之一的赛佛(Thomas&
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iSuppli表示， DRAM芯片生产商的库存量已下降至20个月来最低水准，因开学季带动个人电脑销售增长。 这家美国研究机构预期本月库存量将持续下降，并在报告中调升短期DRAM市况评等，由原先的“中性”升至“正向”。 iSuppli在9月5日发表的报告中指出，8月初时，DRAM库存为1.92周，较7月的平均水准下降18%，因新学年开始前，PC销售大幅增加。 由于微处理器
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据著名市场调研机构 Gartner 公司最新公布的调查数据显示，2005年全球DRAM储存芯片的销售收入比上年下滑了5%为250亿美元，2004年全球DRAM储存芯片的销售收入为263亿美元。在全球DRAM 储存芯片行业销售收入比2004年下滑5%的不利环境下，中国台湾南亚科技公司（Nanya）和日本最大的DRAM储存芯片制造商尔必达公司（Elpida）是全球最高前六个公司中销售收入实现了增长的公司。 调研公司表示，尽管这是自2001年以后DRAM储存芯片
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北美市场 经销商们在星期三透露，本周DRAM的销售比较缓慢，这段时间也是传统的销售淡季。整个周三都没有一笔生意，因而市价也没什么变化。这一天只有芯片市场PC133材质有唯一一笔现货交易，价格在每芯片$3.30 到$4之间。 亚太市场 &
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欧洲芯片厂商英飞凌表示，DRAM内存平均销售价格的下降影响了该公司2006财年第一季度的财报结果。 据reed-electronics.com网站报道，英飞凌截止到去年12月份的2006财年第一季度的销售收入是大约20亿美元（16.7亿欧元），利息和税项之前的利润为亏损1.477亿美元（1.22亿欧元）。英飞凌的净亏损为2.216亿美元（1
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意法半导体（ST）日前公布了一款针对无线基础设施设备开发的多用途微控制器的细节。这个代号为"GreenFIELD"、产品编号为STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC处理器核心、16Mbit片上eDRAM内存、eFPGA（嵌入式现场可编程逻辑门阵列）模块以及各种模拟和数字外设。GreenFIELD-STW21000是ST无线基础设施产品部发布的第二款先进的系统芯片产品。 GreenFI
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DDR（双数据速率）DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压，并需要等于电源电压一半的基准电压（VREF＝VDD/2）。此外，各逻辑输出端都接一只电阻器，等于并跟踪VREF的终端电压VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同时，必须提供源流或吸收电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压，并可输出高达6A的电流。IC1有一个降压控制器和2个线性稳压控制器。IC1在输入电压为4.5～28V下工作。
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来自市场研究机构DRAMeXchange的最新数据，6月份全球DRAM出货量(折合为256M比特DRAM内存)增长了4%，达到了5.54亿件，其中DDR内存的比例从5月份的63%下滑到了61%，DDR2的比例为30%。 DRAMeXchange预测，随着DDR内存出货量的削减，其供应紧缺状况贯穿整个第三季度，而DDR2内存市场，就出货量而言，Powerchip半导体公司和ProMOS 科技公司在我国台湾厂商中处于领先地位。该研究机构还预测
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国际DRAM厂供应货源不足因应旺季需求 OEM厂转向台厂寻求产能支应。由于OEM计算机大厂担心进入下半年产业旺季后，目前库存货源可能不敷使用，近期纷纷开始增加对DRAM厂下单，惟国际DRAM厂已陆续转移产能生产标准型DRAM颗粒以外的产品，因此供货情况未能满足国际OEM计算机厂需求，为此，OEM计算机厂也转向台湾DRAM厂寻求产能支应，且以过去主力供应现货市场的DRAM厂为主，据传订单数量相当惊人。 TRI观点：以产业链各厂商的动态来观察DRAM产业目前上下游市况如下：
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DRAM厂商第2季财报恐多出现赤字，早盘股价纷纷拉回修正，盘中力晶、南科、茂德跌幅均超过1%以上，茂硅一度跌停。 据港台媒体报道，DRAM 价格第 2 季处于低档，在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)会计盈转亏，税后亏损 1.28 亿美元、每股亏损 0.2&nbs
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进入第二季底，多数DRAM厂原本为应对季底作帐而压低DRAM报价，不过，由于日前合约价公布后竟逆势上涨1～3%，让所有DRAM厂吃下定心丸，不再担心DRAM现货价恐将因DRAM厂抛货而产生跌价压力。DRAM渠道商指出，现在DRAM厂态度可说是相当强硬，客户端若无法接受其报出价位，宁可不卖也不愿压低报价。 全球DRAM最新合约价公布后，尽管无法达到DRAM厂原本希望上调到3～5%的幅度，但部份OEM电脑大厂已接受DRAM厂上调1～3%的事实，而DRAM厂之所以能顺势涨价，最重要因素在于目
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5月26日消息，近几个月以来，全球DRAM大厂为配合英特尔（Intel）及国际计算机大厂全力推动DDRII成为下一世代的计算机主流架构，纷纷加速将产能转换至DDRII，因而造成DDR产出量迅速下滑。也由于计算机大厂对于DDRII做出“过于乐观”的错误判断，反而需回头向中国台湾DRAM厂采买更多的DDR颗粒以因应市场需求。 DRAM厂指出，过去几个月以来，戴尔（Dell）、惠普（HP）等个人计算机（PC）大厂，对于推升DDRII成为市场主流的态度越来越积
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