锐迪科微电子 (RDA) 日前宣布，其应用于地面数字电视接收的高性能射频接收芯片量产，这也是在该领域国内首颗成功上市的芯片，标志着国外芯片垄断国内市场的历史从此改写。该芯片型号为 RDA5880，采用 CMOS 工艺，QFN32 5*5封装，片外器件极少，具备高集成度的特点，支持自动增益控制模式，能够支持目前所有的数字电视广播传输标准(包括 DVB-T、DVB-C、ATSC、DMB-T/H、CMMB 等)以及模拟电视标准，支持多波段 band III 174M-240M, VHF band 470M-
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RDA 地面数字电视 射频接收芯片 CMOS RDA5880
近日， Silicon Laboratories (芯科实验室有限公司)发布一款完整的、全球兼容的混合电视调谐器(hybrid TV tuner)，该Si2170组件在CMOS单芯片上集成了模拟电视解调器。利用Silicon Labs备受肯定的数字低中频架构，Si2170成为业界首个性能超越传统分立式电视调谐器的硅电视调谐器(Silicon TV tuner)，不仅能为电视生产厂商提供更佳的画质，更带来卓越的模拟和数字广播接收能力。超高集成度可减少100多个分立器件的使用，针对数字电视(iDTV)、机
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Silicon CMOS 电视调谐器
新闻事件：
飞思卡尔半导体传感器装运量突破10亿只
行业影响：
飞思卡尔在业内商用汽车传感器供应商中排名第一
代表了飞思卡尔与客户的一个重要里程碑
飞思卡尔半导体提供的传感器技术创新，帮助全球客户过去三十年在汽车、消费、工业和医疗产品上实现重大变化。飞思卡尔一直在传感器领域处于领先地位，最近其传感器装运量突破10亿只，取得重要里程碑。
飞思卡尔提供行业内范围最广的传感器产品系列，在成熟的传感器市场中拥有强劲的发展趋势，该市场涵
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飞思卡尔 传感器 CMOS
继台积电上周于技术论坛中广发MEMS英雄帖后，中芯MEMS部门升格为独立部门，以展现深耕MEMS市场决心。中芯表示，踏入此市场仅约1年，但预计2009年底前，已有3项商品已可进入大量投产，而市场上每项MEMS产品，中芯至少都有1个客户，因此对中芯来说，MEMS成长潜力值得期待。
台积电于上周举办技术论坛中对于MEMS市场相当看好，指出进入MEMS市场到现在为止已有7年，当中已累计出多项制程及IP技术，除此之外，台积电更已可提供标准制程(StandardProcess)，让MEMS客户可安心至台积
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中芯国际 MEMS IP CMOS SoC
按Yole Developpement报道,全球MEMS工业正面临之前从未有过的停滞,2008年的销售额下降2%,达68亿美元,其2009年非常可能增长率小于1%。然而当汽车电子,工业压力传感器及打印头市场随着全球经济下滑时,许多新的MEMS应用却得到切实的增长。
MEMS在消费类电子产品中,如加速度计,陀螺仪的市场继续看好,推动供应商如STMicron(日内瓦),Invensense(加州桑尼威尔),其销售额有10-30%增长。随着MEMS在医疗电子和诊断设备的应用扩大,其市场继续增大。今年新
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MEMS 传感器 CMOS 芯片堆叠封装 TSV 纳米印刷
台积电在MEMS领域历经7年苦练后，与客户关系由接受指导，转变成共同合作开发，台积电主流技术事业发展处处长刘信生自信表示，台积电MEMS将迎头赶上国际IDM厂商脚步，相信2010年台积电MEMS将进入收成期。
刘信生在出席台积电技术研讨会时指出，台积电在MEMS上布局已有7年左右，经过几年努力，相信已可迎头赶上IDM大厂。台积电现已能提供多种标准制程模块(Process Module)供客户使用，包含蚀刻模块、掏空模块等，MEMS客户至台积电投产，仅需针对MEMS产品内部架构设计，其余交给台积电
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台积电 MEMS CMOS 晶圆代工
不仅扩充先进制程研发、产能，台积电主流制程技术也将积极抢攻整合组件厂(IDM)的电源管理IC市场，台积电主流技术事业发展处长刘信生表示，目前台积电在电源管理IC约150亿~160亿美元市场市占率约个位数，绝大部分市场由IDM业者把持，不过未来他看好IDM业者产能不足情况下转单到晶圆代工的可能性，同时也将全力扶持台湾IC设计客户抢进此一市场。
刘信生表示，在电源管理市场规模约150亿~160亿美元中，几近8~9成是由IDM业者所把持，目前台积电不论在设计环境与制程平台上都已做足准备，积极抢攻此市场
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台积电 电源管理IC IDM CMOS
采用恒流源充放电技术，以比较器为核心，利用一种新型真随机数发生器产生随机控制信号，设计一种基于0.5μm CMOS工艺的扩展频谱振荡器，振荡频率在1～1.6 MHz的范围内。通过Cadence spectre仿真工具对电路进行仿真验证，结果表明，该方案能够在1～1.6 MHz的范围内产生随机振荡信号。该振荡器可以用于改善DC／DC转换器的噪声性能。
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CMOS 随机数发生器 扩展频谱 振荡器
在去年的Freescale全国大学生智能车大赛中，赛道信息检测方案总体上有两大类：光电传感器方案和摄像头方案。前者电路设计简单、信息检测频率高，但检测范围、精度有限且能耗较大;后者获取的赛道信息丰富，但电路设计和软件处理较复杂，且信息更新速度较慢。在比较了两种方案的特点并实际测试后，我们选择了摄像头方案。本文将在获得摄像头采集数据的前提下，讨论如何对数据进行处理和控制策略的实现。
数据采集
我们选择了一款1/3?OmniVision?CMOS摄像头，用LM1881进行信号分离，结合AD采样
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飞思卡尔 智能车 传感技术 CMOS 摄像头
Thomson Reuters12日报导，法院相关文件显示，南韩CMOS影像传感器厂商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美国德拉瓦(Delaware)州地方法院依据破产法第11章声请破产保护。根据报导，MagnaChip列出的资产总额达5,000万美元，负债则超过10亿美元。
2004年10月自Hynix独立出来的MagnaChip总部设于南韩首尔。Magnachip为模拟及先进混合信号制程的专业半导体代工厂商，且为力旺于韩国首位取得合作的半导体代工策略
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Magnachip CMOS 传感器 液晶显示器驱动芯片 微控制器
NEC电子公司(NEC Electronics Corp.)和东芝公司(Toshiba Corp.)同意扩展与IBM Corp.的研发协议，允许联合开发使用于消费者产品的28 纳米半导体技术。
这三家公司18日表示，两家日本公司将与IBM一起开发28纳米互补型金属氧化物半导体 (CMOS)技术。在IBM纽约州East Fishkill的工厂，该团队还将包括Infineon Technologies和三星电子公司(Samsung Electronics Co.)。
东芝公司2007年12月加
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NEC CMOS 28纳米 半导体
霍尔传感器是一种基于霍尔效应的器件，它能实现磁电转换，可用于检测磁场及其变化。
霍尔效应虽然在1879年才被发现，但是直到20世纪50年代才出现了对其的应用，然而器件成本很高。1965年，人们开始将霍尔传感器集成进硅芯片中，从而促进了霍尔器件的应用。
经历三大发展阶段
霍尔器件的发展大致可分为三个阶段：
第一阶段是从霍尔效应被发现到20世纪40年代前期。最初由于金属材料中的电子浓度很大,霍尔效应十分微弱而没有引起人们的重视。到了1910年，有人用金属铋制成霍尔元件作为磁场传感器
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霍尔传感器 CMOS A/D转换器 总线接口
NXP公司，前身为飞利浦公司的芯片部门，正在研究专有的相变存储器(PCM)，该公司的首席技术官Rene Penning de Vries表示该技术将十分“有希望”。
他表示，“我们已经看到了很好性能。下一个问题是是否继续生产。”他还补充道，这一决议还未作出。PCM的关键优势在于可以在断电时也能保存数据，作为当前环保节能战略的积极响应，因此前景十分看好。预计PCM的性能要好于闪存，并且其几何尺寸也要比闪存小。
Penning de Vries在
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NXP CMOS PCM 嵌入式存储技术
2008年，在国际金融危机的影响下，中国网络与通信类电子整机、计算机类电子整机、消费类电子整机产量以及汽车电子增速明显下降，这也直接导致MEMS加速度计、MEMS压力计、DMD(数字微镜元件)、喷墨打印头、硅麦克风等产品需求量快速下滑。2008年，中国MEMS市场规模达110.6亿元，同比增长21.9%，较2007年，市场增速下降接近20个百分点。
MEMS市场前景乐观
2008年，中国MEMS市场增速大幅回落。然而，作为半导体领域最为前沿的产品领域之一，未来，MEMS新型显示器、MEMS
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汽车电子 MEMS CMOS
ADI最新推出一系列低压差 (LDO) 稳压器产品，针对低噪声电源所需的输入电压和输出电压性能进行了优化。ADP1740、ADP1741、ADP1752、ADP1753 和 ADP1754LDO 提供 800mA、1.2A 和 2A 的负载电流，其低 Vin 单轨输入能改善转换效率，具备出色的 PSSR (电源抑制比)，可支持现今的高性能信号链。此外，这些新产品所需的元件数量较少，改善了散热性能，从而为医疗成像设备、服务器、基础设施、办公自动化和工业应用的设计者提供噪声更低、可靠性更高且尺寸更小的解决
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ADI 稳压器 LDO
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