- 主电路：Tr：电流互感器
控制电路：M：乘法器;VA:电压误差放大器（K1）； CA：电流误差放
大器（K2）
工作原理：VA的输出：VA=K1（Vr-Vo）；整流电压：Vdc=kVin sint；输入电流的基准信号：M=VA，Vdc=K1k
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原理 控制 电路 PFC Boost
- PCI总线目标接口芯片PCI9052及其应用,摘要：PCI9052是PLX公司继PCI9050之后新推出的一种低成本的PCI总线目标接口芯片,它传输速率高,数据吞吐量大,可避免用户直接面对复杂的PCI总线协议。文中主要介绍了PLX公司的PCI总线目标接口芯片的功能与应用,并给出了
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PCI9052 及其 应用 芯片 接口 总线 目标 PCI
- 据《自然》杂志报道，IBM的科学家当日宣布，他们用微型硅电路取代铜线实现了芯片间通讯，在通过光脉冲而不是电子信号进行芯片通讯上取得重大突破。
这种设备被称为‘纳米光子雪崩光电探测器’(nanophotonic avalanche photodetector)，是同类产品中速度最快的一个，并且显著降低了能耗，将对未来电子行业发展产生重大影响。
IBM的设备利用了当前芯片生产中使用的锗元素的雪崩效应。与陡峭山体的雪崩一样，最初出现的光脉冲只释放了一小部分电荷载体，随后这
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IBM 芯片 通讯
- 国内芯片方案厂商福州瑞芯微刚刚推出了RK2808芯片方案，这是一款可以用于手机、MID、电子书等设备的芯片。这款芯片率先开始支持Android系统，采用65纳米制程构建，其最大的卖点是支持Android系统下的720p视频回放，在Android方案播放HD较弱的背景下，这也是目前这方面最 强的芯片方案。另外，从官网的介绍还看到支持WinCE平台。
该方案特点如下：
* 65纳米工艺
* ARM+DSP 双核结构，ARM 600M,DSP 550M
*
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瑞芯微 芯片 RK2808 Android
- SA60 和LMD18245 分别是美国Apex 公司和NS 公司推出的面向中小型直流电机的全桥功率输出电路。它们既具有在外接少量元件的情况下实现电机的功率驱动、控制以及提供保护等功能的共性,又具有各自特色。下面就其引脚、功
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及其 应用 芯片 驱动 电机 功率 直流
- 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用,1 引言
随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321
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芯片 功能 应用 驱动 MOSFET UCC27321 高速 基于
- 1 AD5933芯片概述
1.1 主要性能
AD5933是一款高精度的阻抗测量芯片，内部集成了带有12位，采样率高达1MSPS的AD转换器的频率发生器。这个频率发生器可以产生特定的频率来激励外部电阻，电阻上得到的响应信号被ADC
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5933 AD 阻抗测量 芯片
- 据国外媒体报道，飞思卡尔半导体向美国国际贸易委员会(USITC)投诉，称日本松下公司和液晶电视制造商Funai电子在电视机和媒体播放器等产品中，侵犯了其芯片专利权。
投诉中称，松下、Funai和JVC Kenwood等公司，以及百思买、沃尔玛等零售商店侵犯了飞思卡尔的知识产权。在国际贸易委员会的网站上可以找到关于本次投诉的公告，但目前还无法获得投诉的全文拷贝。
总部设在德州奥斯丁的飞思卡尔公司的发言人Robert Hatley表示松下、Funai和JVC Kenwood销售了侵犯飞思卡尔专
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飞思卡尔 芯片
- 近年，LED技术在照明等领域广泛应用，LED产业也在中国快速走热，但很多企业在技术上缺乏竞争力，预期利润不高，大量的资本进入这个市场势必造成利润摊薄，引起无序竞争，行业洗牌或在今年。
多位业内专家也表示，LED产业已现过热苗头，需警惕产能过剩问题;另外国外巨头的强势进入，国内厂商在新一轮竞争中应加快技术开发和专利保护。
或透支未来3~5年产能
2月2日，国家首批新型工业化产业示范基地授牌，其中光电产业基地占据3席，LED产业成为国家发展的重点产业。与此同时，LED初始投资1亿元就可建
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LED MOCVD 芯片
- 据台积电公司负责开发的高级副总裁蒋尚义透露，他们计划于2012年第三季度开始试产22nm HP(高性能)制程的芯片产品，并将于2013年第一季度开始试产22nm LP(低功耗)制程的芯片产品。蒋尚义是在日前于日本横滨召开的一次半导体产业论坛会议上透露这些信息的。
会上蒋尚义还透露了台积电28nm制程推进计划的细节，据他表示，台积电将于今年6月底前开始试产28nm低功耗制程(LP)产品，基于这种制程产品将采用SiON+多晶硅材料制作管子的栅极绝缘层和栅极;随后的9月份台积电计划启动首款基于HKMG
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台积电 40nm 芯片
- 市场研究公司IC Insights预计，今年半导体产业资本支出中的2/3将由支出前十位的公司包揽，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的厂商的投资总额预计增长67%，而产业整体支出增长额预计为51%。
“如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出额将增长91%。”IC Insights总裁Bill McClean指出。然而，尽管许多公司计划在今年将产能翻倍，但仍然无法阻止IC价格的上涨和供应短缺的局面发生，尤其是下半年。
大
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Samsung DRAM 芯片 半导体
- 据国外媒体报道，英特尔本周证实，由于客户需求匮乏，与台积电的合作将暂时搁浅。这意味着双方短期内不会推出联合开发的凌动芯片。
英特尔凌动芯片业务掌门罗伯特·克鲁科(Robert Crooke)在接受采访时说，“我认为我们从与台积电的合作中获得了许多重要经验。我们并没有放弃，这类合作不会很快见到成效。”
英特尔约1年前宣布，该公司将与台积电合作，生产客户定制的凌动芯片。这一交易被认为是英特尔对定制ARM架构芯片日趋普及作出的回应。英特尔与台积电的合作将允许
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英特尔 凌动 芯片
- 首季以来，由于大陆提前拉货，芯片市场供应吃紧频传，上游晶圆代工与下游封测一路喊缺，不过重覆下单的疑虑在年后显然仍未消散，半导体业界人士指出，由于各家IC设计业者急著抢产能，随著第3到第4季需求逐渐走弱，已让晶圆代工厂对于下半年浮现疑虑。
由于景气回温较市场想象来的迅速，加上大陆需求畅旺，让第1季呈现淡季不淡情况，甚至旺到让整个产业链供应吃紧，对业者来说都不敢过于乐观，依照过去几年的景气循环，在订单涌现后，就意味著未来恐怕会出现订单减少的问题。业界人士表示，由于首季以来，晶圆代工产能吃紧，要1,0
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IC设计 晶圆代工 芯片
- 据国外媒体报道，由于全球经济复苏推动需求增长，而许多芯片公司由于价格压力和投资障碍无法建设单独的芯片工厂，亚洲外包芯片厂商预计今年业绩将会大幅增长。
分析师预计，逐渐增长的外包订单，尤其是来自日本NEC和富士通的订单，将会显著提升台积电和联华电子等外包芯片厂商的业绩。NEC和富士通此前均自行生产芯片，然而由于陷入亏损的困境，分析师预计这些公司将采用外包的方式来节约生产成本。
富士通去年宣布了“轻晶圆厂(fab-lite)”策略，这意味着富士通将外包生产，而不是建
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NEC 芯片
boost(buck)芯片介绍
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