nano nor flash 文章 最新资讯
用BiCS Flash与XL-Flash构建存储新形态
- 随着铠侠将1亿IOPS目标SSD定档2028年，基于XL-Flash构建的铠侠GP系列正在为AI计算提供全新的可能。而放眼当下，基于第九代BiCS Flash和第十代BiCS Flash的企业级与数据中心级SSD也蓄势待发，PCIe 6.0 SSD产品正逐步进入企业用户的视野，存储领域正在根据AI需求激增而快速升级，并已经构建出了全新的存储解决方案。很显然，闪存正在AI时代下发挥出了更重要的作用。用CBA技术实现存储与逻辑解耦第九代与第十代BiCS Flash均源自第八代BiCS Flash确立的CBA（
- 关键字： 铠侠 XL-Flash BiCSFlash AI计算 PCIe6.0 SSD产品
Kioxia的Flash-for-DRAM计划关注AI工作负载
- 铠侠向着其宏伟目标又迈进了一步：在部分承载 AI 工作负载的内存场景中，用闪存替代 DRAM。铠侠在东京的简报会上展示了一款 Compute Express Link（CXL）模组；该模组以 XL‑Flash 为核心，这是一款经过专项开发、处理性能大幅提升的 NAND 芯片。这款 CXL 模组旨在配合 AI 计算设备，承担部分原本由 DRAM 负责的内存任务，采用专为高速处理优化的 NAND 闪存。铠侠称，使用 CXL 模组替换部分 DRAM，能够在同等成本下将内存容量提升一倍，同时实现 30% 的性能提
- 关键字： Kioxia Flash-for-DRAM AI工作负载
Day-0支持｜摩尔线程完成智谱GLM-5.3-Flash极速适配
- 近日，智谱上线并开源GLM-5.3-Flash (320B-A18B)。摩尔线程快速响应，基于AI训推一体智算卡MTT S5000及MUSA软件栈，实现对该模型的极速适配与高效运行，标志着国产算力在超大规模多模态模型支持上迈出关键一步。全球前沿性能，匿名公测登顶双榜作为GLM-5系列的首个原生多模态模型，GLM-5.3-Flash总参数为320B，激活参数仅18B，在全球权威的Artificial Analysis Intelligence Index（AA综合智能指数）中取得57分，进入全球前沿模型能力
- 关键字： 摩尔线程 智谱 GLM-5.3-Flash
高性能 xSPI NOR Flash 安全性与可靠性的底层逻辑
- 一辆汽车启动时，车载 MCU 需要在极短时间内完成固件读取；一台工业设备断电重启后，控制系统需要第一时间恢复运行；一次 OTA 升级过程中，系统也必须保证固件能够被完整、准确地写入与调用。在这些汽车电子、工业控制与 AIoT 场景中，高性能xSPI NOR Flash 已经成为嵌入式系统中非常关键的存储器件。对于很多高性能系统来说，NOR Flash 存储的不只是数据，更是设备启动与运行的基础。一旦数据出现错误，轻则系统异常，重则导致设备无法启动。因此，相比单纯追求容量和速度，高性能 xSPI NOR F
- 关键字： xSPI NOR Flash ECC CRC 写保护 UID GD25 兆易创新 车规存储
NOR FLASH火了
- 闪存包括 NOR Flash（或非闪存）和 NAND Flash（与非闪存），其中 NAND Flash 占据闪存市场 95% 以上份额。NOR Flash（或非闪存）凭借独特的技术特性，在工业、汽车等专业领域占据一席之地。作为非易失闪存的两大核心技术路径之一，NOR Flash 历经数十年发展，在物联网、汽车电子、AI 服务器等新兴场景的驱动下，正从「小众利基市场」迈向「高成长赛道」。而在这一浪潮中，本土 MCU 企业的布局尤为关键。以中微半导为代表的本土企业，正凭借 MC
- 关键字： NOR Flash
Weebit Nano 与德州仪器公司达成许可协议
- Weebit Nano Limited，一家为全球半导体行业开发和授权的先进存储技术公司，宣布已将其电阻随机存取存储器（ReRAM）技术授权给德州仪器（TI），这是一家设计、制造和销售模拟及嵌入式处理芯片的全球半导体公司。根据协议条款，Weebit的ReRAM技术将集成到TI的先进系统中来源：Weebit Nano Limited嵌入式加工半导体的工艺节点。协议包括知识产权许可、技术转让、设计和认证 Weebit ReRAM 在 TI 工艺技术中的应用。Weebit ReRAM 是一款低功耗、经济实惠的&
- 关键字： Weebit Nano 德州仪器 ReRAM
兆易创新GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash
- 一、产品概述中国北京（2025年4月15日）—— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快
- 关键字： 兆易创新 GD5F1GM9 QSPI NAND Flash CES 2026
NVIDIA Jetson Orin Nano强劲优势，解锁视觉AI无限潜能
- 在工业4.0与智能化浪潮风起云涌的当下，边缘AI技术正以前所未有的速度渗透至千行百业，成为推动产业升级的关键力量。近日，研华科技凭借其在边缘计算领域的深厚积累与创新实力，正式推出AIR-020R边缘AI系统，该系统搭载NVIDIA Jetson Orin Nano超级模式，以出色的算力、较低的功耗以及工业级的可靠性，为视觉AI应用注入新动能，引领行业迈向智能化新阶段。核心优势：小身材蕴含大能量AIR-020R边缘AI系统虽身材小巧，性能表现却非常优秀。基于NVIDIA Jetson Orin Nano超级
- 关键字： NVIDIA Jetson Orin Nano 视觉AI
纳米-ITX嵌入式计算机板
- Portwell选择了Intel Core 3处理器N355作为一系列120 x 120毫米Nano-ITX嵌入式计算机板的CPU，用于边缘计算、自动化和标识。与NANO-6065系列相同，还有另外两块板：一块搭载N150处理器，另一块搭载Atom x7835RE。公司表示：“其处理器选项允许系统设计师在性能与能效之间调整平衡。”这三者在单个DDR5 SO-DIMM中最多可容纳16GB内存，支持带内ECC。对于非易失性内存，配备SATA III接口和Micro SD接口，此外还有M.2 E key 223
- 关键字： Intel 处理器 Nano-ITX 嵌入式主板 边缘计算
BiCS FLASH进阶时，加速存储新进化
- AI算力需求爆炸，海量数据频繁调动，致使存储行业变得愈发重要。无论是当下的生成式AI，还是即将到来的AI智能体、端侧AI，高性能、高密度、高能效存储解决方案都将作为可靠的硬件基础，进而解决数据中心、AI训练推理以及移动设备在数据存储与访问的瓶颈问题。在众多存储技术发展路径中，铠侠BiCS FLASH 3D闪存技术为行业提供了大量支持，也是高性能存储中，不可缺少的关键角色。铠侠作为闪存技术的发明者，秉承着Bit Cost Scalable Flash的理念，BiCS FLASH在2D NAND遇到容量提升瓶
- 关键字： BiCS FLASH 3D闪存 铠侠
用铠侠BiCS Flash，为AI算力创造新可能
- AI的计算、数据传输与存储已经成为当下数据中心和服务器端最为关注的问题之一。在有限的空间和成本内如何实现更高的收益，如何让存储方案给计算单元提供充足的数据支持，加速数据交换，节省电力和散热成本都值得探讨，其中就包括闪存技术如何扮演起关键角色。闪存技术最初被广泛应用在消费级产品中，旨在缩小存储方案占用空间、提升性能。随着闪存技术的不断升级，这项技术已经从成为消费级产品存储主力，并紧接着在网络、云计算的企业级存储中提供高速的数据存取支持。如今数据存储正在迈向AI时代，通过大量创新型的存储方案创造更多可能性。例
- 关键字： 铠侠 BiCS Flash
第二季度NAND收入环比增长22%
- TrendForce集邦咨询表示，第二季度NAND收入前五大供应商的总收入环比增长22%，达到146.7亿美元。三星第二季度收入环比增长 23.8% 至 52 亿美元，将三星的市场份额小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入环比增长 52.5%，达到 33.4 亿美元，市场份额为 21.1%。铠侠第二季度营收环比增长11.4%至21.4亿美元，环比增长11.4%，排名第三。美光收入环比增长 3.7%，达到 21 亿美元，市场份额为 13.3%。SanDisk 的收入环比增长 12.2% 至 19 亿美元
- 关键字： NAND Flash TrendForce
NAND Flash合约价 Q3看涨10%
- 根据TrendForce预估，第三季NAND Flash价格走势，预估平均合约价将季增5%至10%，但eMMC、UFS产品，因智慧手机下半年展望不明，涨幅较低。client SSD市场因OEM/ODM上半年去化库存情况优于预期，增强第三季回补动能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引发换机潮，以及DeepSeek一体机热潮，皆带动client SSD需求。此外，部分原厂积极推动大容量QLC产品，带动出货规模。 综合以上因素，预估第三季client SSD将季增3%至8%。随NVIDIA B
- 关键字： NAND Flash
如何让QLC技术成为主流？
- 纵观整个电子行业，往更高密度的集成电路发展无疑是主流趋势。相对于逻辑电路追求晶体管密度提升，类似于FLASH NAND这样的非易失性存储还需要考虑到电子的稳定保存，单纯的提升制造工艺并不能很好的解决所有存储问题，在稳定保存的前提下追求更高的存储密度才能确保新技术、新产品可持续发展，存储单元向上要空间成为顺理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日渐成为主流的QLC（Quad-Lev
- 关键字： AI推理 QLC NAND Flash
AI推理应用爆发推升QLC NAND Flash市场需求
- AI推论快速成长，QLC NAND Flash成为企业级储存解决方案的新宠。 相较于传统的TLC NAND，QLC具备更高存储密度与更低成本，适合以读取为主的AI推论工作负载。 法人分析，台厂如群联、威刚、宇瞻等存储器模组厂，有望从中受惠。根据调研机构预测，2025年QLC NAND产能将达250.48亿Gb，占NAND总产能的22.2%，渗透率逐步提升。AI推论服务器主要负责分析以及处理大量数据，而这类应用访问模式以读取为主，写入频率相对较低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存储密度
- 关键字： AI推理 QLC NAND Flash
兆易创新推出GD25NE系列SPI NOR Flash
- 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布推出专为1.2V SoC应用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容，此产品的面世将进一步强化兆易创新在双电压供电闪存解决方案领域的战略布局。凭借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分满足市场对于先进嵌入式存储解决方案日益增长的需求，成为智能可穿戴设备、医疗健康、物联网、数据中心及边缘人工智能应用的理想选择。GD25NE系列SPI NOR
- 关键字： 兆易创新 SPI NOR Flash
NAND Flash市况 有望6月复苏
- NAND Flash控制芯片厂慧荣科技总经理苟嘉章预期，NAND Flash市况将于6月好转，下半年表现将优于上半年，甚至不排除供应吃紧的可能性。苟嘉章指出，2025年第一季NAND Flash虽小幅下跌，但供应商已开始坚守价格，避免市场陷入低迷行情。他强调，供应商根据市场状况自然调节供给，是NAND Flash供需好转的主因之一，2025年NAND Flash位元供给，估计将增加上看20%。美国商务部对出口至中国大陆的存储器制造设备实施管制，也将延缓中国大陆厂商在DRAM领域的扩张步伐。尽管中国大陆部分
- 关键字： TrendForce 集邦咨询 NAND Flash
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