9月DRAM价格猛增13% Flash亦涨4%
最近几个月来，DRAM价格连连上涨，同时也拉升了NAND Flash颗粒的价格。各大晶圆厂和模组厂也都连连传出利好消息。虽然各大内存厂商的产品订单和资金流相较2009年年初的金融海啸时期已经有较大起色，但是这内存的价格上涨也波及到了电子卖场中的零售价格。那么究竟现在的内存产品是怎样的一个局面呢，下面小编就给大家来个深度分析，给你讲讲这里面的道道。
9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均报价约为 1.70 美元，较上个月多出了近 13%。
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内存 DRAM 40纳米
中芯国际今天宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体 (CMOS) 技术将延伸至40纳米以及55纳米。
这些新工艺技术进一步丰富了中芯国际现有的技术能力，更好地满足全球客户的需求，包括快速增长的中国市场在内。其应用产品包括多媒体产品、图形芯片、芯片组以及手机设备(如3G/4G 手机)。
“中芯国际上海的12英寸厂已提前达标完成了45纳米的技术工艺。我们也同样期盼着这些附加的延伸技术能取得佳绩。”张汝京博士 -- 中芯国际总裁兼首席执行长表示，“这些新技术为
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中芯国际 CMOS 45纳米 40纳米 55纳米
因应景气翻扬，晶圆代工厂台积电、联电纷纷备妥银弹展开资本支出竞赛，其中45/40纳米产能扩充将是2009~2010年重点，而台积电则于40纳米制程世代起一并提供客户全套式的前、后段制程代工服务，加上太阳能产厂将动工，预料2010年资本支出上看30亿美元，不过同业联电的资本支出增幅更为惊人，2010年资本支出可望翻一倍达到10亿美元。
2008 年台积电、联电受到金融风暴影响，紧急在资本支出踩煞车，让半导体设备业者陷入寒冬，如今景气状况回稳，2009年上半起资本支出逐渐解冻，到了下半年台积电、联电
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台积电 40纳米 晶圆代工
日本最大闪存芯片制造商尔必达表示，可能投资至多400亿日元(约合4.52亿美元)提高40纳米芯片的产量，达到公司芯片总产量的一半。
尔必达发言人表示，公司计划今年开始大规模生产这一产品。他说，为了反映市场状况，尔必达决定加快投资步伐。
尔必达、三星电子、海力士半导体等芯片制造商正在降低芯片尺寸，以增加一片晶圆所能切割出的芯片数量，以此降低成本，应对产品价格不断下滑的局面。尔必达说，从当前的50纳米技术转向较小的芯片尺寸，公司可以将每片晶圆的芯片产量提高44%。
亚洲最大半导体现货市场
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尔必达 40纳米 闪存芯片
不知是否是因为Global Foundries的步步威胁，台积电28日宣布，延聘3年前离职的蒋尚义博士担任研究发展资深副总经理，他将直接对张忠谋董事长负责。
这是继张忠谋6月重新执政台积电以来，又一次重大的人事调整。蒋尚义博士早在1997年即加入台积电担任研究发展副总经理，带领研发团队一路顺利开发完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90纳米、65纳米等各个世代的先进工艺技术，成果斐然。但是三年多前因为要照顾年迈生病的父亲而暂时离开，如今因父亲仙逝而能再度回到台积，相信蒋资深副总的回任，
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台积电 40纳米 HKMG EUV
台湾DRAM大厂南科宣布8亿股现金增资计划，预计筹措100亿元以上资金，全数投入50纳米制程，以及偿还公司债，尽管DRAM现货价格已站上每颗2美元，时间点来得比预期早，国内DRAM厂暂时度过最艰困的时刻，但三星半导体将在明年把40纳米推升为生产线主力，成本大幅降低的优势，势必更加显著，台厂与国外一线大厂的苦战还是难免。
由于DDR2过渡至DDR3面临产能转换的瓶颈期，导致DDR3产能不足，进一步拉抬DDR2价格，原本内存模块厂预测，今年第四季底，DDR2现货价才有机会达到2美元，但根据集邦科技报
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南科 50纳米 40纳米 DRAM
日前，LSI 公司宣布其开始提供业界首款专为笔记本电脑、台式机以及企业级硬盘驱动器(HDD) 市场领域设计的 40 纳米多接口物理层(PHY) IP 样片。
所有主要 HDD 和固态驱动器(SSD) 制造商均可在其片上系统(SoC)设计方案中集成 LSI TrueStore® PHY9500 这一统一解决方案，也可支持 6Gb/s SAS、6Gb/s SATA 及 4.25Gb/s 光纤通道接口标准。驱动器制造商通过在其 SoC中集成 PHY9500，不仅可大幅降低验证及开发成本，而且还
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LSI 40纳米 PHY TrueStore
台积电40/45纳米制程传出好消息，对岸的晶圆代工厂中芯国际也紧跟在后!中芯国际表示，45纳米搭上IBM技术阵营的共通平台 (Common Platform)，进展也将愈追愈快，预计2009年底将正式投产(Tape-out)，2010年放量生产。中芯国际认为在机器设备折旧摊提持续下降与高阶制程加入双重效果下，2010年期待实现获利。
IBM阵营愈来愈壮大，除了三星电子(Samsung Electronics)、新加坡特许(Chartered)与全球晶圆(Global Foundries)以外，中
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台积电 40纳米 45纳米 晶圆代工
原先预期绘图晶片双雄40纳米大战将会在2009年第2季正式开打，其中超微(AMD)所推出ATI Radeon HD 4770备受市场关注，稍后NVIDIA也会跟进发布40纳米产品，但出乎预料的是，由于台积电40纳米制程良率偏低，传出仅达2成左右，令超微受伤遭受重创。
超微5月初准备大举登场的ATI Radeon HD 4770绘图芯片，首度导入台积电40纳米制程，由于功耗降低、效能提升，备受市场期待，然在6月时因实际出货量相当稀少，仅少数一线业者有货可卖，使得超微错失逆转契机，外界开始质疑40纳
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台积电 40纳米 绘图芯片
ARM当地时间17早上宣称开发出2GHz的双核版Cortex-A9架构处理器,它基于40纳米制程构建,在没有提升功耗的前提下提高了速度,每个处理单元功耗最低可达0.25W.
这款芯片主要用于高速家庭设备以及空间应用等需要低功耗、小空间的计算环境.
ARM将制造40纳米芯片的任务交给了台积电,实际交货要等到今年秋天.
2GHz芯片不大可能这么早装载在手机上,但有可能会在MID上出现,目前苹果iPhone正在使用其上一代产品Cortex A8,这款芯片由三星设计,频率达到600MHz.
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ARM 40纳米 Cortex-A9
尽管近期DRAM价格大幅反弹，但估计2009年第3季仍仅有韩系两大厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以赚钱，2010年再轮到美光(Micron)和尔必达(Elpida)转亏为盈，至于台厂方面，由于 2010年三星制程技术将晋级到40纳米，以目前台厂脚步，未来恐将会有多家大厂被迫淡出标准型DRAM市场。
DRAM价格虽已开始反弹，然复原最快厂商仍是三星，第2季已开始赚钱，预计第3季三星和海力士两大韩厂都可望进入获利，随著DRAM产业逐步复苏，美光和尔必达2
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三星 DRAM 40纳米 晶圆代工
经过一年半的合作，台积电终于拿下首颗高阶服务器处理器代工订单，正式进入CPU代工市场!美国Sun Microsystems最近在美国Hot Chips大会中，发表新款16核心Rainbow Falls系统处理器，该款处理器主要委由台积电40纳米制程代工，明年可望顺利量产投片，成为台积电明年营收成长的主要动力来源之一。
台积电与Sun在去年2月底宣布合作，Sun将把先前的服务器用UltraSPARC处理器，委由台积电以45/40纳米代工，未来世代的处理器也将交由台积电生产。另外，台积电也与Sun合
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芯片设计解决方案供应商微捷码(Magma®)设计自动化有限公司日前宣布，NVIDIA公司已部署Quartz™ DRC作为40纳米及40纳米以下工艺节点IC的主要设计规则检查器。NVIDIA打算将微捷码物理验证工具用于从定制单元开发到全芯片验证的各种应用。NVIDIA是在多项65纳米设计上使用了Quartz DRC并发现其提供了较现有物理验证工具显著缩短的验证周期后才选择Quartz DRC进行40纳米和40纳米以下设计。
“自从向65纳米工艺节点发展以来，我们一直
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芯片设计解决方案供应商微捷码(Magma)设计自动化有限公司日前宣布，微捷码客户们通过采用微捷码的Talus® netlist-to-GDSII设计实现系统，已完成超过50次的45纳米及45纳米以下工艺节点的芯片投片，次数远超过任何其它EDA供应商的实现系统。作为微捷码专为45/40纳米及更小工艺节点芯片而设计的下一代实现平台，Talus现已在广大微捷码客户中得到广泛使用，其最新版本Talus 1.1对于45/40纳米工艺节点设计更是展现出特殊的优势。
就应用类型而言，现已完成的45/4
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日本富士通微电子株式会社与台湾积体电路制造股份有限公司27日宣布，双方同意以台积电先进的技术平台为基础，针对富士通微电子的28纳米逻辑IC产品进行生产、共同开发并强化28纳米高效能工艺。在这之前，富士通微电子与台积电已经就40纳米工艺进行合作。这项协定代表富士通微电子将延伸已经在台积电生产的40纳米产品，双方将共同发展最佳化的28纳米高效能工艺，而首批28纳米工程样品预计于2010年年底出货。
这项先进技术的合作将富士通微电子在先进高速工艺与低耗电设计技术的专长及优势，以及台积电节能的高效能逻辑
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富士通 28纳米 40纳米
40纳米介绍
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