4月9日，美国总统特朗普在共和党全国委员会活动上自爆曾威胁台积电，若不继续在美国投资建厂，其产品进入美国将面临高达100%的关税。特朗普还批评拜登政府此前为台积电亚利桑那州工厂提供66亿美元补贴，主张通过税收威胁而非财政激励推动制造业回流。10亿美元罚款？据路透社援引知情人士透露，台积电可能面临10亿美元或更高的罚款，作为美国对其生产的芯片的出口管制调查结果。台积电被指控通过第三方为中国大陆科技企业代工生产近300万颗AI芯片，而根据美国出口管制条例，违规交易最高可被处以交易金额两倍的罚款。台积电在一份声
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4月10日消息，据报道，在本周的Cloud Next大会上，Google发布了第七代TPU AI加速器芯片——Ironwood。Google Cloud副总裁Amin Vahdat表示：Ironwood是我们迄今为止功能最强大、性能最强、最节能的 TPU。它专为大规模支持思考和推理AI模型而设计。首先在计算性能上，Ironwood实现4614 TFLOP的峰值算力，配备192GB专用RAM和7.4Tbps超高带宽，确保数据高速传输。其次，芯片间互连(ICI)带宽提升至1.2Tbps，较前代提升50%，大幅
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2nm GAA 工艺进展被传顺利，但三星的目标是通过推出自己的 1nm 工艺来突破芯片开发的技术限制。一份新报告指出，该公司已经成立了一个团队来启动这一工艺。然而，由于量产目标定于 2029 年，我们可能还需要一段时间才能看到这种光刻技术的应用。1nm 晶圆的开发需要“高 NA EUV 曝光设备”，但目前尚不清楚三星是否已订购这些机器。另一方面，台积电也正在推出
2 纳米以下芯片，据报道，这家台湾半导体巨头已于 4 月初开始接受 2 纳米晶圆订单。至于三星，在其 2 纳米 GAA
技术的试产过程中
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上周三，美国总统特朗普宣布对进口商品征收全面关税；随后周五，中国政府宣布对美国采取反制措施，对所有美国进口的商品加征34%的关税。
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去年末有报道称，小米即将迎来了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步骤就是与代工合作伙伴确定订单，批量生产自己设计的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭载于小米5c，对SoC并不陌生。据Wccftech报道，虽然中国大陆的芯片设计公司或许不能采用台积电（TSMC）最新的制造工艺，但最新消息指出，相关的管制措施暂时没有影响到小米，该款SoC有望在今年晚些时候推出。不过与之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工艺，而是4nm工艺，具体来说是N4P。小米的SoC在C
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3月31日消息，据媒体报道，位于新竹和高雄的两大台积电工厂将是2nm工艺制程的主要生产基地，预计今年下半年正式进入全面量产阶段。在前期试产中，台积电已经做到了高达60%的良率表现，待两大工厂同步投产之后，月产能将攀升至5万片晶圆，最大设计产能更可达8万片。与此同时，市场对2nm芯片的需求持续高涨，最新报告显示，仅2025年第三、四季度，台积电2纳米工艺即可创造301亿美元的营收，这一数字凸显先进制程在AI、高性能计算等领域的强劲需求。作为台积电的核心客户，苹果将是台积电2nm工艺制程的首批尝鲜者，预计iP
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据外媒报道，英特尔确认将于今年晚些时候在其位于爱尔兰莱克斯利普的Fab 34量产3nm芯片。据了解，Intel 3是该公司的第二个EUV光刻节点，每瓦性能比Intel 4工艺提高了18%。Intel公司在年度报告中表示，该工艺于2024年在美国俄勒冈州完成首批量产，2025年产能将全面转至爱尔兰莱克斯利普工厂。据介绍，英特尔同步向代工客户开放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工艺。此外，该公司还与联电合作开发12nm代工工艺。英特尔还表示：基于Intel 18A工艺的客户端处理器Pa
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如果你需要将电子从这里移动到那里，你可以求助于铜。这种常见元素是一种极好的导体，很容易制成电线和电路板走线。但是，当你变小时，情况就会发生变化：在纳米尺度上真的非常小。相同的铜显示出越来越大的电阻，这意味着更多的电信号会因热量而损失。为更小、更密集的设备供电可能需要更多的能量，这与您想要的微型电子设备正好相反。斯坦福大学的研究人员在 Eric Pop 实验室由 Asir Intisar Khan 领导，一直在试验一种按比例缩小到约 1.5 纳米厚度的新型薄膜。他们发现，随着这
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快科技3月25日消息，据悉，中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm。据悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术，通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子，然后以高能量的短脉冲形式发射，输出功率100-120W，频率8k-9kHz，再通过光学系统调整，用于光刻设备。中科院的固态DUV激光技术完全基于固态设计，由自制的Yb:YAG晶体放大器
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3月24日消息，近日，英伟达首席执行官黄仁勋表示，英伟达计划在未来四年内斥资数千亿美元采购美国制造的芯片和电子产品。英伟达设计的最新芯片以及用于数据中心的英伟达驱动服务器，现在可于台积电和鸿海在美国运营的工厂生产。黄仁勋称，“总体而言，在未来四年里，我们将采购总额可能达到5000亿美元的电子产品。我认为我们可以很容易地看到，我们在美国制造了数千亿个这样的产品。”黄仁勋还表示，英伟达正与台积电、富士康等公司合作，将制造业务转移到美国本土。黄仁勋称，此举将增强供应链韧性。对于市场传闻的“英伟达可能投资英特尔”
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3月21日消息，投资公司GF Securities在报告中称，iPhone 18系列搭载的A20芯片将会采用台积电第三代3nm工艺N3P制造，对此，分析师Jeff Pu予以反驳，称A20芯片基于台积电2nm制程打造，苹果使用3nm的消息可以被忽略了。据悉，台积电已经开始了2nm工艺的试产工作，该项目在新竹宝山工厂进行，初期良率是60%，预计在2025年下半年开始进行批量生产阶段。之前摩根士丹利发布报告称，2025年台积电2nm月产能将从今年的1万片试产规模，增加至5万片左右的量产规模。由于产能爬坡以及良率
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英伟达CEO黄仁勋最新表示，中国人工智能企业DeepSeek发布的R1模型只会增加对计算基础设施的需求，因此，担忧“芯片需求可能减少”是毫无根据的。当地时间周三（3月19日），黄仁勋在GTC大会与分析师和投资者会面时表示，外界先前对“R1可能减少芯片需求”的理解是完全错误的，未来的计算需求甚至会变得要高得多。今年1月时， DeepSeek发布的R1模型引发了市场轰动，该模型开发时间仅两个月，成本不到600万美元，仅用约2000枚英伟达芯片，但R1在关键领域的表现能媲美OpenAI的最强推理模型o1。这导致
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3 月 19 日消息，惠普在其 Amplify Conference 2025
会议上宣布推出首批可抵御量子计算机密码破译攻击的打印机产品，包括 Color LaserJet Enterprise MFP 8801、Mono
MFP 8601、LaserJet Pro Mono SFP 8501 三大型号。惠普表示这些打印机均采用量子弹性设计，搭载了采用抗量子加密技术设计的新型 ASIC，该芯片增强了打印机的安全性和可管理性，能防止针对 BIOS 和固件的量子攻击，并支持固件数字签名验证。此外这些
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3 月 18 日消息，据台媒 digitimes 今日消息，SK 海力士预计将独家供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片第五代 12 层 HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。SK
海力士于去年 9 月全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，实现了最大 36GB 容量。12 层 HBM3E的运行速度可达
9.6Gbps，在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。去年 11 月，SK
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台积电扩大投资美国千亿美元（约新台币3.3兆）未来将兴建3座晶圆厂、2座先进封装厂及1座研发中心，从研发到制造全面布局。 英特尔前CEO基辛格（Pat Gelsinger）近日再度公开喊话，重建半导体供应链应该敦促供应链移往美国，并对芯片课关税。综合外媒报导，基辛格对于台积电扩大投资美国持正面态度，他称赞台积电很棒，但台积电在美国没有研发中心（R&D）且拥有研发能力相当关键，长期创新与研发将带领任何产业往前迈进。另一方面，基辛格又暗示地缘政治风险，基辛格表示：「据波士顿顾问公司BCG的研究，中国台
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