- 半导体被列入重点培植产业,政府计划性的补贴下,全球市占率的日益攀升,产品竞争力快速成长,直接威胁了台湾、欧美厂商,全球主要晶圆代工业者已陆续在中国进行卡位战。
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晶圆 NAND
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新研究显示,由于中国大陆内需市场胃纳量庞大,在伺服器以及智慧型手机的出货需求持续攀升,预估今(2015)年中国内需市场在DRAM与NAND的总消化量换算产值高达120亿与66.7亿美元,分别占全球产值的21.6%与29.1%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,从DRAM需求观察,近年来中国品牌不论在个人电脑或是智慧型手机领域出货量不断增长。其中,联想(0992.HK)在个人电脑市场与第一名的惠普出货量在伯仲之间,并稳居
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DRAM NAND
- 全球嵌入式系统解决方案领导者赛普拉斯半导体公司今日宣布推出面向高安全应用的单层单元(SLC)NAND闪存系列。此前,高安全应用的设计者一直使用带有分区保护的NOR闪存存储启动代码,并利用商用级SLC NAND闪存存储系统固件和应用。全新的赛普拉斯SecureNAND™闪存系列通过为机顶盒、POS机、可穿戴设备和其他高安全应用提供带有集成式分区保护特性的单一非易失性内存,可帮助用户降低系统成本,提高系统的安全性。
赛普拉斯SecureNAND系列包括1Gb、2Gb和4Gb闪存,所有
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赛普拉斯 NAND
- 苹果iPhone 6s新机加入压力感测3D Touch功能,预料将带动市场风潮。目前已有华为、中兴等品牌新机支援压力感测功能,科技网站传出,三星新一代旗舰机Galaxy S7,也搭载压力感测,可望带动TPK宸鸿(3673)等相关概念股表现。
三星供应商新思日前已发表新的 “ClearForce”压力触控解决方案,可以区别按压力道大小,做出不同回应,并与全球 OEM和 LCM大厂进行合作中,外传三星已与新思洽商采用此一技术。
法人表示,压力感测器概念股包括敦泰、F-臻
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苹果 3D Touch
- 《巴伦周刊》(Barron’s)报导指出,半导体厂商美光(Micron)尽管今年以来遭遇股价蒸发近半,但仍有许多投资人看多,原因在于订于今年问世 的两款记忆晶片──新一代3D NAND快闪记忆体与新款3D XPoint,锁定手机应用程式市场和大数据分析领域,料将大幅提升美光利润率。
两款晶片系与英特尔合作研发。前者料增进美光2016年营收与净利,而后者料自2018年起占美光营收比明显扩大。
有看多美光者预测,股价可能于1年间上涨逾6成,达每股30美元。较保守的假设为,1年间上涨
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美光 NAND
- 中国半导体研究机构芯谋研究 (ICwise) 4 日在《微博》放话,“这两天半导体产业会有重大新闻”,5 日正式发文,表示台湾南亚科总经理高启全将离职,加入中国紫光集团,负责半导体储存业务。消息一出,果然在台湾带来震撼。外界也好奇,近来动作频频的紫光集团,究竟有什么背景与能耐,在半导体行业到处“兴风作浪”?
■紫光发展简历
依紫光集团官网简介,紫光的前身是中国清华大学在 1988 年所成立的科技开发公司,并在 1993 年改组为清华紫光 (集
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紫光 NAND
- ARM新近推出的版本中出现Bug,iPhone 6s Plus玩3D游戏闪屏,不过后续通过软件升级可以解决。
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iPhone 6s 3D
- 东芝(Toshiba)财报不实风波虽未涉及目前东芝利润最高的NAND快闪存储器部门,但日媒体日经Tech-On访问日本半导体界人士,却表示长期终将损害快闪存储器产品竞争力。
目前东芝半导体事业主力NAND存储器产品,由于移动装置需求持续成长,销售量不断增大,为日本少数仍名列前茅且具世界竞争力的半导体产品;但这项产品需要大量资金持续投资才能保持领先,受企业财务状况影响比其他半导体产品更大。
现在东芝碰上财务问题,对NAND快闪存储器的投资必然受到影响,虽说新社长室町正志出身半导体事业,对这个
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东芝 NAND
- 一场触控界的革新,因为苹果的参与而让市场沸腾起来。新iPhone9月10日(北京时间)发布后,搭载的3D Touch技术让消费者们对手机操控有了新鲜感。这让压力触控厂商们很是兴奋,经历了长久蛰伏期之后,他们看到了潜在的市场爆点。不过兴奋的同时,产业链厂商们也没有太过乐观,因为安卓市场才是引爆市场的关键,而这恐怕还需等待一段时间。
为部分App带来革命性体验
压感触控技术是指在现有手机平面操作的基础上增加第三种维度——重力感应,根据力度的不同,调用的菜单也有所区别。而
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压力触控 3D Touch
- 鳍式电晶体(FinFET)与3D NAND有助实现更高运算/储存效能、低耗电量与低成本,满足车载装置、物联网和穿戴式装置发展需求,因此半导体设备商应用材料(Applied Materials)看好FinFET与3D NAND飞跃增长的潜力,已研发相关的蚀刻机台和磊晶技术。
应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆指出,随着先进制程发展,该公司产品开发有两大重点方向,一是电晶体与导线技术,另一个是图形制作与检测技术。
应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆表示,从28奈米到20奈米,甚至发展至16/14奈
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FinFET 3D NAND
- 微机电(MEMS)/奈米技术/半导体晶圆接合暨微影技术设备厂商EVGroup(EVG)今日宣布,该公司全自动12吋(300mm)使用聚合物黏着剂的晶圆接合系统目前市场需求殷切,在过去12个月以来,EVG晶圆接合系列产品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等订单量增加了一倍,主要来自于晶圆代工厂以及总部设置于亚洲的半导体封测厂(OSAT)多台的订单;大部份订单需求的成长系受惠于先进封装应用挹注,制造端正加速生产CMOS影像感测器及结合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互连技术的垂直
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CMOS 3D-IC
- 内存大厂美光 14 日举办 2015 年夏季分析师会议(Analyst Conference),会中宣布 2016 会计年度资本支出将增加为 53 亿至 58 亿美元,但尽管美光砸钱拚研发与产能,市场似乎对内存前景不具信心,当日股价仍小跌了 4%、77分美元,收在 16.93 美元。
美光财务长 Ernie Maddock 在会中公布 2016 会计年度的资本支出将达 53 亿至 58 亿美元。反观即将在本月底结束的 2015 年会计年度,资本支出仅介于 36 亿美元至 40 亿美元,再往回推至
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美光 NAND
- 美国闪存峰会上的演讲提出假设性观点。
3D XPoint内存晶圆近照。
本届闪存记忆体峰会上的一次主题演讲对英特尔/美光联合打造的3D XPoint内存技术作出了相关猜测——包括这项技术的具体定义以及英特尔会在未来如何加以运用。我们就其中的部分内容向知识渊博的从业专家进行了咨询,并以此为基础提出自己的观点——同样围绕这两点,该技术究竟算是什么、未来又将如何发展。
本月13号星期四在301-C会话环节中作出的这
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闪存 3D XPoint
- TrendForce旗下记忆储存事业处DRAMeXchange观察指出,2015年第二季由于NAND Flash业者对eMMC/eMCP、固态硬碟与产品策略的不同,营收、利润等的各项营运指标也有不一样的的呈现。各家业者除了加快15/16奈米与TLC导入eMMC/eMCP与固态硬碟等嵌入产品外,除了三星(Samsung)以外NAND Flash业者的3D-NAND Flash,也预期陆续自今年第四季开始小量生产。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示,受到整体经济环境冲击,智慧型手机、平板电
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英特尔 NAND
- TrendForce旗下记忆储存事业处DRAMeXchange观察指出,2015年第二季由于NAND Flash业者对eMMC/eMCP、固态硬碟与产品策略的不同,营收、利润等的各项营运指标也有不一样的的呈现。各家业者除了加快15/16奈米与TLC导入eMMC/eMCP与固态硬碟等嵌入产品外,除了三星(Samsung)以外NAND Flash业者的3D-NAND Flash,也预期陆续自今年第四季开始小量生产。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示,受到整体经济环境冲击,智慧型手机、平板电
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NAND 英特尔
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